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BD706

型号：

BD706

描述：

硅PNP功率晶体管[ Silicon PNP Power Transistor ]

品牌：

ISC[ INCHANGE SEMICONDUCTOR COMPANY LIMITED ]

页数：

2 页

PDF大小：

227 K

下载PDF手册
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon PNP Power Transistor  
BD706  
DESCRIPTION  
·DC Current Gain -  
: hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A  
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-  
: VCEO(SUS)= -45V(Min.)  
·Complement to Type BD705  
APPLICATIONS  
·Designed for use in power linear and switching applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)  
SYMBOL  
VCBO  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
VALUE  
-45  
UNIT  
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage VBE= 0  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
-45  
V
-45  
V
-5  
V
Collector Current-Continuous  
Base Current-Continuous  
-12  
A
IB  
-5  
A
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
PC  
75  
W
℃
℃
TJ  
Junction Temperature  
150  
-65~150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
1.67  
70  
UNIT  
℃/W  
℃/W  
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Rth j-c  
Rth j-a  
isc Website：www.iscsemi.cn  
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon PNP Power Transistor  
BD706  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
TC=25℃ unless otherwise specified  
SYMBOL  
VCEO(SUS)  
VCE(  
PARAMETER  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Collector Cutoff Current  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
CONDITIONS  
MIN  
MAX  
UNIT  
V
IC= -100mA; IB= 0  
-45  
IC= -4A; IB= -0.4A  
IC= -4A; VCE= -4V  
VCE= -22V; IB= 0  
-1.0  
-1.5  
-1.0  
V
)
sat  
V
VBE(  
)
on  
ICEO  
mA  
mA  
mA  
V
CB= -45V; IE= 0  
VCB= -45V; IE= 0; TC= 150℃  
-0.1  
-1.0  
ICBO  
IEBO  
hFE-1  
hFE-2  
hFE-3  
hFE-4  
fT  
VEB= -5V; IC= 0  
-1.0  
400  
DC Current Gain  
IC= -0.5A; VCE= V  
IC= -2A; VCE= -2V  
IC= -4A; VCE= -4V  
IC= -10A; VCE= -4V  
IC= -0.3A; VCE= -3V  
40  
30  
20  
5
DC Current Gain  
DC Current Gain  
150  
DC Current Gain  
Current-Gain—Bandwidth Product  
3
MHz  
2
isc Website：www.iscsemi.cn  
厂商 型号 描述 页数 下载

YAGEO

 		BD7.7/2.3/7.6-4S2 [ 1 FUNCTIONS, FERRITE BEAD ] 3 页

ETC

 		BD7001 BI7001是一颗5Wx6通道12V的数字放大器Driver，可以搭配BI2008、BI2009或BI3010來提供輸出功率，來達到增加輸出功率的效果。[ BI7001是一顆5Wx6 channels 12V的 Digital Amplifier Driver，可以搭配BI2008、BI2009或BI3010來提供輸出功率，來達到增加輸出功率的效果。 ] 22 页

ROHM

 		BD7003NUX 硅单片集成电路[ Silicon Monolithic Integrated Circuit ] 5 页

ROHM

 		BD7003NUX-E2 双路，低压差线性稳压器[ Dual, Low-Dropout Linear Regulator ] 14 页

ROHM

 		BD7003NUX_11 CMOS LDO稳压器用于便携式设备双路，低压差线性稳压器[ CMOS LDO Regulator for Portable Equipments Dual, Low-Dropout Linear Regulator ] 14 页

ROHM

 		BD7004NUX CMOS LDO稳压器用于便携式设备双路，低压差线性稳压器[ CMOS LDO Regulator for Portable Equipments Dual, Low-Dropout Linear Regulator ] 14 页

ROHM

 		BD7004NUX-E2 [ Adjustable Positive LDO Regulator, ] 16 页

STMICROELECTRONICS

 		BD705 NPN功率晶体管[ NPN POWER TRANSISTORS ] 5 页

ISC

 		BD705 硅NPN功率晶体管[ Silicon NPN Power Transistor ] 2 页

STMICROELECTRONICS

 		BD706 NPN功率晶体管[ NPN POWER TRANSISTORS ] 5 页

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