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2SK2484

型号：

2SK2484

描述：

低通态电阻： RDS （ ON） = 2.8最大值（ VGS = 10V ， ID = 3.0A ）高雪崩性能等级。[ Low On-state Resistance:RDS(on)=2.8 max.(VGS=10V,ID=3.0A) High Avalanche Capability Ratings ]

品牌：

TYSEMI[ TY Semiconductor Co., Ltd ]

页数：

2 页

PDF大小：

299 K

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TT  
                                           
rr  
                                            
Maa  
                                             
nn  
                                              
Oss  
                                               
Sii  
                                                
ss  
                                                
Ftt  
                                                 
II  
                                                  
oEo  
                                                  
CC  
                                                  
rr  
                                                   
Tss  
                                                   
Product specification  
2SK2484  
TO-263  
Unit: mm  
+0.2  
4.57  
-0.2  
Features  
+0.1  
1.27  
-0.1  
Low On-state Resistance:RDS(on)=2.8 max.(VGS=10V,ID=3.0A)  
Low Ciss Ciss=1200pF TYP  
High Avalanche Capability Ratings  
+0.1  
1.27  
-0.1  
0.1max  
+0.1  
0.81  
-0.1  
2.54  
1 Gate  
+0.2  
2.54  
-0.2  
+0.1  
5.08  
-0.1  
+0.2  
0.4  
-0.2  
2 Drain  
3 Source  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Symbol  
VDSS  
Rating  
900  
30  
Unit  
V
Gate to Source Voltage  
VGSS  
V
Drain Current(DC)  
ID(DS)  
A
5
Drain Current(pulse) *1  
ID(pulse)  
A
10  
1.5  
75  
Total Power Dissipation Ta = 25  
Total Power Dissipation TC = 25  
Channel Temperature  
PT  
W
Tch  
Tstg  
IAS  
150  
Storage temperature  
-55 to +150  
Single Avalanche Current *2  
Single Avalanche Energy *2  
*1. PW 10ìs,Dduty cycle 1%.  
*2.Starting Tch=25 ,RG=25Ù,VGS=20V  
5
A
EAS  
75  
mJ  
0
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
1of 2  
4008-318-123  
TT  
                                           
rr  
                                            
Maa  
                                             
nn  
                                              
Oss  
                                               
Sii  
                                                
ss  
                                                
Ftt  
                                                 
II  
                                                  
oEo  
                                                  
CC  
                                                  
rr  
                                                   
Tss  
                                                   
Product specification  
2SK2484  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Drain to Source On-state Resistance  
Gate Cut-off Voltage  
Forward Transfer Admittance  
Drain Cut-off Current  
Gate Leakage Current  
Input Capacitance  
Symbol  
Testconditons  
Min  
Typ  
2.2  
Max  
2.8  
Unit  
Ù
RDS(on) VGS = 10 V, ID = 3.0 A  
VGS(off) VDS = 10 V, ID = 1 mA  
2.5  
2.0  
3.5  
V
VDS = 20 V, ID = 3.0 A  
VDS = VDSS, VGS = 0  
VGS = 30 V, VDS = 0  
VDS = 10 V  
S
Yfs  
IDSS  
IGSS  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
100  
ìA  
nA  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
100  
1200  
170  
30  
Output Capacitance  
Feedback Capacitance  
Turn-on Delay Time  
Rise Time  
VGS = 0  
f = 1 MHz  
ID = 3.0 A  
20  
VGS = 10 V  
10  
Turn-off Delay Time  
Fall Time  
td(off)  
tf  
VDD = 150 V  
RG = 10 Ù  
70  
15  
Total Gate Charge  
Qg  
ID = 5.0 A  
40  
nC  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
Qgs  
Qgd  
VDD = 450 V  
VGS = 10 V  
7
17  
Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
VF(S-D) IF = 5.0 A, VGS = 0  
1.0  
670  
3.5  
V
trr  
IF = 5.0 A, VGS = 0  
di/dt = 50 A/ ìs  
ns  
ìC  
Qrr  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
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4008-318-123  
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