请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

2SK3418

型号：

2SK3418

品牌：

HITACHI[ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

页数：

9 页

PDF大小：

64 K

下载PDF手册
2SK3418  
シリコンN チャネルMOS FET  
高速度電力スイッチング  
ADJ-208-1030 (Z)  
第1 版  
2000. 07  
特長  
• 低オン抵抗  
RDS(on) = 4.3mΩ typ.  
• 低電圧駆動 (4V 駆動)  
• スイッチング速度が速い。  
外観図  
TO-220AB  
D
G
1. ゲート  
1
2
2. ドレイン  
ꢀ（フランジ）  
3. ソース  
3
S
2SK3418  
絶対最大定格  
(Ta=25℃)  
項目  
記号  
VDSS  
定格値  
60  
単位  
V
ドレイン · ソース電圧  
ゲート · ソース電圧  
ドレイン電流  
VGSS  
±20  
V
ID  
85  
A
注1  
せん頭ドレイン電流  
逆ドレイン電流  
ID (pulse)  
IDR  
340  
A
85  
A
注3  
アバランシェ電流  
アバランシェエネルギー  
許容チャネル損失  
チャネル温度  
IAP  
60  
A
注3  
EAR  
308  
mJ  
W
℃
℃
Pch 注2  
110  
Tch  
150  
保存温度  
Tstg  
–55～+150  
注） 1. PW≦10µs, duty cycle≦1%での許容値  
2. Tc = 25℃における許容値  
3. Tch = 25℃における許容値 Rg≧50 Ω  
電気的特性  
(Ta=25℃)  
項目  
ドレイン · ソース破壊電圧  
ドレイン遮断電流  
ゲート遮断電流  
記号  
V(BR)DSS  
IDSS  
Min  
60  
—
—
1.0  
55  
—
—
—
—
—
—
—
—
Typ  
―
Max  
—
単位  
V
測定条件  
ID = 10mA, VGS = 0  
VDS = 60V, VGS = 0  
VGS = ±20V, VDS = 0  
VDS = 10V, ID = 1mA 注1  
ID = 45A, VDS = 10V 注1  
ID = 45A, VGS= 10V 注1  
ID = 45A, VGS=4V 注1  
VDS = 10V  
―
10  
±0.1  
2.5  
—
µA  
µA  
V
IGSS  
―
ゲート · ソース遮断電圧  
順伝達アドミタンス  
ドレイン · ソースオン抵抗  
ドレイン · ソースオン抵抗  
入力容量  
VGS(off)  
|yfs|  
―
90  
S
RDS(on)  
RDS(on)  
Ciss  
Coss  
Crss  
Qg  
4.3  
6.0  
9770  
1340  
470  
180  
32  
5.5  
9.0  
―
mΩ  
mΩ  
pF  
pF  
pF  
nc  
出力容量  
―
VGS = 0  
逆伝達容量  
―
f = 1MHz  
トータルゲートチャージ量  
ゲート・ソースチャージ量  
ゲート・ドレイン（ミラー）  
チャージ量  
—
VDD = 50V  
Qgs  
—
nc  
VGS = 10V  
Qgd  
36  
—
nc  
ID = 85A  
ターン · オン遅延時間  
上昇時間  
td(on)  
tr  
—
—
—
—
—
—
53  
320  
700  
380  
1.0  
70  
―
—
―
—
—
—
ns  
ns  
ns  
ns  
V
VGS = 10V  
ID= 45A  
ターン · オフ遅延時間  
下降時間  
td(off)  
tf  
RL = 0.67Ω  
ダイオード順電圧  
逆回復時間  
VDF  
trr  
IF = 85A, VGS = 0  
IF = 85A, VGS = 0  
diF/dt = 50A/µs  
ns  
注)  
1. パルス測定  
2
2SK3418  
許容チャネル損失の  
ケース温度による変化  
安全動作領域  
160  
120  
80  
1000  
300  
100  
30  
10  
3
この範囲の動作は  
の値によって  
制限されます  
R
DS(on)  
1
40  
0.3  
0.1  
Ta = 25 ℃  
0
3
30  
50  
ケース温度 Tc (℃)  
100  
150  
200  
0.1 0.3  
1
10  
100  
(V)  
ドレイン・ソース電圧  
V
DS  
ソース接地出力静特性  
ソース接地伝達静特性  
100  
80  
60  
40  
20  
100  
80  
60  
40  
20  
V
= 10 V  
GS  
パルス測定  
V
= 10 V  
パルス測定  
DS  
5 V  
4 V  
3 V  
25 ℃  
75 ℃  
Tc = –25 ℃  
2.5 V  
6
0
0
1
2
3
4
5
2
4
8
10  
ドレイン・ソース電圧  
V
(V)  
DS  
ゲート・ソース電圧  
V
(V)  
GS  
3
