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2SK3677-01MR

型号：

2SK3677-01MR

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

115 K

下载PDF手册
2SK3677-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
Super FAP-G Series  
TO-220F  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Ratings  
700  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDS  
V
VDSX *5  
ID  
700  
±12  
±48  
±30  
12  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
ID(puls]  
VGS  
Equivalent circuit schematic  
V
Gate-source voltage  
A
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR *2  
Drain(D)  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
EAS*1  
276.7  
40  
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
5
°C  
°C  
2.16  
Gate(G)  
95  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
°C  
Source(S)  
Tstg  
°C  
Viso *6  
2
kVrms  
<
*1 L=3.53mH, Vcc=70V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph  
*2 Tch=150°C  
<
<
<
<
*4 VDS 700V *5 VGS=-30V *6 t=60sec, f=60Hz  
*3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
ID=250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
700  
µ
V
ID= 250 A  
3.0  
5.0  
µA  
25  
VDS=700V VGS=0V  
VDS=560V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VGS=±30V  
ID=6A  
VDS=0V  
100  
VGS=10V  
Ω
S
0.72  
0.93  
6
12  
1100  
170  
11  
ID=6A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
pF  
1650  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
255  
17  
36  
12  
72  
17  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
ns  
VCC=300V ID=6A  
VGS=10V  
24.5  
7.5  
47.5  
10  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
QG  
QGS  
QGD  
IAV  
nC  
Total Gate Charge  
31  
46.5  
VCC=350V  
ID=12A  
4.5  
11  
8
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
16.5  
VGS=10V  
12  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=3.53mH Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
0.90  
1.50  
V
IF=12A VGS=0V Tch=25°C  
IF=12A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
2.6  
µs  
µC  
16.0  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.316  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
2SK3677-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25°C  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
20  
15  
10  
5
20V  
10V  
8.0V  
7.0V  
6.5V  
6.0V  
VGS=5.5V  
0
0
5
10  
15  
20  
25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
VDS [V]  
Tc [°C]  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
100  
10  
1
10  
1
0.1  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0.1  
1
10  
VGS[V]  
ID [A]  
Drain-Source On-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=6A,VGS=10V  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
VGS=5.5V  
6.0V  
6.5V  
7.0V  
8.0V  
10V  
20V  
max.  
typ.  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
5
10  
15  
20  
Tch [°C]  
ID [A]  
2
2SK3677-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
VGS=f(Qg):ID=12A,Tch=25°C  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
12  
10  
8
Vcc= 140V  
350V  
560V  
max.  
min.  
6
4
2
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
Tch [°C]  
Qg [nC]  
Typical Capacitance  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25°C  
101  
10  
Ciss  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
Coss  
Crss  
1
0.1  
0.00  
100  
101  
102  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
VDS [V]  
VSD [V]  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=10 Ω  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
E(AS)=f(starting Tch):Vcc=70V  
103  
102  
101  
100  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
IAS=5A  
tf  
IAS=8A  
td(off)  
IAS=12A  
td(on)  
tr  
10-1  
100  
101  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
ID [A]  
3
2SK3677-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=70V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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