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2SK3277

型号:

2SK3277

描述:

パワーデバイス - パワーMOS FET\n[ パワーデバイス - パワーMOS FET ]

品牌:

ETC[ ETC ]

页数:

3 页

PDF大小:

117 K

パワー F-MOS FET  
2SK3277  
シリコンNチャネルパワーF-MOS FET  
Unit : mm  
特ꢀ長  
6.5±0.1  
5.3±0.1  
4.35±0.1  
アバランシェエネルギー耐量保証  
2.3±0.1  
スイッチング速度が速い  
二次降伏がない  
0.5±0.1  
用ꢀ途  
無接点リレー  
ソレノイド駆動  
モータ駆動  
1.0±0.1  
0.1±0.05  
0.93±0.1  
0.5±0.1  
制御機器  
0.75±0.1  
2.3±0.1  
4.6±0.1  
スイッチング電源  
絶対最大定格 TC=25°C  
項目  
記号  
VDSS  
VGSS  
ID  
定格  
単位  
V
1 : Gate  
2 : Drain  
3 : Source  
ドレイース降伏電圧  
ゲーース電圧  
200  
1
2
3
±20  
V
U Type Package  
ドレイン電流  
DC  
±2.5  
A
形名表示記号 : K3277  
パルス  
IDP  
±5  
A
アバランシェエネルギー耐量*  
EAS  
PD  
15  
mJ  
W
内部接続図  
許容損失  
TC=25°C  
Ta=25°C  
10  
1
D
チャネル部温度  
保存温度  
Tch  
150  
°C  
°C  
G
Tstg  
55 +150  
* : L=5 mH, IL=2.5 A, 1Pulse  
S
電気的特性 TC=25°C±3°C  
項目  
記号  
IDSS  
条件  
最小 標準  
最大  
単位  
µA  
µA  
V
ドレイース遮断電流  
ゲーース漏れ電流  
ドレイース降伏電圧  
ゲートしきい値電圧  
ドレイース間オン抵抗  
順方向伝達アドミタンス  
ダイオード順電圧  
VDS=160 V, VGS=0  
VGS20 V, VDS=0  
ID=1 mA, VGS=0  
10  
IGSS  
±10  
VDSS  
Vth  
200  
2.0  
1.2  
VDS=25 V, ID=1 mA  
VGS=10 V, ID=1.25 A  
VDS=25 V, ID=1.25 A  
IDR=2.5 A, VGS=0  
4.0  
1.7  
V
RDS(ON)  
Yfs  
0.7  
1.3  
S
VDSF  
Ciss  
1.4  
V
入力容量(ソース接地)  
出力容量(ソース接地)  
帰還容量(ソース接地)  
ターンオン(遅延)時間  
上昇時間  
VDS=20 V, VGS=0, f=1 MHz  
170  
25  
pF  
Coss  
Crss  
15  
td(ON)  
tr  
td(OFF)  
tf  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
VDD=100 V, ID=1 A  
RL=100 , VGS=10 V  
18  
ns  
35  
ターンオフ(遅延)時間  
下降時間  
200  
60  
チャネース間熱抵抗  
チャネ気間熱抵抗  
12.5  
125  
°C/W  
°C/W  
1
2SK3277  
パワー F-MOS FET  
安全動作領域 順バイアス ASO  
PD  
Ta  
100  
10  
15  
Non repetitive pulse  
TC=25°C  
(1) TC=Ta  
(2) Without heat sink  
t=100 µs  
IDP  
ID  
10  
DC  
(1)  
1
1 ms  
5
10 ms  
100 ms  
0.1  
0.01  
(2)  
0
1
10  
100  
1 000  
0
25  
50  
)
周囲温度 Ta °C  
75  
100 125 150  
ドレイン・ソース電圧 VDS (V)  
(
2
本資料に記載の技術情報および半導体のご使用にあたってのお願いと注意事項  
(1) 本資料に記載の製および技術で「外国為替及び外国貿易法該当するものを輸出する時ま  
たは外に持ち出す時は本政府の許可が必です。  
(2) 本資料に記載の技術情報は製の代表特性および応用回路例などを示したものであり業所有  
権等の保証または実施権の許諾を意味するものではありません。  
一般電子機器(事務機器機器測機器電  
(3) 本資料に記載されている製品  
準用途  
など)に使用されることを意図しております。  
特別な品  
信  
頼性が要  
求されの故障や誤動作が直接人命を脅かしたり体に危害を及ぼす  
特定用途(宙用通機器焼機器命維持装置全装置など)に  
ご使用をお考えのお様および当社が意図した標準用途以外にご使用をお考えのお様は前  
弊社営業窓口までご相談願います。  
恐れのある用途  
(4) 本資料に掲載しております製品  
りますのでご了承くださいたがって終的な設計購入使用に際しましてはに最新  
の製規格書または仕様書をお求め願い確認ください。  
および製仕様は良などのために予告なく変更する場合があ  
(5) 設計に際してに最大定格作電源電圧範囲熱特性については保証範囲内でご使用いただ  
きますようお願い致します証値を超えてご使用された場合の後に発生した機器の欠陥につ  
いては弊社として責  
また証値内のご使用であっても社製の動作が因でご使用機器が各種法令に抵触しな  
いような冗長設計をお願いします。  
任を負いません。  
(6) 防湿包装を必とする製につきましては々の仕様書取り交わしの折り決めた条件 (保存  
期間封後の放置時間など)を守ってご使用ください。  
(7) 本資料の一部または全部を弊社の文書による承諾なしに載または複製することを堅くお断り  
いたします。  
本資料(データシート)ご利用に際しての注意事項  
A. 本資料は客  
記載されている販売可能な種および技術情報等は告なく常に更新しておりますので検討  
にあたってはめに弊社営業部門にお問い合わせの上新の情報を入手願います。  
様のご用途に応じた適切な松下半導体製を購入いただくためのご紹介資料です。  
B. 本資料は正確を期し制作したものですが載ミス等の可能性がありますたがって弊  
社は資料中の記述誤り等から生じる損害には任を負わないものとさせて頂きます。  
C. 本資料は様ご自身でのご利用を意図しておりますたがって社の文書による許可なく、  
インターネットや他のあらゆる手段によって複製売および第三者に提供するなどの行為を禁止  
いたします。  
2001 MAR  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形FET ] 3 页

ETC

2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 40uA的我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

2SK0198(2SK198) 2SK0198 ( 2SK198 ) - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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