请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

2SK3541SGP

型号：

2SK3541SGP

品牌：

CHENMKO[ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]

页数：

4 页

PDF大小：

207 K

下载PDF手册
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD  
2SK3541PT  
SURFACE MOUNT  
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
VOLTAGE 30 Volts CURRENT 100 mAmpere  
APPLICATION  
* Interfacing, switching (30V, 100mA)  
FEATURE  
SOT-723  
* Small surface mounting type. (SOT-723)  
* Low on-resistance  
* Fast switching speed  
* Easily designed drive circuits  
* Easy to parallel  
0.22  
(02).4  
(3)  
1.2  
0.8  
0.4  
(1)  
0.32  
CONSTRUCTION  
0.22  
0.8  
Silicon N-Channel MOSFET  
0.5  
0.13  
0.5±0.5  
0.15Max.  
D
3
CIRCUIT  
G
1
SOT-723  
Dimensions in millimeters  
S 2  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
2SK3541PT  
Symbol  
Parameter  
Units  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage - Continuous  
30  
V
VGSS  
±20  
V
mA  
mA  
mA  
mA  
100  
400  
100  
400  
ID  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed (Note1)  
Reverse Drain Current - Continuous  
- Pulsed (Note1)  
IDR  
PD  
Power Dissipation (Note2)  
150  
mW  
TJ  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
150  
°C  
TSTG  
-55 to 150  
°C  
Note:  
2004-06  
1. Pw < 10uA , Duty cycle < 1%  
2. With each pin mounted on the recommended land  
RATING CHARACTERISTIC CURVES ( 2SK3541PT )  
Electrical Characteristics TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
BVDSS  
IDSS  
Drain-Source Breakdown Voltage VGS = 0 V, ID = 10µA  
30  
V
Zero Gate Voltage Drain Current VDS = 30 V, VGS = 0 V  
1
0.5  
1
µA  
mA  
µA  
µA  
TC=125°C  
IGSSF  
IGSSR  
Gate - Body Leakage, Forward  
Gate - Body Leakage, Reverse  
VGS = 20 V, VDS = 0 V  
VGS = -20 V, VDS = 0 V  
-1  
ON CHARACTERISTICS  
VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
VDS = 3V, ID = 100 µA  
Static Drain-Source On-Resistance VGS = 4.0 V, ID = 10 mA  
VGS = 2.5 V, ID = 1.0 mA  
0.8  
1.5  
8.0  
13  
V
RDS(ON)  
5.0  
Ω
7.0  
gFS  
Forward Transconductance  
VDS = 3.0 V, ID = 10 mA  
20  
mS  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
pF  
Ciss  
Coss  
Crss  
ton  
Input Capacitance  
VDS = 5.0 V, VGS = 0 V,  
f = 1.0 MHz  
13  
9
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time  
4
VDD = 5.0 V, RL = 500  
ID = 10 mA, VGS = 5.0 V,  
RGEN = 10  
Ω,  
15  
nS  
nS  
tr  
35  
80  
80  
Ω
toff  
tf  
Turn-Off Time  
VDD = 5.0 V, RL = 500  
ID = 10 mA, VGS = 5.0 V,  
RGEN = 10  
Ω,  
Ω
RATING CHARACTERISTIC CURVES ( 2SK3541PT )  
Typical Electrical Characteristics  
FIG. 1 TYPICAL TRANSFER CHARACTERISTICS  
FIG. 2 REVERSE DRAIN CURRENT V.S  
SOURCE-DRAIN VOLTAGE  
200m  
100m  
200m  
ꢀ
V
DS=3V  
V
GS=0V  
Pulsed  
Pulsed  
100m  
50m  
50m  
20m  
10m  
5m  
20m  
Ta=125°C  
10m  
5m  
75°C  
25°C  
−25°C  
2m  
1m  
2m  
1m  
Ta=125°C  
75°C  
25°C  
−25°C  
0.5m  
0.5m  
0.2m  
0.1m  
0.2m  
0.1m  
3
0
1
2
4
0
0.5  
1
1.5  
GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)  
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)  
FIG. 3 GATE THRESHOLD VOLTAGE V.S  
FIG. 4 FROWARD TRANSFER ADMITTANCE V.S  
CHANNEL TEMPERATURE  
DRAIN CURRENT  
2
1.5  
1
0.5  
ꢀ
ꢀ
V
DS=3V  
V
DS=3V  
I
D
=0.1mA  
Pulsed  
0.2  
Pulsed  
Ta=−25°C  
25°C  
0.1  
75°C  
0.05  
125°C  
0.02  
0.01  
0.005  
0.5  
0
0.002  
0.001  
0.0001 0.0002  
0.0005 0.001  
0.002  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
−50 −25  
0
25  
50  
75 100 125 150  
DRAIN CURRENT : ID (A)  
CHANNEL TEMPERATURE : Tch (°C)  
RATING CHARACTERISTIC CURVES ( 2SK3541PT )  
Typical Electrical Characteristics (continued)  
FIG. 5 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE  
RESISTANCE V.S DRAIN CURRENT  
FIG. 6 STATIC DRAIN-SOURCE ON-STATE  
RESISTANCE V.S DRAIN CURRENT  
50  
50  
V
GS=4V  
V
GS=2.5V  
Pulsed  
Pulsed  
Ta=125°C  
75°C  
Ta=125°C  
75°C  
20  
10  
5
20  
10  
5
25°C  
−25°C  
25°C  
−25°C  
2
2
1
1
0.5  
0.001 0.002  
0.5  
0.001 0.002  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
0.005  
0.01  
0.02  
0.05  
0.1  
0.2  
0.5  
DRAIN CURRENT : ID (A)  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于壹壹捌

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：sales@ic118.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

壹壹捌官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.170279s