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2SK2645-01MR

型号：

2SK2645-01MR

描述：

N沟道MOS - FET的[ N-channel MOS-FET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

2 页

PDF大小：

311 K

下载PDF手册
N-channel MOS-FET  
2SK2645-01MR  
FAP-IIS Series  
600V 1,2W  
9A  
50W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Repetitive Avalanche Rated  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum RatingsT( C=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
600  
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
9
A
D
I
32  
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±30  
V
GS  
I
9
71,9  
A
Repetitive or Non-Repetitive (Tch £ 150°C)  
Avalanche Energy  
AR  
E
mJ  
W
°C  
°C  
AS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
50  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
600  
Typ.  
4,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
3,5  
4,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
VDS=600V  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
V
GS=0V  
VGS=±30V  
ID=4A  
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
100  
1,2  
GSS  
VGS=10V  
VDS=25V  
R
1,0  
5
DS(on)  
ID=4A  
g
2,5  
S
fs  
VDS=25V  
C
900  
150  
70  
1400  
230  
110  
40  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=300V  
ID=9A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
rss  
t
25  
d(on)  
t
70  
110  
90  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=10 W  
t
60  
d(off)  
t
35  
60  
f
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
9
AV  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
1,0  
550  
7,0  
1,5  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs T ch=25°C  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
2,5 °C/W  
th(ch-c)  
Collmer Semiconductor - P.O. Box 702708 - Dallas TX - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481 Fax - www.collmer.com - 11/98  
N-channel MOS-FET  
2SK2645-01MR  
600V  
1,2W  
9A  
50W  
FAP-IIS Series  
> Characteristics  
Typical Output Characteristics  
Drain-Source On-State Resistance vs. Tch  
Typical Transfer Characteristics  
ID=f(VDS); 80µs pulse test; TC=25°C  
RDS(on) = f(Tch); ID=4A; VGS=10V  
ID=f(VGS); 80µs pulse test; VDS=25V; Tch=25°C  
•
•
•
VDS [V] ®  
Tch [°C] ®  
VGS [V] ®  
Typical Drain-Source On-State-Resistance vs. ID  
Typical Forward Transconductance vs. ID  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
RDS(on)=f(ID); 80µs pulse test; TC=25°C  
gfs=f(ID); 80µs pulse test; VDS=25V; Tch=25°C  
VGS(th)=f(Tch); ID=1mA; VDS=VGS  
•
•
•
ID [A] ®  
ID [A] ®  
Tch [°C] ®  
Typical Capacitances vs. VDS  
Typical Gate Charge Characteristic  
Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS); VGS=0V; f=1MHz  
VGS=f(Qg); ID=9A; Tc=25°C  
IF=f(VSD); 80µs pulse test; VGS=0V  
•
•
•
•
VDS [V] ®  
Qg [nC] ®  
VSD [V] ®  
Avalanche Energy Derating  
Safe Operation Area  
Eas=f(starting Tch); VCC=60V; IAV=9A  
ID=f(VDS): D=0,01, Tc=25°C  
•
Transient Thermal impedance  
Zthch=f(t) parameter:D=t/T  
•
•
Starting Tch [°C]  
®
VDS [V] ®  
t [s] ®  
This specification is subject to change without notice!  
厂商 型号 描述 页数 下载

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