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2SK2556

型号：

2SK2556

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

10 页

PDF大小：

298 K

下载PDF手册
SHINDENGEN  
VZ Series Power MOSFET  
N-Channel Enhancement type  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SK2559  
( F10F20VZ )  
Case : FTO-220  
(Unit : mm)  
200V 10A  
FEATURES  
Input capacitance (Ciss) is small.  
Especially, input capacitance  
at 0 biass is small.  
The static Rds(on) is small.  
The switching time is fast.  
APPLICATION  
DC/DC converters  
Power supplies of DC 12-24V input  
Product related to  
Integrated Service Digital Network  
RATINGS  
œAbsolute Maximum Ratings iTc = 25Žj  
Item  
Symbol  
Tstg  
Tch  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Storage Temperature  
-55`150  
Ž
Channel Temperature  
150  
200  
}30  
10  
Drain-Source Voltage  
VDSS  
VGSS  
ID  
V
A
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain CurrentiDCj  
Continuous Drain CurrentiPeak)  
Continuous Source CurrentiDCj  
Total Power Dissipation  
Single Pulse Avalanche Current  
Dielectric Strength  
IDP  
20  
10  
IS  
PT  
40  
1
W
0
IAS  
Tch = 25Ž  
A
Vdis  
Terminals to case,@AC 1 minute  
2
0.5  
kV  
N¥m  
Mounting Torque  
TOR i Recommended torque F0.3 N¥m j  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
VZ Series Power MOSFET  
2SK2559 ( F10F20VZ )  
œElectrical Characteristics Tc = 25Ž  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage Current  
Forward Tran“conductance  
V(BR)DSS ID = 1mA, VGS = 0V  
200  
V
ÊA  
IDSS  
IGSS  
gfs  
VDS = 200V, VGS = 0V  
250  
}0.1  
VGS = }30V, VDS = 0V  
ID = 5A, VDS = 10V  
3
S
V
Static Drain-Source On-“tate Resistance RDS(ON) ID = 5A, VGS = 10V  
0.22 0.30  
Gate Threshold Voltage  
Source-Drain Diode Forward Voltage  
Thermal Resistance  
VTH  
VSD  
ID = 1mA, VDS = 10V  
IS = 5A, VGS = 0V  
2.0  
3.0  
4.0  
1.5  
Æjc junction to case  
3.12 Ž/v  
nC  
Total Gate Charge  
Qg  
Ciss  
Crss  
Coss  
ton  
VDD = 150V, VGS = 10V, ID = 10A  
25  
840  
80  
Input Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHZ  
pF  
290  
50  
ID = 5A, RL = 20, VGS = 10V  
100  
ns  
Turn-Off Time  
toff  
140 280  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK2559  
Transfer Characteristics  
20  
15  
10  
5
Tc = - 55°C  
25°C  
100°C  
150°C  
V
DS  
= 10V  
pulse test  
TYP  
0
0
5
10  
15  
20  
Gate-Source Voltage VGS [V]  
2SK2559 Static Drain-Source On-state Resistance  
1
I = 5A  
D
0.1  
V
GS  
= 10V  
pulse test  
TYP  
0.01  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2559  
Gate Threshold Voltage  
5
4
3
2
1
0
V
= 10V  
DS  
I = 1mA  
D
TYP  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2559  
Safe Operating Area  
100  
10  
100ms  
200ms  
R
DS(ON)  
limit  
1ms  
1
10ms  
DC  
0.1  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
0.01  
1
10  
100  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
C ° / W ] j c q ( t ) [  
T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d  
2SK2559  
Capacitance  
10000  
1000  
100  
Ciss  
Coss  
Crss  
Tc=25°C  
TYP  
10  
0
20  
40  
60  
80  
100  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
2SK2559  
Power Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2559  
Gate Charge Characteristics  
200  
150  
100  
50  
20  
15  
10  
5
V
DD  
= 150V  
100V  
50V  
V
DS  
V
GS  
I = 10A  
D
0
0
0
10  
20  
30  
40  
Gate Charge Qg [nC]  
厂商 型号 描述 页数 下载

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