2SK3748
V
-- Qg
A S O
GS
10
9
2
V
=200V
DS
I
=8A
＜10µs
10
7
5
DP
I =4A
D
I =4A
D
8
3
2
7
1.0
6
7
5
5
3
2
4
0.1
7
5
3
Operation in thisarea
islim ited byR (on).
DS
2
3
2
1
0
Tc=25°C
1パルス
0.01
1.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
10
100
1000
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT09213
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
IT09214
DS
P
-- Ta
P
-- Tc
D
D
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
80
70
65
60
50
40
30
20
0.5
0
10
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta --
°C
ケース温度, Tc -- °C
IT09215
IT09216
取り扱い上の注意：本製品は、M OSFETですので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する
際に同法に基づく輸出許可が必要です。
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。
この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用
にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。
PS No.8250-4/4
