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2SK2204L

型号：

2SK2204L

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

7 页

PDF大小：

44 K

下载PDF手册
2SK2204 L , 2SK2204 S  
Silicon N Channel MOS FET  
Application  
LDPAK  
4
High speed power switching  
4
Features  
1
2
3
• Low on–resistance  
• High speed switching  
• Low drive current  
• 4 V gate drive device can be driven from  
5 V cource  
• Suitable for Switching regulator, DC – DC  
converter  
2, 4  
1
2
3
1
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
3
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source voltage  
V
30  
V
DSS  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source voltage  
V
±20  
V
GSS  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
45  
A
D
———————————————————————————————————————————  
Drain peak current  
I *  
180  
A
D
———————————————————————————————————————————  
Body–drain diode reverse drain current  
I
45  
A
DR  
———————————————————————————————————————————  
Channel dissipation  
Pch**  
75  
W
———————————————————————————————————————————  
Channel temperature  
Tch  
150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %  
** Value at Tc = 25 °C  
*
2SK2204 L , 2SK2204 S  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit Test conditions  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source breakdown  
V
30  
—
—
V
I
= 10 mA, V  
= 0  
(BR)DSS  
D
GS  
voltage  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source breakdown  
V
±20  
—
—
V
I
= ±100 µA, V  
= 0  
(BR)GSS  
G
DS  
voltage  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source leak current  
I
—
—
±10  
µA  
V
= ±16 V, V  
= 0  
GSS  
GS  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Zero gate voltage drain current  
I
—
—
250  
µA  
V
= 25 V, V  
= 0  
DSS  
DS  
GS  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source cutoff voltage  
———————————————————————————————————————————  
V
1.0  
—
2.5  
V
I
= 1 mA, V  
= 10 V  
GS(off)  
D
DS  
Static drain to source on state  
R
—
0.011  
0.015  
Ω
I = 25 A  
DS(on)  
D
resistance  
V
= 10 V *  
GS  
————————————————————————  
—
0.016  
0.022  
Ω
I = 25 A  
D
V
= 4 V *  
GS  
———————————————————————————————————————————  
Forward transfer admittance  
|y |  
23  
38  
—
S
I = 25 A  
fs  
D
V
= 10 V *  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Input capacitance  
Ciss  
—
3600  
—
pF  
V
= 10 V  
DS  
————————————————————————————————  
Output capacitance  
Coss  
—
2000  
—
pF  
V
= 0  
GS  
————————————————————————————————  
Reverse transfer capacitance  
Crss  
—
400  
—
pF  
f = 1 MHz  
———————————————————————————————————————————  
Turn–on delay time  
t
—
30  
—
ns  
I = 25 A  
d(on)  
D
————————————————————————————————  
Rise time  
t
—
230  
—
ns  
V
= 10 V  
r
GS  
————————————————————————————————  
Turn–off delay time  
t
—
435  
—
ns  
R = 1.2 Ω  
L
d(off)  
————————————————————————————————  
Fall time  
t
—
360  
—
ns  
f
———————————————————————————————————————————  
Body–drain diode forward  
V
—
1.1  
—
V
I = 45 A, V  
= 0  
DF  
F
GS  
voltage  
———————————————————————————————————————————  
Body–drain diode reverse  
recovery time  
t
—
75  
—
ns  
I
= 45 A, V  
= 0,  
rr  
GS  
F
diF / dt = 50 A / µs  
———————————————————————————————————————————  
* Pulse Test  
2SK2204 L , 2SK2204 S  
Power vs. Temperature Derating  
