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2SK3234

型号:

2SK3234

品牌:

HITACHI[ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

页数:

9 页

PDF大小:

134 K

2SK3234  
シリコン N チャネル MOS FET  
高速度電力スイッチング  
ADJ-208-696F (Z)  
7 版  
2002.01  
特長  
低オン抵抗:RDS(on) =0.65typ.  
ドレイン遮断電流が低い:IDSS=1µA max (at VDS=500V)  
スイッチング速度が速い:tf=25ns typ (at VGS=10V, VDD=250V, ID=4A)  
入力ダイナミック容量(Qg)が低い:Qg=25nC typ (VDD=400V, VGS=10V, ID=8A)  
アバランシェ保証  
外観図  
TO-220CFM  
D
G
1
2
3
1.
࠻࡯
 
2. 
࡟࠼
 
3. 
࡯࠰
ࠬ  
S
2SK3234  
絶対最大定格  
(Ta=25)  
単位  
項目  
記号  
VDSS  
定格値  
ドレイン · ソース電圧  
ゲート · ソース電圧  
ドレイン電流  
500  
V
V
VGSS  
±30  
ID  
8
A
1
せん頭ドレイン電流  
逆ドレイン電流  
ID (pulse)  
IDR  
32  
A
8
A
1
せん頭逆ドレイン電流  
アバランシェ電流  
許容チャネル損失  
チャネル・ケース間熱抵抗  
チャネル温度  
IDR (pulse)  
32  
A
3
IAP  
8
35  
A
2
Pch  
W
/W  
θch-c  
Tch  
3.57  
150  
保存温度  
Tstg  
–55+150  
注) 1. PW10µs, duty cycle1%での許容値  
2. Tc = 25℃における許容値  
3. Tch150℃  
電気的特性  
(Ta=25)  
項目  
ドレイン · ソース破壊電圧  
ドレイン遮断電流  
ゲート遮断電流  
記号  
V(BR)DSS  
IDSS  
Min  
500  
Typ  
Max  
単位  
測定条件  
V
ID = 10mA, VGS = 0  
1
µA VDS = 500V, VGS = 0  
µA VGS = ±30V, VDS = 0  
IGSS  
±0.1  
4.0  
ゲート · ソース遮断電圧  
順伝達アドミタンス  
ドレイン · ソースオン抵抗  
入力容量  
VGS(off)  
|yfs|  
3.0  
4.0  
V
S
VDS = 10V, ID = 1mA  
4
7.0  
0.65  
970  
110  
18  
ID = 4A, VDS = 10V  
4
RDS(on)  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
0.85  
ID = 4A, VGS= 10V  
pF VDS = 25V  
pF VGS = 0  
出力容量  
帰還容量  
pF f = 1MHz  
ターン · オン遅延時間  
上昇時間  
25  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
VDD = 250V, ID= 4A  
21  
VGS = 10V  
RL = 62.5Ω  
Rg=10 Ω  
ターン · オフ遅延時間  
下降時間  
td(off)  
tf  
80  
25  
ゲートチャージ量  
ゲート・ソースチャージ量  
ゲート・ドレインチャージ量  
ダイオード順電圧  
逆回復時間  
Qg  
25  
VDD = 400V  
Qgs  
Qgd  
VDF  
4
nC VGS = 10V  
nC ID = 8A  
11  
0.9  
360  
1.7  
1.35  
V
IF = 8A, VGS = 0  
IF = 8A, VGS = 0  
trr  
ns  
逆回復電荷量  
Qrr  
µC diF/dt=100A/µs  
注) 4. パルス測定  
2
2SK3234  
主特性  
⸵ኈ
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៊ᄬ
ߩ
 
᷷ࠬᐲ
ࠆࠃߦ
ᄌൻ  
቟ోേ૞㗔ၞ  
100  
40  
30  
20  
10  
10 µs  
30  
10  
DC Operation (Tc = 25  
3
1
0.3  
ߎ
ߩ
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ߩ
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ߪ
 
