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2SK971

型号：

2SK971

描述：

硅N沟道MOS FET[ Silicon N-Channel MOS FET ]

品牌：

HITACHI[ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

页数：

7 页

PDF大小：

41 K

下载PDF手册
2SK971  
Silicon N-Channel MOS FET  
Application  
TO–220AB  
High speed power switching  
Features  
• Low on-resistance  
• High speed switching  
2
1
2
3
• Low drive current  
• 4 V gate drive device  
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
– Can be driven from 5 V source  
• Suitable for motor drive, DC-DC converter,  
power switch and solenoid drive  
1
3
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source voltage  
V
60  
V
DSS  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source voltage  
V
±20  
V
GSS  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
15  
A
D
———————————————————————————————————————————  
Drain peak current  
I
*
60  
A
D(pulse)  
———————————————————————————————————————————  
Body to drain diode reverse drain current  
I
15  
A
DR  
———————————————————————————————————————————  
Channel dissipation  
Pch**  
40  
W
———————————————————————————————————————————  
Channel temperature  
Tch  
150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %  
** Value at T = 25 °C  
*
C
2SK971  
Table 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit Test conditions  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source breakdown  
V
60  
—
—
V
I
= 10 mA, V  
= 0  
(BR)DSS  
D
GS  
voltage  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source breakdown  
V
±20  
—
—
V
I
= ±100 µA, V  
= 0  
(BR)GSS  
G
DS  
voltage  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source leak current  
I
—
—
±10  
µA  
V
= ±16 V, V  
= 0  
GSS  
GS  
DS  
———————————————————————————————————————————  
Zero gate voltage drain current  
I
—
—
250  
µA  
V
= 50 V, V  
= 0  
DSS  
DS  
GS  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source cutoff voltage  
V
1.0  
—
2.0  
V
I
= 1 mA, V  
= 10 V  
GS(off)  
D
DS  
———————————————————————————————————————————  
Static drain to source on state  
R
—
0.055  
0.065  
Ω
I
= 8 A, V  
= 10 V *  
DS(on)  
D
GS  
resistance  
———————  
——————————–  
0.075  
0.095  
I
= 8 A, V  
= 4 V *  
D
GS  
———————————————————————————————————————————  
Forward transfer admittance  
|y |  
7
12  
—
S
I
= 8 A, V  
= 10 V *  
fs  
D
DS  
———————————————————————————————————————————  
Input capacitance  
Ciss  
—
860  
—
pF  
V
= 10 V, V  
= 0,  
DS  
GS  
————————————————————————————————  
Output capacitance  
Coss  
—
450  
—
pF  
f = 1 MHz  
————————————————————————————————  
Reverse transfer capacitance  
Crss  
—
140  
—
pF  
———————————————————————————————————————————  
Turn-on delay time  
t
—
10  
—
ns  
I
= 8 A, V  
= 10 V,  
d(on)  
D
GS  
————————————————————————————————  
Rise time  
t
—
70  
—
ns  
R = 3.75 Ω  
L
r
————————————————————————————————  
Turn-off delay time  
t
—
180  
—
ns  
d(off)  
————————————————————————————————  
Fall time  
t
—
120  
—
ns  
f
———————————————————————————————————————————  
Body to drain diode forward  
V
—
1.3  
—
V
I = 15 A, V  
= 0  
DF  
F
GS  
voltage  
