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2SK2960

型号：

2SK2960

品牌：

ETC[ ETC ]

页数：

2 页

PDF大小：

37 K

下载PDF手册
Power F-MOS FETs  
2SK2960  
Silicon N-Channel Power F-MOS FET  
■ Features  
● Avalanche energy capacity guaranteed: EAS > 250mJ  
unit: mm  
● VGSS = ±30V guaranteed  
● High-speed switching: tf = 55ns  
● No secondary breakdown  
4.6±0.2  
9.9±0.3  
2.9±0.2  
φ3.2±0.1  
■ Applications  
● Contactless relay  
● Diving circuit for a solenoid  
● Driving circuit for a motor  
● Control equipment  
2.6±0.1  
1.2±0.15  
0.7±0.1  
1.45±0.15  
0.75±0.1  
● Switching power supply  
2.54±0.2  
5.08±0.4  
■ Absolute Maximum Ratings (TC = 25°C)  
1
2 3  
7
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
V
1: Gate  
2: Drain  
3: Source  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
400  
Gate to Source voltage  
DC  
Pulse  
Avalanche energy capacity  
VGSS  
ID  
±30  
V
TO-220E Package  
±10  
A
Drain current  
IDP  
±20  
A
EAS*  
250  
mJ  
Allowable power  
dissipation  
TC = 25°C  
Ta = 25°C  
50  
PD  
W
2
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
*
L = 5mH, IL = 10A, 1 pulse  
■ Electrical Characteristics (TC = 25°C)  
Parameter  
Symbol  
IDSS  
Conditions  
VDS = 320V, VGS = 0  
VGS = ±30V, VDS = 0  
ID = 1mA, VGS = 0  
min  
typ  
max  
Unit  
mA  
µA  
V
Drain to Source cut-off current  
Gate to Source leakage current  
0.1  
±1  
IGSS  
Drain to Source breakdown voltage VDSS  
400  
2
Gate threshold voltage  
Vth  
VDS = 10V, ID = 1mA  
VGS = 10V, ID = 5A  
VDS = 10V, ID = 5A  
IDR = 10A, VGS = 0  
5
V
Drain to Source ON-resistance  
Forward transfer admittance  
Diode forward voltage  
RDS(on)  
| Yfs |  
VDSF  
0.4  
5
0.52  
Ω
3
S
−1.5  
V
Input capacitance (Common Source) Ciss  
Output capacitance (Common Source) Coss  
Reverse transfer capacitance (Common Source) Crss  
1400  
290  
100  
25  
pF  
pF  
pF  
ns  
VDS = 10V, VGS = 0, f = 1MHz  
Turn-on time (delay time)  
Rise time  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
VGS = 10V, ID = 5A  
50  
ns  
Turn-off time (delay time)  
Fall time  
VDD = 100V, RL = 20Ω  
170  
55  
ns  
ns  
1
Power F-MOS FETs  
2SK2960  
ID  
VGS  
| Yfs | ID  
RDS(on)  
ID  
10.0  
7.5  
5.0  
2.5  
0
8
7
6
5
4
3
2
1
0
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
VDS=10V  
Ta=25˚C  
VDS=25V  
Ta=25˚C  
Ta=25˚C  
VGS=10V  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
2.5  
5.0  
7.5  
10.0  
0
2.5  
5.0  
7.5  
10.0  
( )  
V
(
A
)
( )  
Drain current ID A  
Gate to source voltage VGS  
Drain current ID  
RDS(on)  
VGS  
Ciss, Coss, Crss  
VDS  
td(on), tr, tf, td(off)  
ID  
6
5
4
3
2
1
0
104  
103  
102  
10  
250  
200  
150  
100  
50  
f=1MHz  
Ta=25˚C  
VDD=100V  
VGS=10V  
Ta=25˚C  
Ciss  
td(off)  
Coss  
tf  
tr  
Crss  
td(on)  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
0
25  
50  
75  
100  
0
2
4
6
8
10  
(
V
)
(
V
)
( )  
Drain current ID A  
Gate to source voltage VGS  
Drain to source voltage VDS  
Rth(t)  
t
102  
10  
Note: Rth was measured at Ta=25˚C  
and under natural convection.  
(1) Without heat sink  
(1)  
(2)  
(2) With a 100 × 100 × 2mm Al heat sink  
1
10–1  
10–2  
10–4  
10–3  
10–2  
10–1  
1
10  
102  
103  
( )  
s
Time  
t
2
厂商 型号 描述 页数 下载

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