R 
ߩ
ߡߞࠃߦ
 
DS(on)  
೙㒢
ࠇߐ
߹
ߔ
 
°
C
)
0.1  
0.03  
0.01  
Ta = 25°C  
0
30  
࡯࠰࡮ࡦ
ࠬ㔚࿶  
300  
50  
100  
150  
200  
1
3
10  
100  
1000  
V
(V)  
᷷ࠬᐲ Tc (°C)  
DS  
ࠬធ࿾಴ജ㕒․ᕈ  
ࠬធ࿾વ㆐㕒․ᕈ  
10  
8
10  
8
10 V  
6 V  
᷹ࠬቯ  
V
= 10 V  
DS  
᷹ࠬቯ  
5.5 V  
Tc = 75°C  
6
6
5 V  
4
4
25°C  
2
2
4.5 V  
= 4V  
-25°C  
V
GS  
0
0
2
4
6
8
10  
10  
20  
30  
࡯࠰࡮ࡦ
ࠬ㔚࿶  
40  
50  
V
(V)  
࡯࠰࡮࠻࡯
ࠬ㔚࿶  
V
GS  
(V)  
DS  
3
2SK3234  
࡯࠰࡮ࡦ
ࠬ㘻๺㔚࿶ኻ  
࡯࠰࡮࠻࡯
ࠬ㔚࿶․ᕈ  
࡯࠰࡮ࡦ
ࠬࠝ
ᛶ᛫ኻ  
㔚ᵹ․ᕈ  
5
20  
16  
12  
8
᷹ࠬቯ  
᷹ࠬቯ  
V
GS  
= 10 V, 15 V  
2
1
0.5  
I
= 8 A  
D
5 A  
2 A  
4
0.2  
0.1  
0
6
20 50  
2
4
8
10  
1
2
10  
5
0.1 0.2 0.5  
㔚ᵹ  
I
(A)  
࡯࠰࡮࠻࡯
ࠬ㔚࿶  
V
(V)  
GS  
D
࡯࠰࡮ࡦ
ࠬࠝ
ᛶ᛫ኻ  
᷷ࠬᐲ․ᕈ  
㗅વ㆐
ࡦ࠲ࡒ࠼ࠕ
ࠬኻ  
㔚ᵹ․ᕈ  
50  
5
4
3
2
᷹ࠬቯ  
= 10 V  
20  
10  
5
V
Tc = -25°C  
GS  
75°C  
25°C  
2
1
I
= 8 A  
D
0.5  
1
0
5 A  
0.2  
0.1  
V
= 10 V  
DS  
2 A  
80  
᷹ࠬቯ  
0.2 0.5  
1
2
5
10 20  
-40  
0
40  
120  
160  
0.1  
50  
᷷ࠬᐲ Tc (°C)  
㔚ᵹ I (A)  
D
4
2SK3234  
࡟࠼࡮
㑆  
ࠗࠝ
࠼࡯
ㅒᣇะ࿁ᓳᤨ㑆  
ኈ㊂ኻ
࡟࠼
࡯࠰࡮ࡦ
ࠬ㔚࿶․ᕈ  
= 0  
5000  
1000  
500  
V
GS  
2000  
1000  
500  
f = 1 MHz  
Ciss  
200  
200  
100  
50  
100  
50  
Coss  
Crss  
20  
10  
5
20  
10  
di / dt = 100 A / µs  
V
= 0, Ta = 25°C  
GS  
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
100  
0
50  
100  
150  
200  
DS  
250  
࡟࠼
㔚ᵹ  
I
(A)  
DR  
࡯࠰࡮ࡦ
ࠬ㔚࿶ V  
(V)  
౉ജ
࠶ࡒ࠽
ࠢ․ᕈ  
I = 8 A  
GS  
ࠬࠗ
ࡦ࠴࠶
ࠣ․ᕈ  
1000  
500  
1000  
800  
600  
400  
200  
20  
V
= 10 V, V  
GS  
= 250 V  
DD  
D
V
PW = 10 µs, duty < 1 %  
R =10 Ω  
16  
12  
8
G
200  
100  
50  
t
d(off)  
V
= 100 V  
250 V  
400 V  
DD  
V
DS  
t
f
t
d(on)  
4
0
V
= 400 V  
250 V  
100 V  
DD  
20  
10  
t
r
0
10  
20  
30  
40  
50  
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
100  
㔚ᵹ  
I
(A)  
D
࡯ࡖ࠴࠻࡯
ࠫ㔚⩄㊂ Qg (nC)  
5
2SK3234  
࡯࠰࡮࠻࡯
ࠬㆤᢿ㔚࿶ኻ  
᷷ࠬᐲ․ᕈ  
࡟࠼
㔚ᵹኻ  
࡟࠼࡮
㔚࿶․ᕈ  
5
4
3
2
10  
8
V
= 10 V  
DS  
I = 10mA  
D
5, 10 V  
1mA  
6
V
= 0 V  
GS  
0.1mA  
4
1
0
2
᷹ࠬቯ  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
SD  
2.0  
-50  
0
50  
100  
150  
200  
᷷ࠬᐲ
ޓ
Tc (°C)  
࡟࠼࡮
㔚࿶  
V
(V)  
ࠬࠗ
ࡦ࠴࠶
ࠣᤨ㑆᷹ቯ࿁〝  
Vin Monitor  
ࠬࠗ
ࡦ࠴࠶
ࠣᵄᒻ  
Vout  
Monitor  
90%  
D.U.T.  
R
L
10%  
10%  
Vin  
10Ω  
Vin  
10 V  
V
DD  
= 250 V  
Vout  
10%  
90%  
90%  
td(off)  
td(on)  
t
f
tr  
6
2SK3234  
ⷙᩰൻㆊᷰᾲᛶ᛫․ᕈ  
3
1
Tc = 25°C  
D = 1  
0.5  
0.3  
0.1  
0.03  
0.01  
θ
γ
θ
ch - c(t) = s (t) ch - c  
θ
ch - c = 3.57°C/W, Tc = 25°C  
PW  
T
P
DM  
D =  
0.003  
0.001  
PW  
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
ࠬ᏷
ޓ
PW (S)  
100 m  
1
10  
7
2SK3234  
外形寸法図  
As of July, 2001  
Unit: mm  
4.5 ± 0.3  
2.7 ± 0.2  
10.0 ± 0.3  
φ 3.2 ± 0.2  
1.0 ± 0.2  
1.15 ± 0.2  
2.5 ± 0.2  
0.6 ± 0.1  
2.54  
2.54  
0.7 ± 0.1  
Hitachi Code  
JEDEC  
TO-220CFM  
JEITA  
Mass (reference value)  
1.9 g  
8
2SK3234  
ご注意  
1. 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・技  
術に該当するものを輸出する場合,または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。  
2. 本書に記載された情報の使用に際して,弊社もしくは第三者の特許権,著作権,商標権,その他の知的  
所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載された情  
報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合,弊社はその責を負いま  
せんので予めご了承ください。  
3. 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので,最終的な設計,ご購入,ご使用に際しまし  
ては,事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。  
4. 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが,宇宙,航空,原子力,燃焼制御,運輸,交通,各種安  
全装置, ライフサポート関連の医療機器等のように,特別な品質・信頼性が要求され,その故障や誤  
動作が直接人命を脅かしたり,人体に危害を及ぼす恐れのある用途にご使用をお考えのお客様は,事前  
に弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。  
5. 設計に際しては,特に最大定格,動作電源電圧範囲,放熱特性,実装条件及びその他諸条件につきまし  
ては,弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。  
保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては,弊社はその責を負いません。  
また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率,故障モードをご考慮  
の上,弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故,火災事故,その他の拡大損害を生じないように  
フェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。  
6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。  
7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致しま  
す。  
8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ,ご相談は弊社営業担当迄お願い致します。  
お問い合わせ先  
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ࡊ࡯࡞
 
