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2SK3537-01MR

型号：

2SK3537-01MR

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

117 K

下载PDF手册
2SK3537-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
200304  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
Super FAP-G Series  
TO-220F  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
150  
Unit  
V
Drain-source voltage  
VDSX *5  
ID  
130  
±33  
±132  
±20  
33  
V
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
A
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR *2  
Drain(D)  
A
EAS*1  
169  
20  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt *4  
dV/dt *3  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
5
°C  
°C  
2.16  
Gate(G)  
53  
+150  
-55 to +150  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=0.228mH, Vcc=48V,Tch=25°C, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch=150°C  
<
<
<
<
*4 VDS 150V *5 VGS=-20V  
*3 IF=-ID, -di/dt=50A/µs, Vcc=BVDSS, Tch=150°C  
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
150  
ID=250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
µ
1.0  
2.5  
ID= 250 A  
µA  
VDS=150V VGS=0V  
VDS=120V VGS=0V  
25  
250  
100  
90  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
IGSS  
nA  
Gate-source leakage current  
VGS=±20V  
ID=11.5A  
10  
65  
VDS=0V  
VGS=4V  
VGS=5V  
VGS=10V  
RDS(on)  
Drain-source on-state resistance  
mΩ  
60  
81  
54  
70  
gfs  
ID=11.5A VDS=25V  
S
12  
24  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
Ciss  
1900  
200  
17  
2850  
300  
pF  
VDS=75V  
VGS=0V  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
25.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=48V ID=11.5A  
ns  
10  
15  
23  
VGS=10V  
15  
85  
128  
18  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
12  
46  
70  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=48V  
ID=23A  
8
12  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
12.5  
19  
VGS=10V  
33  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
µ
L=228 H Tch=25°C  
1.10  
1.65  
VSD  
trr  
Qrr  
V
IF=23A VGS=0V Tch=25°C  
IF=23A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
0.13  
0.6  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
2.359  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
2SK3537-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
EAS=f(starting Tch):Vcc=48V  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
500  
400  
300  
200  
100  
0
60  
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
IAS=14A  
IAS=20A  
IAS=33A  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tc [°C]  
starting Tch [°C]  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
100  
10  
1
55  
50  
45  
40  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
5.0V  
20V 10V 8V  
4.5V  
4.0V  
VGS=3.5V  
0.1  
0
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0  
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0  
VDS [V]  
VGS[V]  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80µs Pulse test, VDS=25V,Tch=25°C  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80µs Pulse test, Tch=25°C  
100  
10  
1
0.16  
VGS=3.5V  
4.0V  
0.14  
0.12  
0.10  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0.00  
4.5V  
5.0V  
8V  
10V  
20V  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0
10  
20  
30  
ID [A]  
40  
50  
ID [A]  
2
2SK3537-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Drain-Source On-state Resistance  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
RDS(on)=f(Tch):ID=11.5A,VGS=10V  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
0.20  
0.18  
0.16  
0.14  
0.12  
0.10  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0.00  
max.  
max.  
typ.  
min.  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
Tch [°C]  
Tch [°C]  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS=f(Qg):ID=23A, Tch=25°C  
Typical Capacitance  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
24  
10n  
1n  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
Ciss  
Vcc= 48V  
Coss  
100p  
10p  
1p  
Crss  
6
4
2
0
10-1  
100  
101  
102  
103  
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100  
Qg [nC]  
VDS [V]  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
IF=f(VSD):80µs Pulse test,Tch=25°C  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=48V, VGS=10V, RG=10Ω  
103  
102  
101  
100  
100  
10  
1
td(off)  
VGS=10V  
VGS=0V  
tf  
td(on)  
tr  
0.1  
10-1  
100  
101  
102  
0.00  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
VSD [V]  
ID [A]  
3
2SK3537-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=48V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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