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2SK3871-01MR

型号：

2SK3871-01MR

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

98 K

下载PDF手册
2SK3871-01MR  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
200406  
TO-220F  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Item  
Symbol  
Ratings  
230  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
VDS  
Drain(D)  
V
VDSX  
ID  
230  
VGS=-30V  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
40  
A
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±160  
±30  
V
Gate-Source Voltage  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
Gate(G)  
A
40  
Note *1  
Note *2  
Source(S)  
mJ  
EAS  
633.1  
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
<
Note *1:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
mJ  
EAR  
27  
Note *3  
Note *2:StartingTch=25°C,IAS=16A,L=4.09mH,  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
VCC=48V,RG=50Ω  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
<
VDS 230V  
=
EAS limited by maximum channel temperature  
and avalanch current.  
Note *4  
270  
2.02  
+150  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *3:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Theemal impedance’  
graph  
Operating and Storage  
Temperature range  
Isolation Voltage  
Tch  
°C  
°C  
Tstg  
VISO  
-55 to +150  
2
t=60sec f=60Hz  
kVrms  
<
<
<
Note *4:IF -ID, -di/dt=50A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
=
=
=
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
V
Drain-Source Breakdown Voltaget  
Gate Threshold Voltage  
230  
3.0  
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
µ
V
5.0  
25  
ID= 250 A  
µA  
VDS=230V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
250  
100  
76  
Tch=125°C  
VDS=184V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=20A VGS=10V  
ID=20A VDS=25V  
VDS=75V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transcondutance  
Input Capacitance  
58  
24  
mΩ  
S
12  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1880  
230  
12  
2820  
345  
18  
pF  
Output Capacitance  
VGS=0V  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
f=1MH  
VCC=180V ID=20A  
ns  
28  
42  
8.4  
12.6  
VGS=10V  
56  
84  
td(off)  
tf  
Turn-Off Time toff  
RGS=10 Ω  
6
9
42.0  
18.0  
12.0  
63.0  
27.0  
18.0  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=115V  
ID=40A  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
1.10  
230  
2.5  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=40A VGS=0V Tch=25°C  
IF=40A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
1.316 °C/W  
Thermal resistance  
°C/W  
58  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
2SK3871-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
20V  
10V  
8V  
7V  
6.5V  
VGS=5.5V  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
VDS [V]  
Tc [°C]  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
100  
10  
1
100  
10  
1
0.1  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VGS[V]  
ID [A]  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C  
Drain-Source On-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=20A,VGS=10V  
0.30  
0.25  
0.20  
0.15  
0.10  
0.05  
0.00  
0.25  
0.20  
0.15  
0.10  
0.05  
0.00  
7V  
6.5V  
VGS=6V  
8V  
max.  
typ.  
10V  
20V  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
ID [A]  
2
2SK3871-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Typical Gate Charge Characteristics  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
VGS=f(Qg):ID=40A,Tch=25°C  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
max.  
min.  
Vcc= 46V  
115V  
184V  
6
4
2
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
Qg [nC]  
Typical Capacitance  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25°C  
10n  
1n  
100  
10  
1
Ciss  
Coss  
100p  
10p  
1p  
Crss  
0.1  
10-1  
100  
101  
102  
103  
0.00  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
1.75  
2.00  
VDS [V]  
VSD [V]  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=180V,VGS=10V,RG=10Ω  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=40A  
103  
102  
101  
100  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
IAS=16A  
td(off)  
td(on)  
IAS=24A  
IAS=40A  
tf  
tr  
10-1  
100  
101  
102  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
ID [A]  
3
2SK3871-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Safe operating area  
ID=f(VDS):Single Pulse,Tc=25°C  
102  
101  
100  
10-1  
t=  
1µs  
10µs  
D.C.  
100µs  
1ms  
10ms  
100ms  
100  
101  
102  
103  
VDS [V]  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=48V  
102  
Single Pulse  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

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ETC

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ETC

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