2SK3418  
ドレイン・ソース飽和電圧対  
ゲート・ソース電圧特性  
ドレイン・ソースオン抵抗対  
ドレイン電流特性  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
100  
30  
パルス測定  
パルス測定  
10  
V
= 4 V  
GS  
3
1
10 V  
I
= 50 A  
D
20 A  
0.3  
0.1  
10 A  
4
12  
1000  
0
8
16  
20  
1
30  
ドレイン電流  
100 300  
I (A)  
D
10  
3
ゲート・ソース電圧  
V
(V)  
GS  
ドレイン・ソースオン抵抗対  
ケース温度特性  
順伝達アドミタンス対  
ドレイン電流特性  
500  
20  
16  
12  
8
V
= 10 V  
DS  
パルス測定  
200 パルス測定  
100  
50  
Tc = –25 ℃  
I
= 50 A  
D
20  
10  
5
10, 20 A  
25 ℃  
4 V  
75 ℃  
10, 20, 50 A  
2
1
4
0
V
GS  
= 10 V  
0.5  
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
100  
–50  
0
50  
100  
150  
200  
ドレイン電流 I (A)  
ケース温度 Tc (℃)  
D
4
2SK3418  
ソース・ドレイン間  
ダイオード逆方向回復時間  
容量対ドレイン・ソース電圧特性  
= 0  
30000  
10000  
1000  
500  
V
GS  
di / dt = 50 A / µs  
f = 1 MHz  
V
= 0, Ta = 25 ℃  
GS  
Ciss  
200  
100  
50  
3000  
1000  
Coss  
300  
100  
Crss  
20  
20  
10  
0.1 0.3  
1
3
10  
30  
100  
0
10  
30  
40  
50  
ドレイン・ソース電圧 V  
(V)  
逆ドレイン電流  
I
(A)  
DS  
DR  
入力ダイナミック特性  
= 85 A  
スイッチング特性  
1000  
500  
100  
80  
60  
40  
20  
20  
I
D
t
d(off)  
t
f
16  
12  
8
V
GS  
200  
100  
50  
V
DS  
= 50 V  
25 V  
t
r
10 V  
V
DS  
t
d(on)  
4
0
V
= 50 V  
25 V  
DS  
20  
10  
V
= 10 V, V  
= 30 V  
DD  
GS  
PW = 5 µs, duty < 1 %  
10 V  
0
80  
160  
240  
320  
400  
0.1 0.2 0.5 1 2  
ドレイン電流  
5 10 20 50 100  
(A)  
I
D
ゲートチャージ電荷量 Qg (nc)  
5
2SK3418  
逆ドレイン電流対  
ソース・ドレイン電圧特性  
アバランシェエネルギー対  
チャネル温度特性  
400  
320  
240  
160  
100  
80  
60  
40  
20  
I
V
= 60 A  
= 15 V  
AP  
10 V  
5 V  
DD  
duty < 0.1 %  
Ω
Rg > 50  
V
= 0, –5 V  
GS  
80  
0
パルス測定  
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
ソース・ドレイン電圧  
V
(V)  
チャネル温度ꢀTch (℃)  
SD  
アバランシェ測定回路  
アバランシェ動作波形  
V
DSS  
– V  
1
2
2
E
=
• L • I  
•
AP  
AR  
V
DSS  
DD  
L
V
DS  
Monitor  
I
AP  
Monitor  
V
(BR)DSS  
I
AP  
Rg  
V
V
DD  
D. U. T  
DS  
I
D
Vin  
15 V  
50Ω  
V
DD  
0
6
2SK3418  
規格化過渡熱抵抗特性  
3
1
Tc = 25 ℃  
D = 1  
0.5  
0.3  
0.1  
θ
θ
γ
θ
ch – c(t) = s (t) • ch – c  
ch – c = 1.14 ℃/W, Tc = 25 ℃  
PW  
T
P
DM  
D =  
0.03  
0.01  
PW  
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
パルス幅ꢀPW (S)  
100 m  
1
10  
スイッチング時間測定回路  
スイッチング波形  
Vout  
Monitor  
Vin Monitor  
D.U.T.  
90%  
R
L
10%  
10%  
Vin  
V
DD  
Vin  
Vout  
10%  
50Ω  
10 V  
= 30 V  
90%  
90%  
td(off)  
td(on)  
t
f
tr  
7
2SK3418  
外形寸法図  
単位：mm  
10.16±0.2  
9.5  
+ 0.1  
