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2SK3694-01L

型号：

2SK3694-01L

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

262 K

下载PDF手册
2SK3694-01L,S,SJ  
200305  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
T-Pack  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
Ratings  
Unit  
V
450  
450  
±17  
±68  
±30  
17  
VDSX *5  
ID  
V
A
Equivalent circuit schematic  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
ID(puls]  
VGS  
IAR  
A
Drain(D)  
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
*2  
*1  
A
EAS  
221.9  
20  
mJ  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
kV/µs  
Gate(G)  
*3  
5
kV/µs  
W
°C  
°C  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
1.67  
225  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
+150  
°C  
°C  
-55 to +150  
Tstg  
<
*1 L=1.41mH, Vcc=45V, Tch=25°C See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*4 VDS 450V *5 VGS=-30V  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
450  
µ
V
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
25  
µA  
VDS=450V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=360V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=8.5A VGS=10V  
ID=8.5A VDS=25V  
VDS=25V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
Ω
0.29  
0.38  
S
7
14  
1275  
200  
Ciss  
pF  
1900  
300  
14  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
9.5  
f=1MHz  
VCC=300V ID=8.5A  
ns  
27  
27  
48  
7
40  
VGS=10V  
40  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
72  
RGS=10 Ω  
11  
QG  
33  
9
50  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=225V  
ID=17A  
QGS  
QGD  
IAV  
13  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
10.5  
16  
VGS=10V  
17  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=1.41mH Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
1.20  
1.80  
V
IF=17A VGS=0V Tch=25°C  
IF=17A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
0.57  
6.5  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.556  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
1
2SK3694-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
20V  
10V  
30  
25  
20  
15  
10  
5
8V  
7.5V  
7.0V  
VGS=6.5V  
0
0
0
4
8
12  
16  
20  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
VDS [V]  
Tc [°C]  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
10  
10  
1
1
0.1  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
0.1  
1
10  
VGS[V]  
ID [A]  
Drain-Source On-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=8.5A,VGS=10V  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
VGS=6.5V  
7.5V  
7.0V  
8V  
max.  
10V  
typ.  
20V  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
Tch [°C]  
ID [A]  
2
2SK3694-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA  
VGS=f(Qg):ID=17A,Tch=25°C  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
14  
12  
10  
8
Vcc= 90V  
225V  
360V  
max.  
min.  
6
4
2
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
45  
50  
Tch [°C]  
Qg [nC]  
Typical Capacitance  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25°C  
101  
Ciss  
Coss  
Crss  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10  
1
0.1  
0.00  
10-1  
100  
101  
102  
103  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
1.75  
2.00  
VDS [V]  
VSD [V]  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
EAS=f(starting Tch):Vcc=45V  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=10Ω  
103  
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
IAS=7A  
tf  
102  
101  
100  
td(off)  
IAS=11A  
IAS=17A  
td(on)  
tr  
10-1  
100  
101  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
ID [A]  
3
2SK3694-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=45V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
Outline Drawings (mm)  
Type(L)  
Type(S)  
Type(SJ)  
4
1
2
3
1
2
3
4
1
2
3
1
2 3  
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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