请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料
购物车 0
上传BOM

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一 - 周六 9:00-18:00

2SK2647-01MR

型号：

2SK2647-01MR

描述：

N沟道MOS - FET的[ N-channel MOS-FET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

2 页

PDF大小：

283 K

下载PDF手册
N-channel MOS-FET  
2SK2647-01MR  
FAP-IIS Series  
800V  
4W  
4A  
40W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Repetitive Avalanche Rated  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum RatingsT( C=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
800  
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
4
A
D
I
16  
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
±30  
V
GS  
I
4
109  
A
Repetitive or Non-Repetitive (Tch £ 150°C)  
Avalanche Energy  
AR  
E
mJ  
W
°C  
°C  
AS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
40  
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
800  
3,5  
Typ.  
4,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
V
(BR)DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
4,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
VDS=800V  
I
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
DSS  
V
GS=0V  
VGS=±30V  
ID=2A  
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
100  
4,0  
GSS  
VGS=10V  
VDS=25V  
R
3,19  
2
DS(on)  
ID=2A  
g
S
fs  
VDS=25V  
C
450  
75  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=600V  
ID=4A  
Output Capacitance  
C
oss  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
C
40  
rss  
t
20  
d(on)  
t
40  
r
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
RGS=10 W  
t
50  
d(off)  
t
25  
f
Tch=25°C  
Avalanche Capability  
I
L = 100µH  
3
AV  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
1,0  
450  
3,0  
V
SD  
t
ns  
µC  
rr  
-dIF/dt=100A/µs T ch=25°C  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
62,5  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-a)  
R
channel to case  
3,125 °C/W  
th(ch-c)  
Collmer Semiconductor - P.O. Box 702708 - Dallas TX - 75370 - 972.233.1589 - 972.233.0481 Fax - www.collmer.com - 11/98  
N-channel MOS-FET  
2SK2647-01MR  
800V  
4W  
4A  
40W  
FAP-IIS Series  
> Characteristics  
Typical Output Characteristics  
Drain-Source-On-State Resistance vs. Tch  
Typical Transfer Characteristics  
ID=f(VDS); 80µs pulse test; TC=25°C  
RDS(on) = f(Tch); ID=2A; VGS=10V  
ID=f(VGS); 80µs pulse test;VDS=25V; Tch=25°C  
•
•
•
VDS [V] ®  
Tch [°C] ®  
VGS [V] ®  
Typical Drain-Source-On-State-Resistance vs. ID  
Typical Forward Transconductance vs. ID  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
RDS(on)=f(ID); 80µs pulse test; TC=25°C  
gfs=f(ID); 80µs pulse test; VDS=25V; Tch=25°C  
VGS(th)=f(Tch); ID=1mA; VDS=VGS  
•
•
•
ID [A] ®  
ID [A] ®  
Tch [°C] ®  
Typical Capacitances vs. VDS  
Avalanche Energy Derating  
Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS); VGS=0V; f=1MHz  
Eas=f(starting Tch); VCC=80V; IAV=4A  
IF=f(VSD); 80µs pulse test; VGS=0V  
•
•
•
VDS [V] ®  
Starting Tch [°C] ®  
VSD [V] ®  
Allowable Power Dissipation vs. TC  
Safe operation area  
ID=f(VDS): D=0,01, Tc=25°C  
•
PD=f(Tc)  
Transient Thermal impedance  
Zthch=f(t) parameter:D=t/T  
•
•
Tc [°C] ®  
VDS [V] ®  
t [s] ®  
This specification is subject to change without notice!  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于壹壹捌

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：sales@ic118.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

壹壹捌官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.220210s