- 0.08  
4.44±0.2  
1.26±0.15  
φ 3.6  
8.0  
1.2±0.1  
1.27±0.1  
1.5 max  
0.5±0.1  
0.76 ±0.1  
2.7 max  
2.54 ±0.5  
2.54 ±0.5  
TO-220AB  
SC-46  
-
日立コ－ド  
EIAJコ－ド  
JEDECコ－ド  
8
2SK3418  
ご注意  
1. 本書に記載の製品及び技術のうち「外国為替及び外国貿易法」に基づき安全保障貿易管理関連貨物・技  
術に該当するものを輸出する場合，または国外に持ち出す場合は日本国政府の許可が必要です。  
2. 本書に記載された情報の使用に際して，弊社もしくは第三者の特許権，著作権，商標権，その他の知的  
所有権等の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。また本書に記載された情  
報を使用した事により第三者の知的所有権等の権利に関わる問題が生じた場合，弊社はその責を負いま  
せんので予めご了承ください。  
3. 製品及び製品仕様は予告無く変更する場合がありますので，最終的な設計，ご購入，ご使用に際しまし  
ては，事前に最新の製品規格または仕様書をお求めになりご確認ください。  
4. 弊社は品質・信頼性の向上に努めておりますが，宇宙，航空，原子力，燃焼制御，運輸，交通，各種安  
全装置， ライフサポート関連の医療機器等のように，特別な品質・信頼性が要求され，その故障や誤動  
作が直接人命を脅かしたり，人体に危害を及ぼす恐れのある用途にご使用をお考えのお客様は，事前に  
弊社営業担当迄ご相談をお願い致します。  
5. 設計に際しては，特に最大定格，動作電源電圧範囲，放熱特性，実装条件及びその他諸条件につきまし  
ては，弊社保証範囲内でご使用いただきますようお願い致します。  
保証値を越えてご使用された場合の故障及び事故につきましては，弊社はその責を負いません。  
また保証値内のご使用であっても半導体製品について通常予測される故障発生率，故障モードをご考慮  
の上，弊社製品の動作が原因でご使用機器が人身事故，火災事故，その他の拡大損害を生じないように  
フェールセーフ等のシステム上の対策を講じて頂きますようお願い致します。  
6. 本製品は耐放射線設計をしておりません。  
7. 本書の一部または全部を弊社の文書による承認なしに転載または複製することを堅くお断り致します。  
8. 本書をはじめ弊社半導体についてのお問い合わせ，ご相談は弊社営業担当迄お願いします。  
〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号（日本ビル）(03) 3270-2111(大代)  
半導体グループ  
(011) 261-3131 (代)  
(022) 223-0121 (代)  
(03) 3212-1111 (代)  
(025) 241-8161 (代)  
(029) 271-9411 (代)  
(027) 325-2161  
(0462) 96-6800 (代)  
(0559) 51-3530 (代)  
北
海
道
支
社
県
沼
金
中
関
中
四
央
支
店
所
店
社
社
社
社
東ꢀ 北ꢀ  
支ꢀ 社  
津
営
業
ダイヤル  
(076)263-2351 (ꢀ  
)
関ꢀ 東ꢀꢀ 支ꢀ 社  
新ꢀ 潟ꢀꢀ 支ꢀ 店  
茨ꢀ 城ꢀꢀ 支ꢀ 店  
沢
部
西
国
国
支
支
支
支
支
イン  
(052) 243-3111 (代)  
(06) 6616-1111 (大代)  
(082) 223-4111 (代)  
(087) 831-2111 (代)  
(089) 943-1333 (代)  
(092) 852-1111 (代)  
群
馬ꢀ 営ꢀ業ꢀ所  
(03) 3270-2111 (代)  
(0263) 36-6632  
半導体グループ電子統括営業本部  
松ꢀ 本  
営ꢀ業ꢀ所  
愛 ꢀ 媛 ꢀ 支 ꢀ 店  
(045) 451-5000 (代)  
横
浜
支
社
九
州
支
社
■資料のご請求は，上記の担当営業または下記へどうぞ。  
株式会社日立製作所半導体グループꢀ電子統括営業本部ꢀ半導体ドキュメント管理室  
〒100-0004 東京都千代田区大手町二丁目６番２号（日本ビル）ꢀ電話(03) 5201-5189 (直)ꢀFAX (03) 3270-3277  
●製品仕様は、改良のため変更することがあります。  
Copyright © Hitachi, Ltd., 2000. All rights reserved. Printed in Japan.  
(株)日立製作所ꢀ半導体グループのW W W において、製品情報を豊富にお届けしております。ぜひご覧ください。  
http://www.hitachi.co.jp/Sicd/  
9
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于壹壹捌

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：sales@ic118.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

壹壹捌官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.201497s