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2SK3730-01MR

型号：

2SK3730-01MR

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

6 页

PDF大小：

540 K

下载PDF手册
■Features  
■Outline Drawings [mm]  
■Equivalent circuit schematic  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breakdown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Drain (D)  
■Applications  
Gate (G)  
Source (S)  
Switching regulators  
DC-DC converters  
General purpose power amplifier  
■Absolute Maximum Ratings at Tc=25℃(unless otherwise specified)  
Description  
Symbol  
VDS  
VDSX  
ID  
Characteristics  
Unit  
V
Remarks  
VGS=-20V  
75  
40  
Drain-Source Voltage  
V
Continuous Drain Current  
±70  
±280  
±20  
70  
A
Pulsed Drain Current  
IDP  
A
Gate-Source Voltage  
VGS  
IAS  
V
Non-Repetitive Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive Maximum Avalanche Energy  
Maximum Power Dissipation  
A
Note*1  
Note*2  
EAS  
251  
mJ  
℃
℃
70  
Tch  
150  
Operating and Storage Temperature range  
Tstg  
-55 to +150  
Note*1 : Tch≦150℃,See Fig.1 and Fig.2  
Note*2 : Starting Tch=25℃,L=48μH,VCC=48V,RG=50Ω,See Fig.1 and Fig.2  
EAS limited by maximum channel temperature and avalanche current.  
See to Avalanche Energy graph of page 4  
■Electrical Characteristics at Tc=25℃(unless otherwise specified)  
Static Ratings  
Description  
Symbol  
BVDSS  
Conditions  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
VGS=0V  
75  
40  
－
－
Drain-Source Breakdown Voltage  
ID=1mA  
BVDSX  
V
V
－
－
VGS=-20V  
ID=10mA  
VDS= VGS  
Gate Threshold Voltage  
VGS(th)  
2.5  
3.0  
3.5  
Tch=25℃  
1
100  
500  
－
－
VDS= 75V  
VGS=0V  
Zero Gate Voltage Drain current  
IDSS  
μA  
Tch=125℃  
10  
VGS= ±20V  
Gate-Source Leakage current  
IGSS  
10  
100  
7.9  
nA  
－
－
VDS= 0V  
ID=35A  
Drain-Source On-State Resistance  
RDS(on)  
6.4  
mΩ  
VGS=10V  
Dynamic Ratings  
Description  
Symbol  
gfS  
Conditions  
Min.  
10  
Typ.  
80  
Max.  
Unit  
S
ID=35A  
Forward Transconductance  
－
VDS=10V  
Input Capacitance  
CiSS  
CoSS  
CrSS  
td(on)  
tr  
7800  
1050  
550  
50  
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
－
VDS=25V  
VGS=0V  
f=1MHz  
Output Capacitance  
pF  
ns  
nC  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time  
Turn-Off Time  
VCC=38V, VGS=10V  
ID=70A, RG=10Ω  
140  
150  
170  
140  
td(off)  
tf  
See Fig.3 and Fig.4  
Total Gate Charge  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
QG  
VDD=38V, ID=70A  
VGS=10V  
QGD  
See Fig.5  
45  
Reverse Ratings  
Description  
Symbol  
IAV  
Conditions  
Min.  
70  
Typ.  
Max.  
Unit  
A
L=48μH, Tch=25℃  
Avalanche Capability  
－
－
See Fig.1 and Fig.2  
IF=70A, VGS=0V  
Diode Forward On- Voltage  
VSD  
1.3  
1.65  
V
－
Tch=25℃  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
trr  
IF=70A, VGS=0V  
-di/dt=100A/μs  
Tch=25℃  
95  
ns  
－
－
－
－
Qrr  
0.3  
μC  
■Thermal Characteristics  
Description  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Min.  
－
Typ.  
－
Max.  
1.79  
62.5  
Unit  
℃/W  
℃/W  
Cannel to Case  
Cannel to Ambient  
－
－
FUJI POWER MOSFET  
2SK3730-01MR  
Typical output characteristics  
ID=f(VDS):80μs pulse test,Tc=25℃  
Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
140  
120  
100  
80  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
VGS=20V  
10V 6.5V  
5.5V  
5V  
60  
4.5V  
40  
4V  
20  
3.5V  
0
0
25  
50  
75  
Tc [℃]  
100  
125  
150  
0.0  
0.5  
1.0  
VDS [V]  
1.5  
2.0  
2.5  
Typical forward transconductance  
gfs=f(ID):80μs pulse test,VDS=10V,Tch=25℃  
Typical transfer characteristics  
ID=f(VGS):80μs pulse test,VDS=10V,Tch=25℃  
100  
102  
10  
101  
1
100  
0.1  
100  
101  
102  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VGS [V]  
ID [A]  
Typical Drain-Source on-State Resistance  
RDS(on)=f(ID):80s pulse test,Tch=25℃  
Drain-source on-state resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=35A,VGS=10V  
50  
40  
30  
20  
10  
0
16  
14  
12  
10  
8
VGS=  
4.0V  
4.5V  
max.  
typ.  
5.0V  
6
4
5.5V  
6.5V  
10V  
20V  
2
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
ID [A]  
Tch [℃]  
3
FUJI POWER MOSFET  
2SK3730-01MR  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=10mA  
Typical capacitances  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
100n  
10n  
1n  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
Ciss  
Max.  
typ.  
Min.  
Coss  
Crss  
100p  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
VDS [V]  
Tch [℃]  
Maximum Avalanche energy vs. starting Tch  
Eas=f(starting Tch):Vcc=48V,IAV≦70A , single pulse  
Maximum Avalanche Current vs. starting Tch  
I(AV)=f(starting Tch) , single pulse  
275  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
250  
225  
200  
175  
150  
125  
100  
75  
50  
25  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Starting Tch [℃]  
Starting Tch [℃]  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
-ID=f(VSD):80μs pulse test,Tch=25℃  
80  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS=f(Qg):ID=70A,Tch=25℃  
25  
20  
15  
10  
5
70  
60  
50  
3.5V  
10V  
VGS=0V  
Vcc=15V  
38V  
40  
30  
20  
10  
60V  
0
0
50  
100  
150  
200  
250  
300  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
Qg [nC]  
VSD [V]  
4
FUJI POWER MOSFET  
2SK3730-01MR  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=38V,VGS=10V,RG=10Ω  
Drain-Sourse Breakdown Voltage vs. Vgs  
BVDSX=f(VGS):Tch=25℃  
100  
80  
60  
40  
20  
0
1000  
100  
10  
td(off)  
tf  
tr  
td(on)  
0.1  
1
10  
0
-10  
-20  
VGS [V]  
-30  
-40  
-50  
ID [A]  
Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
5
FUJI POWER MOSFET  
2SK3730-01MR  
6
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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