Maximum Safe Operation Area  
500  
80  
60  
40  
20  
10 µs  
200  
100  
50  
20  
Operation in  
this area is  
limited by R  
10  
5
DS(on)  
2
1
Ta = 25 °C  
0.5  
0.5  
0
50  
100  
150  
200  
1
2
5
10 20  
50  
Drain to Source Voltage  
V
(V)  
DS  
Case Temperature Tc (°C)  
Typical Output Characteristics  
10 V  
Typical Transfer Characteristics  
= 10 V  
100  
80  
60  
40  
20  
50  
40  
30  
20  
10  
Pulse Test  
5 V  
4.5 V  
V
DS  
4 V  
Pulse Test  
3.5 V  
Tc = 75°C  
3 V  
–25°C  
25°C  
2.5 V  
= 2 V  
V
GS  
0
4
8
12  
16  
20  
0
1
2
3
4
5
Gate to Source Voltage  
V
(V)  
GS  
Drain to Source Voltage  
V
(V)  
DS  
2SK2204 L , 2SK2204 S  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Drain Current  
Drain to Source Saturation Voltage vs.  
Gate to Source Voltage  
0.5  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
Pulse Test  
Pulse Test  
0.2  
I
= 50 A  
D
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
V
GS  
= 4 V  
10 V  
20 A  
10 A  
0.005  
1
10  
30  
100 300 1000  
6
3
0
2
4
8
10  
Gate to Source Voltage  
V
(V)  
GS  
Drain Current  
I
(A)  
D
Forward Transfer Admittance vs.  
Drain Current  
Static Drain to Source on State Resistance  
vs. Temperature  
500  
300  
0.04  
0.032  
0.024  
0.016  
0.008  
V
= 10 V  
DS  
Pulse Test  
Pulse Test  
100  
30  
20 A  
I
= 50 A  
D
Tc = –25 °C  
V
= 4 V  
GS  
25 °C  
75 °C  
10 A  
10  
30  
10 V  
10, 20, 50 A  
1
0.5  
0
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
100  
–40  
0
40  
80  
120  
160  
Drain Current I (A)  
Case Temperature Tc (°C)  
D
2SK2204 L , 2SK2204 S  
Typical Capacitance vs.  
Drain to Source Voltage  
Body–Drain Diode Reverse  
Recovery Time  
10000  
5000  
500  
200  
100  
50  
Ciss  
2000  
1000  
500  
Coss  
20  
10  
5
Crss  
200  
100  
di / dt = 50 A / µs  
V
= 0  
GS  
V
= 0, Ta = 25 °C  
GS  
f = 1 MHz  
0
10  
20  
30  
40  
50  
1
0.05 0.1 0.2 0.5  
2
5
10 20 50  
Reverse Drain Current  
I
(A)  
DR  
Drain to Source Voltage V  
(V)  
DS  
Switching Characteristics  
Dynamic Input Characteristics  
5000  
100  
20  
16  
12  
8
2000  
1000  
500  
V
= 10 V  
25 V  
80  
60  
40  
20  
DD  
t
d(off)  
t
f
V
GS  
200  
100  
t
r
I
= 45 A  
D
50  
V
DS  
t
d(on)  
20  
10  
5
4
0
V
GS  
= 10 V, V  
DD  
= 30 V  
PW = 5 µs, duty < 1 %  
V
= 10 V  
25 V  
DD  
0.05 0.1 0.2 0.5  
1
2
5
10 20 50  
(A)  
0
40  
80  
120  
160  
200  
Gate Charge Qg (nc)  
Drain Current  
I
D
2SK2204 L , 2SK2204 S  
Reverse Drain Current vs.  
Souece to Drain Voltage  
50  
40  
30  
20  
10  
Pulse Test  
10 V  
5 V  
V
= 0, –5 V  
GS  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
(V)  
Source to Drain Voltage  
V
SD  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
1
Tc = 25°C  
D = 1  
0.5  
0.3  
0.1  
θ
θ
γ
θ
ch – c(t) = s (t) • ch – c  
ch – c = 1.67 °C/W, Tc = 25 °C  
PW  
T
P
DM  
D =  
0.03  
0.01  
PW  
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
Pulse Width PW (S)  
2SK2204 L , 2SK2204 S  
Switching Time Test Circuit  
Waveform  
Vout  
Monitor  
Vin Monitor  
D.U.T.  
90%  
R
L
10%  
10%  
90%  
Vin  
V
DD  
Vin  
10 V  
Vout  
10%  
50Ω  
= 30 V  
90%  
td(off)  
td(on)  
t
f
tr  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

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PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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