———————————————————————————————————————————  
Body to drain diode reverse  
t
—
135  
—
ns  
I = 15 A, V  
= 0,  
rr  
F
GS  
recovery time  
di /dt = 50 A/µs  
F
———————————————————————————————————————————  
* Pulse Test  
2SK971  
Maximum Safe Operation Area  
Power vs. Temperature Derating  
500  
300  
60  
40  
20  
100  
30  
10  
3
1.0  
0.5  
Ta = 25°C  
1.0  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
0
50  
100  
150  
0.1 0.3  
3
10  
30  
100  
Case Temperature TC (°C)  
Typical Output Characteristics  
Typical Transfer Characteristics  
20  
16  
20  
16  
10 V  
Pulse Test  
4 V  
VDS = 10 V  
Pulse Test  
5 V  
3.5 V  
12  
8
12  
8
3.0 V  
VGS = 2.5 V  
4
4
–25°C  
TC= 25°C  
75°C  
1
0
2
4
6
8
10  
0
2
3
4
5
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
2SK971  
Drain to Source Saturation Voltage  
vs. Gate to Source Voltage  
Static Drain to Source on State  
Resistance vs. Drain Current  
2.0  
1.6  
0.5  
Pulse Test  
VGS = 4 V  
Pulse Test  
0.2  
0.1  
20 A  
1.2  
0.8  
0.4  
10 V  
0.05  
10 A  
0.02  
0.01  
ID = 5 A  
0.005  
1
2
5
10  
20  
50 100  
0
2
4
6
8
10  
Drain Current ID (A)  
Gate to Source Voltage VGS (V)  
Static Drain to Source on State  
Resistance vs. Temperature  
Forward Transfer Admittance  
vs. Drain Current  
0.20  
0.16  
0.12  
0.08  
0.04  
0
50  
Pulse Test  
VDS = 10 V  
Pulse Test  
–25°C  
TC = 25°C  
20  
10  
5
ID = 10 A  
5 A  
75°C  
VGS = 4 V  
2
5 A  
10 A  
20 A  
VGS = 10 V  
1.0  
0.5  
0.2  
–40  
0
40  
80  
120  
160  
0.5 1.0  
Drain Current ID (A)  
10  
20  
2
5
Case Temperature TC (°C)  
2SK971  
Body to Drain Diode Reverse  
Recovery Time  
Typical Capacitance vs.  
Drain to Source Voltage  
1000  
500  
10000  
di/dt = 50 A/µs, Ta = 25°C  
VGS = 0  
Pulse Test  
VGS = 0  
f = 1MHz  
3000  
1000  
Ciss  
200  
100  
50  
Coss  
300  
100  
Crss  
20  
10  
30  
10  
0.5 1.0  
2
5
0
10  
20  
10  
20  
50  
30  
40  
50  
Reverse Drain Current IDR (A)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Switching Characteristics  
Dynamic Input Characteristics  
500  
100  
20  
td (off)  
tf  
80  
16  
200  
100  
VDD = 50 V  
25 V  
60  
40  
20  
12  
8
10 V  
VDS  
50  
tr  
VGS  
VGS = 10 V  
PW = 2µs, duty < 1 %  
td (on)  
20  
10  
4
VDD = 50 V  
25 V  
ID = 15 A  
10 V  
0
5
0.2  
0.5 1.0  
Drain Current ID (A)  
10  
20  
2
5
0
8
16  
24  
32  
40  
Gate Charge Qg (nc)  
2SK971  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
20  
16  
Pulse Test  
10 V  
15 V  
12  
8
5 V  
VGS = 0, – 5 V  
4
0
0.4  
0.8  
1.2  
1.6  
2.0  
Source to Drain Voltage VSD (V)  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
TC = 25°C  
D = 1  
0.5  
1.0  
0.3  
0.1  
θch–c (t) = γS (t) · θch–c  
θch–c = 3.13°C/W, TC = 25°C  
PDM  
0.03  
0.01  
PW  
D =  
PW  
T
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
Pulse Width PW (s)  
2SK971  
Switching Time Test Circuit  
Vin Monitor  
Wavewforms  
90 %  
Vout Monitor  
RL  
D.U.T  
Vin  
10 %  
10 %  
10 %  
Vout  
50 Ω  
90 %  
d (off)  
90 %  
t
.
Vin = 10 V  
VDD = 30 V  
.
t
t
t
d (on)  
r
f
厂商 型号 描述 页数 下载

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