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2SK3579-01MR

型号：

2SK3579-01MR

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

147 K

下载PDF手册
2SK3579-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings  
Super FAP-G Series  
TO-220F  
Features  
Applications  
Switching regulators  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
150  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDSX *5  
ID  
130  
±23  
±96  
±20  
23  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
ID(puls]  
VGS  
A
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR *2  
A
EAS*1  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
242  
20  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
Equivalent circuit schematic  
5
Drain(D)  
°C  
°C  
2.1  
40  
+150  
-55 to +150  
2
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
°C  
°C  
Tstg  
VISO *6  
<
kVrms  
<
Gate(G)  
<
<
*1 L=0.67mH, Vcc=48V *2 Tch=150°C *3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
Source(S)  
<
*4 VDS 250V *5 VGS=-20V *6 t=60sec f=60Hz  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
ID=250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
150  
µ
V
ID= 250 A  
1.0  
2.5  
µA  
Tch=25°C  
VDS=150V VGS=0V  
VDS=120V VGS=0V  
25  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
nA  
IGSS  
Gate-source leakage current  
VDS=0V  
VGS=±20V  
ID=11.5A  
10  
65  
100  
RDS(on)  
Drain-source on-state resistance  
mΩ  
VGS=10V  
90  
S
gfs  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=11.5A VDS=25V  
VDS=75V  
12  
24  
1470  
190  
18  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
2200  
Output capacitance  
VGS=0V  
285  
27  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
ns  
36  
24  
VCC=48V ID=11.5A  
VGS=10V  
23  
35  
450  
68  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
300  
45  
RGS=10 Ω  
nC  
72  
QG  
Total Gate Charge  
VCC=48V  
ID=23A  
48  
QGS  
QGD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
6
9
VGS=10V  
12  
18  
Rg  
∆Rg/∆Τch  
Gate-Internal Resistance  
(Tep.Confficient)  
23.3  
23  
39  
54.4  
Ω
%/°C  
0.12  
µ
A
V
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=100 H Tch=25°C  
IAV  
1.10  
0.13  
0.6  
1.65  
VSD  
IF=23A VGS=0V Tch=25°C  
IF=23A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
µs  
µC  
trr  
Qrr  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Rth(ch-c)  
channel to case  
3.125  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
2SK3579-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80µs Pulse test,Tch=25°C  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
10V  
20V  
5.0V  
8V  
4.5V  
4.0V  
VGS=3.5V  
0
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
VDS [V]  
Tc [°C]  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
100  
10  
1
100  
10  
1
0.1  
0.1  
0.1  
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0  
1
10  
100  
VGS[V]  
ID [A]  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80µs Pulse test, Tch=25°C  
Drain-Source On-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=11.5A,VGS=10V  
0.16  
0.20  
0.18  
0.16  
0.14  
0.12  
0.10  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0.00  
VGS=  
3.5V  
0.14  
0.12  
0.10  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0.00  
4.0V  
4.5V  
5V  
8V  
10V  
20V  
max.  
typ.  
0
10  
20  
30  
40  
50  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
ID [A]  
Tch [°C]  
2
2SK3579-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS=f(Qg):ID=23A, Tch=25°C  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Vcc= 48V  
max.  
min.  
6
4
2
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
Qg [nC]  
Tch [°C]  
Typical Capacitance  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
IF=f(VSD):80µs Pulse test,Tch=25°C  
101  
100  
10-1  
10-2  
100  
10  
1
Ciss  
VGS=10V  
VGS=0V  
Coss  
Crss  
0.1  
10-1  
100  
101  
102  
103  
0.00  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
VSD [V]  
VDS [V]  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=23A  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10Ω  
103  
102  
101  
100  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
tf  
td(off)  
td(on)  
tr  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
10-1  
100  
101  
102  
starting Tch [°C]  
ID [A]  
3
2SK3579-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Gate-Internal Resistance vs. Tch  
RG=f(Tch):f=1MHz,VDS=0V  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
max.  
Typ.  
min.  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
Tch [°C]  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C. Vcc=48V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
tAV [sec]  
10-4  
10-3  
10-2  
Transient Thermal impedance  
Zth(ch-c)=f(t) :D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
t [s]  
10-1  
100  
101  
4
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PANASONIC

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