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2SK2795DXUL

型号：

2SK2795DXUL

品牌：

HITACHI[ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

页数：

6 页

PDF大小：

43 K

下载PDF手册
2SK2795  
Silicon N Channel MOS FET  
UHF Power Amplifier  
ADE-208-466 A (Z)  
2nd. Edition  
November. 1996  
Features  
•
•
High power output, High gain, High effeciency  
PG = 11dB, Pout = 24dBm, ηD = 40 %min. (f = 836.5MHz)  
Compact package capable of surface mounting  
Outline  
UPAK  
1
2
3
4
1. Gate  
2. Source  
3. Drain  
4. Source  
This Device is sensitive to Electro Static Discharge.  
An Adequate handling procedure is requested.  
2SK2795  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
V
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current  
10  
±6  
V
0.17  
A
Drain peak current  
Channel dissipation  
Channel temperature  
Storage temperature  
ID(pulse)*1  
Pch*2  
Tch  
0.3  
A
1
W
°C  
°C  
150  
Tstg  
–45 to +150  
Note: 1. PW ≤ 10ms, duty cycle ≤ 50 %  
2. Value at Tc = 25°C  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Test Conditions  
Zero gate voltege drain  
current  
IDSS  
—
—
10  
µA  
VDS = 10 V, VGS = 0  
Gate to source leak current IGSS  
—
—
±5.0  
1.0  
—
µA  
V
VGS = ±6V, VDS = 0  
ID = 1mA, VDS = 5V  
VGS = 2V, VDS = 0  
f = 1MHz  
Gate to source cutoff voltage VGS(off) 0.3  
—
Input capacitance  
Output capacitance  
Output Power  
Ciss  
Coss  
Pout  
—
—
24  
9.5  
pF  
4.5  
—
—
—
pF  
VDS = 5, VGS = o  
f = 1MHz  
dBm  
VDS = 4.7V  
f =836.5MHz  
Pin = 13dBm  
Drain Rational  
ηD  
40  
—
—
%
VDS = 4.7V  
f =836.5MHz  
Pin = 13dBm  
Note: 3. Marking is “ DX “.  
2SK2795  
Main Characteristics  
Maximum Channel Power  
Dissipation Curve  
Typical Output Characteristics  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
6 V  
5 V  
4.5 V  
4 V  
3 V  
1.5 V  
V
= 1 V  
Pulse Test  
GS  
0
0
50  
100  
150  
200  
2
3
4
5
6
1
Drain to Source Voltage V  
(V)  
Case Temperature Tc (°C)  
DS  
Forward Transfer Admittance  
vs. Drain Current  
Typical Transfer Characteristics  
= 5 V  
1
0.20  
0.16  
0.12  
0.08  
0.04  
V
DS  
Pulse Test  
0.5  
25°C  
Tc = –25°C  
0.2  
0.1  
Tc = –25°C  
75°C  
75°C  
0.05  
25°C  
0.02  
0.01  
V
= 5 V  
DS  
Pulse Test  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
GS  
2.0  
0.001 0.003 0.01 0.3  
0.1  
0.3  
1
Gate to Source Voltage  
V
(V)  
Drain Current I (A)  
D
2SK2795  
Drain to Source Saturation Voltage  
vs. Drain Current  
Gate to Source Cutoff Voltage vs.  
Ambient Temperature  
10  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
3
1
25°C  
75°C  
0.3  
0.1  
Tc = –25°C  
0.2  
0
0.03  
V
= 6 V  
DS  
Pulse Test  
V
= 5 V  
DS  
0.01  
1
–25  
30  
Drain Current  
0
25  
50  
75 100 125  
3
10  
100 300 1000  
Ambient Temperature Ta (°C)  
I
(mA)  
D
Input Capacitance vs.  
Gate to Source Voltage  
Output Capacitance vs.  
Drain to Source Voltage  
10  
9
100  
50  
V
= 0  
GS  
f = 1 MHz  
20  
10  
8
5
7
V
= 0  
2
1
DS  
f = 1 MHz  
6
–6  
–2  
0
2
4
6
0.1 0.2  
0.5  
1
2
5
10  
–4  
Gate to Source Voltage  
V
GS  
(V)  
Drain to Source  
V
(V)  
DS  
2SK2795  
Output Power, Drain Rational  
Reverse Transfer Capacitance vs.  
Gate to Source Votage  
vs. Input Power  
100  
50  
100  
80  
500  
400  
300  
200  
100  
V
= 0  
GS  
f = 1 MHz  
Po  
η
20  
10  
D
60  
40  
5
V
= 4.7 V  
= 50 mA  
DS  
20  
0
I
DO  
f = 836.5MHz  
2
1
0.1 0.2  
0.5  
1
2
5
(V)  
10  
0
10  
20  
30  
40  
50  
Gate to Source Voltege  
V
Input power Pin (mW)  
GS  
2SK2795  
Package Dimensions  
Unit: mm  
4.5 ± 0.1  
1.8 max  
1.5 ± 0.1  
0.44 max  
4
φ
1.0  
0.53 max  
0.48 max  
1
2
3
0.44 max  
1.5  
1.5  
3.0  
UPAK  
SC–62  
—
Hitachi Code  
EIAJ  
JEDEC  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

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ETC

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ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

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 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

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 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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