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2SK3098

型号:

2SK3098

描述:

N沟道MOS硅晶体管[ N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR ]

品牌:

SANYO[ SANYO SEMICON DEVICE ]

页数:

1 页

PDF大小:

14 K

No.  
三洋半導体開発速報ꢀ  
NャネルM OSシリコン電界効果トランジスタ  
超高速スイッチング用  
暫定規格  
2 S K 3 0 9 8  
特長  
・低オン抵抗。  
・低Qg化。  
絶対最大定AbsoluteM aximum RatingsTa=25℃  
unit  
V
ドレイン・ソース耐圧  
ゲート・ソース耐圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
許容損失  
VDSS  
VGSS  
ID  
400  
±30  
V
12  
A
IDP  
PD  
48  
85  
A
(TC25℃)  
W
チャネル温度  
Tch  
Tstg  
150  
保存周囲温度ꢀ ꢀ  
-55~+150  
mintyp max  
unit  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
カットオフ電圧  
順伝達アドミタンス  
飽和抵抗  
V(BR)DSS  
IDSS  
ID1mA  
, VGS=0  
400  
V
mA  
nA  
V
VDS=320V , VGS=0  
VGS=±30V, VDS=0  
VDS=10V , ID1mA  
VDS=10V , ID6A  
1.0  
±100  
4
IGSS  
VGS(off)  
│yfs│  
RDS(on)  
Ciss  
3
2.9  
5.8  
0.43  
1150  
350  
150  
40  
S
Ω
pF  
pF  
pF  
nC  
ID6A  
, VGS=15V  
0.55  
入力容量  
VDS=20V , f1M Hz  
出力容量  
Coss  
VDS=20V , f1M Hz  
帰還容量  
Crss  
VDS=20V , f1M Hz  
ゲ-ト入力電荷量  
Qg  
VDS=200V , ID12A  
VGS=10V  
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
ターンオフ遅延時間  
下降時間ꢀ  
td(on)  
tr  
下図指定回路において  
20  
35  
85  
45  
ns  
ns  
ns  
ns  
V
td(off)  
tf  
ダイオード順電圧  
VSD  
IS=12A  
, VGS0  
1.2  
(注)ゲート・ソース間には保護ダイオードは入っていないので取り扱いには充分注意すること。  
外形図  
TO-220(unit:mm)  
スイッチングタイム測定回路図  
VDD200V  
10.2  
4.5  
5.1  
φ3.6  
1.3  
PW =1μS  
D.C.0.5%  
ID6A  
RL33.3Ω  
VGS=15V  
D
VOUT  
G
1.2  
2SK3098  
RGS  
50Ω  
0.8  
P.G  
0.4  
S
1 2  
3
1:Base  
2:Collector  
3:Emitter  
2.55  
2.55  
※これらの仕様は、改良などのため変更することがあります。  
〒370-05 群馬県大泉町坂田一丁目1番1号  
三洋電機株式会導体事業本部  
971217TM 2fXHD  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

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2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

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2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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