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2SK3012

型号：

2SK3012

描述：

VX - 2系列功率MOSFET （ 600V 12A ）[ VX-2 Series Power MOSFET(600V 12A) ]

品牌：

SHINDENGEN[ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]

页数：

12 页

PDF大小：

429 K

下载PDF手册
SHINDENGEN  
VX-2 Series Power MOSFET  
N-Channel Enhancement type  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SK3012  
Case : MTO-3P  
(Unit : mm)  
(F16W60VX2)  
600V 12A  
FEATURES  
●Input capacitance (Ciss) is small.  
Especially, input capacitance  
at 0 biass is small.  
●The static Rds(on) is small.  
●The switching time is fast.  
●Avalanche resistance guaranteed.  
APPLICATION  
●Switching power supply of  
AC 100-200V input  
●Inverter  
●Power Factor Control Circuit  
RATINGS  
●Absolute Maximum Ratings （Tc = 25℃）  
Item  
Symbol  
Tstg  
Tch  
VDSS  
VGSS  
ID  
Conditions  
Ratings  
Unit  
℃
Storage Temperature  
-55～150  
150  
600  
±30  
16  
Channel Temperature  
Drain-Source Voltage  
V
A
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current（DC）  
Continuous Drain Current（Peak)  
Continuous Source Current（DC）  
Total Power Dissipation  
IDP  
IS  
PT  
48  
16  
125  
16  
0.8  
W
A
N･m  
Single Pulse Avalanche Current  
Mounting Torpue  
IAS  
TOR (Recommended torque : 0.5N･m）  
Tch = 25℃  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK3012( F16W60VX2 )  
VX-2 Series Power MOSFET  
●Electrical Characteristics Tc = 25℃  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage Current  
Forward Tranｓconductance  
V(BR)DSS ID = 1mA, VGS = 0V  
600  
V
μA  
IDSS  
IGSS  
gfs  
VDS = 600V, VGS = 0V  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
ID = 8A, VDS = 10V  
250  
±0.1  
6.2 10.0  
S
Ω
V
Static Drain-Source On-ｓtate Resistance RDS(ON) ID = 8A, VGS = 10V  
0.45 0.6  
Gate Threshold Voltage  
Source-Drain Diode Forward Voltage  
Thermal Resistance  
VTH  
VSD  
ID = 1mA, VDS = 10V  
2.5  
3
3.5  
1.5  
1
IS = 8A, VGS = 0V  
θjc junction to case  
℃/Ｗ  
nC  
Total Gate Charge  
Qg  
Ciss  
Crss  
Coss  
ton  
VGS = 10V, ID = 16A, VDD = 400V  
85  
2300  
180  
480  
Input Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHZ  
ID = 8A, VGS = 10V, RL = 19Ω  
pF  
ns  
130 280  
Turn-Off Time  
toff  
260 500  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK3012  
Transfer Characteristics  
32  
28  
24  
20  
16  
12  
8
Tc = - 55°C  
25°C  
100°C  
150°C  
V
DS  
= 25V  
4
pulse test  
TYP  
0
0
5
10  
15  
20  
Gate-Source Voltage VGS [V]  
2SK3012 Static Drain-Source On-state Resistance  
10  
1
I = 8A  
D
0.1  
V
GS  
= 10V  
pulse test  
TYP  
0.01  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK3012  
Gate Threshold Voltage  
6
5
4
3
2
1
0
V
= 10V  
DS  
I = 1mA  
D
TYP  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK3012  
Safe Operating Area  
100  
10  
100ms  
200ms  
R
DS(ON)  
limit  
1ms  
1
10ms  
DC  
0.1  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
0.01  
1
10  
100  
1000  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
C ° / W ] j c q ( t ) [  
T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d  
2SK3012 Single Avalanche Energy Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Starting Channel Temperature Tch [°C]  
2SK3012  
Capacitance  
10000  
1000  
100  
Ciss  
Coss  
Crss  
f=1MHz  
Tc=25°C  
TYP  
10  
0
20  
40  
60  
80  
100  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
A S  
[ A ]  
S i n g l e A v a l a n c h e C u r r e n t I  
2SK3012  
Power Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK3012  
Gate Charge Characteristics  
500  
400  
300  
200  
100  
0
20  
15  
10  
5
V
DS  
V
DD  
= 400V  
200V  
V
GS  
100V  
I = 16A  
TYP  
D
0
0
50  
100  
150  
200  
Gate Charge Qg [nC]  
厂商 型号 描述 页数 下载

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