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2SK3681-01

型号：

2SK3681-01

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

121 K

下载PDF手册
2SK3681-01  
200401  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
11.6±0.2  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol Ratings  
Unit  
Remarks  
V
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
600  
600  
±43  
±172  
±30  
43  
V
A
A
V
A
VGS=-30V  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Non-Repetitive  
ID(puls]  
VGS  
IAS  
Tch=25°C  
*1  
<
Maximum avalanche current  
Repetitive or  
Equivalent circuit schematic  
A
Tch 150°C  
=
IAR  
21.5  
*1  
Maximum avalanche current  
Non-Repetitive  
mJ  
L=802µH  
VCC=60V *2  
EAS  
808.9  
Drain(D)  
Maximum avalanche energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
<
kV/s  
VDS 600V  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
=
kV/µs *3  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
W
2.50  
Gate(G)  
600  
Source(S)  
°C  
°C  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
-55 to +150  
Tstg  
*1 See to Avalanche Current Graph  
*2 See to Avalanche Energy Graph  
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, VCC BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Item  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
µ
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
600  
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
µ
V
3.0  
5.0  
25  
ID= 250 A  
µA  
Tch=25°C  
VDS=600V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=26A VGS=10V  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
0.12  
0.16  
Ω
15  
30  
5360  
680  
40  
S
ID=21.5A VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
8040  
1020  
60  
pF  
VDS=25V  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=21.5A  
ns  
80  
120  
131  
285  
66  
87  
VGS=10V  
190  
44  
Turn-off time toff  
td(off)  
tf  
RGS=10 Ω  
112  
34  
168  
51  
nC  
Total Gate Charge  
QG  
VCC=300V  
ID=43A  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
40  
60  
VGS=10V  
43  
µ
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=802 H Tch=25°C  
1.00  
0.98  
22.0  
1.50  
V
VSD  
IF=43A VGS=0V Tch=25°C  
IF=43A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
µs  
µC  
trr  
Qrr  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.208  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
50.0  
°C/W  
1
2SK3681-01  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
120  
110  
100  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
20V  
10V  
8V  
7.0V  
6.5V  
VGS=6.0V  
0
4
8
12  
16  
20  
24  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
VDS [V]  
Tc [°C]  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C  
100  
100  
10  
1
10  
1
0.1  
0.1  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0.1  
1
10  
100  
VGS[V]  
ID [A]  
Drain-Source On-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=26A,VGS=10V  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
VGS=6V  
6.5V  
7.5V  
8V  
10V  
max.  
20V  
typ.  
0
20  
40  
60  
80  
100  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
ID [A]  
2
2SK3681-01  
FUJI POWER MOSFET  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS=f(Qg):ID=43A,Tch=25 °C  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
14  
12  
10  
8
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
Vcc= 120V  
300V  
max.  
min.  
480V  
6
4
2
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160 180 200  
Qg [nC]  
Tch [°C]  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Typical Capacitance  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
105  
104  
103  
102  
101  
1000  
100  
10  
Ciss  
Coss  
Crss  
1
0.1  
100  
101  
VDS [V]  
102  
103  
0.00 0.25 0.50 0.75 1.00 1.25 1.50 1.75 2.00 2.25 2.50  
VSD [V]  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
I(AV)=f(starting Tch):Vcc=60V  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=10  
Ω
103  
102  
101  
100  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
td(off)  
td(on)  
Non-Repetitive  
(Single Pulse)  
tf  
tr  
Repetitive  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
200  
10-1  
100  
101  
102  
starting Tch [°C]  
ID [A]  
3
2SK3681-01  
FUJI POWER MOSFET  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=60V,I(AV)<=43A  
2500  
2000  
1500  
1000  
500  
IAS=18A  
IAS=26A  
IAS=43A  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=60V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maxmum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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