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2SK3580-01MR

型号：

2SK3580-01MR

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

100 K

下载PDF手册
2SK3580-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
Super FAP-G Series  
TO-220F  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
300  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDSX *5  
ID  
270  
±12  
±48  
±30  
12  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
A
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR *2  
Drain(D)  
A
EAS*1  
193  
20  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
5
°C  
°C  
2.16  
Gate(G)  
35  
+150  
-55 to +150  
2
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
°C  
Tstg  
°C  
VISO *6  
kVrms  
<
<
<
<
*1 L=2.32mH, Vcc=48V *2 Tch=150°C *3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
<
*4 VDS 300V *5 VGS=-30V *6 t=60sec f=60Hz  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID=250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
300  
µ
ID= 250 A  
V
3.5  
4.5  
µA  
25  
Tch=25°C  
VDS=300V VGS=0V  
VDS=240V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
VDS=0V  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VGS=±30V  
ID=6A  
10  
100  
VGS=10V  
Ω
S
1.22  
10.5  
980  
170  
5.5  
0.28  
5
ID=6A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
pF  
1470  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
255  
11  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=150V ID=6A  
VGS=10V  
14.5  
6.5  
28  
29  
9.8  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
42  
RGS=10 Ω  
4
6
QG  
QGS  
QGD  
IAV  
nC  
VCC=150V  
ID=12A  
23  
34.5  
14.6  
11.2  
Total Gate Charge  
9.7  
5.6  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
µ
L=100 H Tch=25°C  
12  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
VSD  
trr  
Qrr  
1.20  
1.80  
V
IF=12A VGS=0V Tch=25°C  
IF=12A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
0.2  
µs  
µC  
1.80  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
3.57  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
2SK3580-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=12A  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
250  
200  
150  
100  
50  
0
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tc [°C]  
starting Tch [°C]  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80µs Pulse test,Tch=25°C  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
30  
25  
20  
15  
10  
5
100  
10  
1
20V  
10V  
8V  
7.0V  
6.5V  
6.0V  
VGS=5.5V  
10  
0
0.1  
0
2
4
6
8
12  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VDS [V]  
VGS[V]  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
RDS(on)=f(ID):80µs Pulse test, Tch=25°C  
100  
10  
1
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
ID [A]  
2
2SK3580-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Drain-Source On-state Resistance  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
RDS(on)=f(Tch):ID=6A,VGS=10V  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250 µA  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
max.  
min.  
max.  
typ.  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
Tch [°C]  
Tch [°C]  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS=f(Qg):ID=12A, Tch=25°C  
Typical Capacitance  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
101  
100  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Vcc= 150V  
Ciss  
10-1  
10-2  
10-3  
Coss  
6
4
Crss  
2
0
10-1  
100  
101  
102  
103  
0
10  
20  
30  
40  
Qg [nC]  
VDS [V]  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=150V, VGS=10V, RG=10Ω  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
IF=f(VSD):80µs Pulse test,Tch=25°C  
100  
10  
1
103  
102  
101  
100  
tf  
td(off)  
td(on)  
tr  
0.1  
10-1  
100  
101  
102  
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00  
ID [A]  
VSD [V]  
3
2SK3580-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C. Vcc=48V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

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