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2SK2873-01

型号：

2SK2873-01

描述：

N沟道MOS - FET的[ N-channel MOS-FET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

3 页

PDF大小：

240 K

下载PDF手册
N-channel MOS-FET  
2SK2873-01  
FAP-IIS Series  
450V 1,2W ±8A 60W  
> Features  
> Outline Drawing  
- High Speed Switching  
- Low On-Resistance  
- No Secondary Breakdown  
- Low Driving Power  
- High Voltage  
- VGS = ± 30V Guarantee  
- Repetitive Avalanche Rated  
> Applications  
- Switching Regulators  
- UPS  
- DC-DC converters  
- General Purpose Power Amplifier  
> Maximum Ratings and Characteristics  
> Equivalent Circuit  
- Absolute Maximum Ratings (TC=25°C), unless otherwise specified  
Item  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
Drain-Source-Voltage  
V
450  
DS  
Continous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
I
±8  
±32  
±35  
8
A
D
I
A
D(puls)  
Gate-Source-Voltage  
V
V
GS  
Repetitive or Non-Repetitive (Tch £ 150°C)  
Avalanche Energy  
I
A
AR  
E
177.8  
60  
mJ  
W
°C  
°C  
AS  
Max. Power Dissipation  
Operating and Storage Temperature Range  
P
D
T
150  
ch  
T
-55 ~ +150  
L=5.09mH,Vcc=45V  
stg  
Electrical Characteristics (TC=25°C), unless otherwise specified  
-
Item  
Symbol  
Test conditions  
Min.  
450  
3,5  
Typ.  
4,0  
Max.  
Unit  
V
ID=1mA  
ID=1mA  
VDS=450V  
VGS=0V  
VGS=±35V  
ID=4A  
VGS=0V  
Drain-Source Breakdown-Voltage  
Gate Threshhold Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
BV  
DSS  
VDS=VGS  
Tch=25°C  
Tch=125°C  
VDS=0V  
V
I
4,5  
500  
1,0  
V
GS(th)  
DSS  
10  
0,2  
10  
µA  
mA  
nA  
W
Gate Source Leakage Current  
Drain Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
I
R
g
C
C
C
t
100  
1,2  
GSS  
DS(on)  
fs  
VGS=10V  
VDS=25V  
1,0  
4
ID=4A  
2
S
VDS=25V  
540  
100  
45  
810  
150  
70  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
A
iss  
VGS=0V  
f=1MHz  
VCC=300V  
ID=8A  
Output Capacitance  
oss  
rss  
d(on)  
r
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On-Time ton (ton=td(on)+tr)  
13  
20  
t
40  
60  
Turn-Off-Time toff (ton=td(off)+tf)  
VGS=10V  
t
45  
70  
d(off)  
f
R
GS=10 W  
Tch=25°C  
t
25  
40  
Avalanche Capability  
I
L = 5,09mH  
8
AV  
SD  
rr  
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
Diode Forward On-Voltage  
Reverse Recovery Time  
Reverse Recovery Charge  
V
t
1,1  
450  
3,7  
1,65  
V
ns  
µC  
-dIF/dt=100A/µs Tch=25°C  
Q
rr  
-
Thermal Characteristics  
Item  
Symbol  
Test conditions  
channel to case  
channel to air  
Min.  
Typ.  
Max.  
2,08  
Unit  
Thermal Resistance  
R
°C/W  
th(ch-c)  
th(ch-a)  
R
35,0 °C/W  
 
N-channel MOS-FET  
2SK2873-01  
450V  
1,2W ±8A 60W  
FAP-IIS Series  
> Characteristics  
Typical Output Characteristics  
Drain-Source-On-State Resistance vs. Tch  
Typical Transfer Characteristics  
ID=f(VDS); 80µs pulse test; TC=25°C  
RDS(on) = f(Tch): ID=4A; VGS=10V  
ID=f(VGS); 80µs pulse test; VDS=25V; Tch=25°C  
•
•
•
VDS [V]  
Tch [°C]  
VGS [V]  
®
®
®
Typical Drain-Source-On-State-Resistance vs. ID  
Typical Forward Transconductance vs. ID  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
RDS(on)=f(ID); 80µs pulse test;TC=25°C  
gfs=f(ID); 80µs pulse test; VDS=25V; Tch=25°C  
VGS(th)=f(Tch); ID=1mA; VDS=VGS  
•
•
•
ID [A]  
ID [A]  
Tch [°C]  
®
®
®
Typical Capacitances vs. VDS  
Typical Gate Charge Characteristic  
Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS); VGS=0V; f=1MHz  
VGS=f(Qg): ID=8A; Tc=25°C  
IF=f(VSD); 80µs pulse test; VGS=0V  
•
•
•
•
VDS [V]  
VSD [V]  
®
Qg [nC] ®  
®
Avalanche Energy Derating  
Eas=f(starting Tch): Vcc=45V; IAV=8A  
Safe operation area  
ID=f(VDS): D=0,01, Tc=25°C  
•
Transient Thermal impedance  
Zthch=f(t) parameter:D=t/T  
•
•
VDS [V]  
Starting Tch [°C] ®  
®
t [s] ®  
This specification is subject to change without notice!  
N-channel MOS-FET  
2SK2873-01  
450V  
1,2W ±8A  
60W  
FAP-IIS Series  
> Characteristics  
Power Dissipation  
PD=f(TC)  
125  
100  
75  
50  
25  
0
0
0
0
0
0
0
0
TC [°C]  
This specification is subject to change without notice!  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

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