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2SK3335

型号:

2SK3335

品牌:

SANYO[ SANYO SEMICON DEVICE ]

页数:

4 页

PDF大小:

110 K

注文コーNo. N 7 2 1 6  
N 7216  
No.  
50902  
N チャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
2SK3335  
超高速スイッチング用  
特長 ・低オン抵抗。  
・4V 駆動。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
許容損失  
V
V
60  
DSS  
GSS  
±20  
V
I
D
8
A
I
DP  
PW 10µs,dutycycle1%  
32  
A
P
1
W
D
Tc=25℃  
15  
150  
W
チャネル温度  
保存周囲温度  
Tch  
Tstg  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
m in  
60  
typ  
m ax unit  
V
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0  
GS  
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=60V,V =0  
GS  
10  
±10  
2.4  
µA  
µA  
V
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
16V,V =0  
DS  
V
(off)  
=10V,I =1m A  
D
1.0  
3.8  
GS  
yfs  
=10V,I =4A  
D
5.5  
115  
150  
S
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)  
(on)  
I =4A,V =10V  
D GS  
150 m Ω  
210 m Ω  
DS  
DS  
I =4A,V =4V  
D GS  
次ページへ続く。  
外形図ꢀ2092B  
外形図ꢀ2083B  
(unit:m m )  
(unit:m m )  
6.5  
2.3  
6.5  
5.0  
4
2.3  
5.0  
4
0.5  
0.5  
0.5  
0.85  
0.7  
0.85  
1
2
3
1.2  
1:Gate  
0.6  
1.2  
00.2  
2:Drain  
3:Source  
4:Drain  
0.6  
0.5  
1:Gate  
2:Drain  
3:Source  
4:Drain  
1
2
3
2.3  
2.3  
SANYO :TP-FA  
2.3  
2.3  
SANYO :TP  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
50902TS IM TA-2237 No.7216-1/4  
2SK3335  
前ページより続く。  
m in  
typ  
220  
75  
25  
6
m ax unit  
入力容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
V
V
=20V,f=1M Hz  
=20V,f=1M Hz  
=20V,f=1M Hz  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
nC  
nC  
nC  
DS  
DS  
DS  
出力容量  
帰還容量  
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
ターンオフ遅延時間  
下降時間  
t (on)  
d
指定回路において  
ꢀꢀꢀ 〃  
t
r
15  
25  
15  
8
t (off)  
d
ꢀꢀꢀ 〃  
t
f
ꢀꢀꢀ 〃  
総ゲート電荷量  
ゲート・ソース電荷量  
ゲート・ドレイン電荷量  
ダイオード順電圧  
Qg  
Qgs  
Qgd  
V
=10V,V =10V,I =8A  
GS  
1.5  
2
DS  
D
V
I =8A,V =0  
S GS  
0.95  
1.2  
V
SD  
スイッチングタイム測定回路図  
V
V
=30V  
DD  
IN  
10V  
0V  
I
=4A  
D
V
IN  
R =7.5  
L
D
V
OUT  
PW=10µs  
D.C.1%  
G
2SK3335  
P. G  
50Ω  
S
I
D
-- V  
I -- V  
D GS  
DS  
10  
9
18  
16  
14  
12  
10  
8
8
7
6
5
4
6
3
3.0V  
4
2
2
0
1
0
V
=2.5V  
GS  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
1
2
3
4
5
6
7
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
IT04480  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
IT04481  
DS  
GS  
R
(on) -- V  
R
(on) -- Tc  
DS  
GS  
DS  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
I =4A  
D
Tc=25°C  
I =4A  
V
=4V  
GS  
D
50  
0
50  
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
--60 --40 --20  
0
20  
40  
60  
80  
100 120  
140  
ゲート・ソース電圧, V  
-- V  
IT04482  
ケース温度, Tc -- °C  
IT04483  
GS  
No.7216-2/4  
2SK3335  
y-- I  
I -- V  
F
D
SD  
10  
3
2
V
=0  
V
=10V  
7
5
GS  
DS  
10  
3
2
7
5
3
2
1.0  
7
5
1.0  
7
5
3
2
3
2
0.1  
0.1  
7
5
7
5
3
2
3
2
0.01  
0.01  
0.2  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
IT04485  
0.001  
0.01  
0.1  
ドレイン電流, I -- A  
1.0  
10  
IT04484  
ダイオード順電圧, V  
V
-- V  
SD  
D
Ciss, Coss, Crss -- V  
-- Qg  
DS  
GS  
7
5
12  
10  
8
f=1M Hz  
V
=10V  
DS  
I =8A  
D
3
2
Ci
100  
6
7
5
4
3
2
2
0
10  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
IT04486  
総ゲート電荷量, Gg -- nC  
IT04487  
DS  
A S O  
SW Tim e -- I  
D
2
7
5
V
V
=30V  
=10V  
<10µs  
I
DP  
=32A  
DD  
GS  
3
2
100  
7
5
I =8A  
D
10  
7
5
10m s  
3
2
3
2
1.0  
7
5
10  
3
2
t (on)  
d
7
5
Operation in this  
areaislim ited byR (on).  
0.1  
7
5
t
r
DS  
3
2
3
2
Tc=25°C  
1パルス  
1.0  
0.01  
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5 7  
100  
0.1  
1.0  
ドレイン電流, I -- A  
10  
0.01  
0.1  
1.0  
10  
IT04488  
ドレイン・ソース電圧, V  
P
-- V  
IT04489  
D
-- Ta  
DS  
P
-- Tc  
D
D
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
20  
18  
16  
15  
14  
12  
10  
8
6
4
0.2  
0
2
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
周囲温度, Ta -- °C  
IT04491  
ケース温度, Tc -- °C  
IT04490  
No.7216-3/4  
2SK3335  
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ  
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では  
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。  
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障  
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与  
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、  
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。  
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する  
際に同法に基づく輸出許可が必要です。  
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。  
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した  
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。  
この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す  
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用  
にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。  
PS No.7216-4/4  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形FET ] 3 页

ETC

2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 40uA的我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

2SK0198(2SK198) 2SK0198 ( 2SK198 ) - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PDF索引:

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1

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IC型号索引:

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4

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