ޥ
100-0004ꢀ᧲੩ㇺජઍ↰඙ᄢᚻ↸ੑৼ⋡62ภ㧔ᣣᧄ
࡞ࡆ
㧕ꢁꢂꢃꢄꢀꢃꢅꢆꢂꢇꢅꢈꢈꢈ(ᄢઍ)  
(0559) 51-3530 ()  
(011) 261-3131 ()  
(022) 223-0121 ()  
(03) 3212-1111 ()  
(025) 241-8161 ()  
(029) 271-9411 ()  
(0263) 36-6632  
࡞ࡗ
 
(076)263-2351 (
ޓ
 
)
 
(052) 243-3111 (ᄢઍ)  
(06) 6616-1111 (ᄢઍ)  
(082) 223-4111 ()  
(087) 831-2111 ()  
(089) 943-1333 ()  
(092) 852-1111 ()  
ඨዉ૕㩂㩨㩣㨺㩖㩩᧻ᧄ༡ᬺᚲ  
ᵿ
(045) 451-5000 ()  
(0462) 96-6800 ()  
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ޓ
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ޓ
 
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⓹ญ
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㧦ඨዉ૕ࠞࠬ
ࡆ࡯ࠨࡑ࠲
ޓ࠲ࡦ࠮
E-Mail:csc@sic.hitachi.co.jp  
㔚⹤ꢀ(03) 5201-5220()  
࠻ࡦࡔࡘ
⺧᳞⓹ญ㧦ඨዉ૕
࠻ࡦࡔࡘ
▤ℂቶ
ޓޓޓ
E-Mail:document@sic.hitachi.co.jp 㔚⹤ꢀ(03) 5201-5189()
ޓ
 
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ߗޕߔ
߭
ߏ
ޕ޿ߐߛߊ
 
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Colophon 4.0  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形FET ] 3 页

ETC

2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 40uA的我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

2SK0198(2SK198) 2SK0198 ( 2SK198 ) - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PDF索引:

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