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2SK3831

型号:

2SK3831

品牌:

SANYO[ SANYO SEMICON DEVICE ]

页数:

4 页

PDF大小:

61 K

注文コーNo.N 8 0 2 8  
N チャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
2SK3831  
汎用スイッチングデバイス  
特長  
・低オン抵抗。  
・超高速スイッチング。  
・4V 駆動。  
・モータドライ,DC /DC ンバータ用等。  
・アバランシェ保証。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
項目  
記号  
条件  
定格値  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
V
V
60  
DSS  
GSS  
±20  
V
I
D
85  
A
I
PW 10µs,dutycycle1%  
340  
A
DP  
2.5  
W
許容損失  
P
D
Tc=25℃  
100  
W
チャネル温度  
Tch  
150  
m J  
A
保存周囲温度  
Tstg  
55150  
アバランシェエネルギー()*1  
アバランシェ電*2  
E
271  
85  
AS  
I
AV  
*1.V  
=20VL=50µHI =85A  
AV  
DD  
*2.L50µH1ルス  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
定格値  
項目  
記号  
条件  
unit  
m in  
typ  
m ax  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0  
GS  
60  
V
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=60V,V =0  
GS  
1
µA  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
16V,V =0  
DS  
±10 µA  
V
(off)  
=10V,I =1m A  
D
1.2  
30  
2.6  
V
S
GS  
yfs  
=10V,I =43A  
D
50  
R
(on)1 I =43A,V =10V  
GS  
10  
13  
13 m   
18 m Ω  
pF  
DS  
DS  
D
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
(on)2 I =43A,V =4V  
D GS  
入力容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=20V,f=1M Hz  
5250  
780  
525  
DS  
DS  
DS  
出力容量  
V
V
=20V,f=1M Hz  
=20V,f=1M Hz  
pF  
帰還容量  
pF  
単体品名表示:K3831  
次ページへ続く。  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用生命維持装置空機のコントロールシステム等、  
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に  
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。  
本書記載の規格値(大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用しの結果発生した機器の欠陥  
について、弊社は責任を負いません。  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
21405QA TS IM TB-00000311 No.8028-1/4  
2SK3831  
前ページより続く。  
項目  
定格値  
typ  
記号  
t (on)  
条件  
unit  
m in  
m ax  
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
指定回路において  
指定回路において  
指定回路において  
指定回路において  
40  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
V
d
t
r
370  
355  
315  
113  
19  
ターンオフ遅延時間  
下降時間  
t (off)  
d
t
f
総ゲート電荷量  
Qg  
V
V
V
=30V,V =10V,I =85A  
GS  
DS  
DS  
DS  
D
ゲート・ソース電荷量  
ゲート・ドレイン電荷量  
ダイオード順電圧  
Qgs  
Qgd  
=30V,V =10V,I =85A  
GS  
D
=30V,V =10V,I =85A  
GS  
28  
D
V
I =85A,V =0  
S GS  
1.18  
1.5  
SD  
外形図  
unit:m m  
2056A  
スイッチングタイム測定回路図  
V
=30V  
DD  
V
IN  
10V  
0V  
15.6  
14.0  
3.2  
4.8  
2.0  
I
=43A  
D
V
IN  
R =0.7  
L
D
V
OUT  
PW=10µs  
D.C.1%  
G
1.6  
1.0  
2.0  
3
0.6  
2SK3831  
P. G  
50Ω  
S
1 : Gate  
2 : Drain  
3 : Source  
2
1
0.6  
5.45  
5.45  
SANYO : TO-3PB  
アバランシェ測定回路図  
L
50Ω  
RG  
DUT  
15V  
0V  
V
50Ω  
DD  
No.8028-2/4  
2SK3831  
I
D
-- V  
I
D
-- V  
DS  
GS  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
V
=10V  
Tc=25°C  
DS  
4.0V  
V
=3.0V  
GS  
10  
0
10  
0
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
1.8  
2.0  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
4.5  
5.0  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
ゲート・ソース電圧, V  
-- V  
GS  
IT07698  
IT07697  
DS  
R
(on) -- V  
R
(on) -- Tc  
DS  
GS  
DS  
30  
25  
20  
15  
10  
25  
20  
15  
10  
I =43A  
D
Tc=75°C  
5
0
5
0
0
1.0  
2.0  
3.0  
4.0  
5.0  
6.0  
7.0  
8.0  
9.0  
10  
--50  
--25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
ゲート・ソース電圧, V  
yfs-- I  
D
-- V  
ケース温度, Tc -- °C  
I -- V  
IT07699  
IT07700  
GS  
F
SD  
100  
100  
7
5
V
=10V  
V
=0V  
DS  
GS  
7
5
3
2
3
2
10  
7
5
3
2
10  
7
1.0  
7
5
5
3
2
3
2
0.1  
7
5
1.0  
3
2
7
5
0.01  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
IT07702  
0.1  
1.0  
10  
100  
IT07701  
ドレイン電流, I -- A  
D
Ciss, Coss, Crss -- V  
ドレイン・ソース順電圧, V  
-- V  
SD  
V
-- Qg  
DS  
GS  
10000  
10  
9.0  
8.0  
7.0  
6.0  
5.0  
4.0  
3.0  
2.0  
f=1M Hz  
V
=30V  
DS  
7
5
I =85A  
D
3
2
1000  
7
5
3
2
1.0  
0
100  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
IT07703  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90 100 110 120  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
総ゲート電荷量, Qg -- nC  
IT07704  
DS  
No.8028-3/4  
2SK3831  
SW Tim e -- I  
A S O  
D
7
5
1000  
I
DP  
=340A  
10µs  
7
3
2
5
I =85A  
D
100  
3
2
7
5
3
2
10  
7
5
100  
7
5
Operation in  
thisareais  
3
2
t (on)  
d
lim ited byR (on).  
DS  
1.0  
7
5
3
2
Tc=25°C  
1パルス  
3
2
V
V
=30V  
=10V  
DD  
GS  
セラミック基板  
5
10  
0.1  
0.1  
0.1  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
7
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0  
10  
100  
IT07706  
1.0 10  
ドレイン電流, I -- A  
100  
IT07705  
ドレイン・ソース電圧, V  
P
-- V  
DS  
D
P
-- Ta  
-- Tc  
D
D
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
120  
100  
80  
60  
40  
0.5  
0
20  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
周囲温度, Ta -- °C  
IT07708  
ケース温度, Tc -- °C  
IT07707  
取り扱い上の注意:本製品は、M OSFETすので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。  
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ  
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では  
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。  
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障  
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与  
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、  
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。  
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する  
際に同法に基づく輸出許可が必要です。  
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。  
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した  
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。  
この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す  
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用  
にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。  
No.8028-4/4  
PS  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形FET ] 3 页

ETC

2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 40uA的我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

2SK0198(2SK198) 2SK0198 ( 2SK198 ) - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PDF索引:

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B

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M

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X

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Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引:

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B

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U

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W

X

Y

Z

0

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2

3

4

5

6

7

8

9

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0.345544s