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2SK3726-01MR

型号：

2SK3726-01MR

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

116 K

下载PDF手册
2SK3726-01MR  
200305  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
TO-220F  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
Ratings  
Unit  
V
450  
±3  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
ID  
A
A
Equivalent circuit schematic  
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±12  
±30  
3
Gate-source voltage  
V
Drain(D)  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
*2  
*1  
A
EAS  
92.8  
mJ  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
20  
5
kV/µs  
*3  
kV/µs  
W
°C  
°C  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
2.16  
17  
Gate(G)  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
+150  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
°C  
VISO *6  
2000  
Vrms  
<
*1 L=18.9mH, Vcc=45V, Tch=25°C See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*4 VDS 450V *6 f=60Hz, t=60sec.  
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
450  
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
µ
3.0  
5.0  
25  
V
ID= 250 A  
VDS=VGS  
µA  
VDS=450V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=360V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=1.5A VGS=10V  
ID=1.5A VDS=25V  
VDS=25V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
1.92  
2.5  
235  
2.50  
Ω
1.25  
S
Ciss  
355  
65  
3
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
42  
2
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=1.5A  
ns  
16  
4
24  
6
VGS=10V  
23  
6
35  
9
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
10.5  
5.5  
1.0  
16  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=225V  
ID=3A  
8.3  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
1.5  
VGS=10V  
3
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=18.9mH Tch=25°C  
1.00  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
V
IF=3A VGS=0V Tch=25°C  
IF=3A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
0.28  
1.4  
µs  
µC  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
7.35  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
2SK3726-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
8
7
6
5
4
3
2
1
0
20V  
10V  
8V  
7.5V  
7.0V  
6
VGS=6.5V  
4
2
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24  
VDS [V]  
Tc [°C]  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
10  
10  
1
1
0.1  
0.1  
0.1  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
1
10  
VGS[V]  
ID [A]  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C  
Drain-Source On-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=1.5A,VGS=10V  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
8
7
6
5
4
3
2
1
0
7.0V  
VGS=6.5V  
7.5V  
8V  
10V  
20V  
max.  
typ.  
0
1
2
3
4
5
6
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
ID [A]  
2
2SK3726-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
VGS=f(Qg):ID=3A,Tch=25°C  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
14  
12  
10  
8
Vcc= 90V  
max.  
min.  
225V  
360V  
6
4
2
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
Tch [°C]  
Qg [nC]  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25°C  
Typical Capacitance  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10  
Ciss  
Coss  
1
Crss  
0.1  
0.00  
100  
101  
102  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
1.75  
2.00  
VSD [V]  
VDS [V]  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
EAS=f(starting Tch):Vcc=45V  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=10Ω  
103  
102  
101  
100  
10-1  
250  
200  
150  
100  
50  
IAS=1.2A  
tf  
td(off)  
IAS=1.8A  
td(on)  
tr  
IAS=3A  
0
10-1  
100  
101  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
ID [A]  
starting Tch [°C]  
3
2SK3726-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=45V  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/denshi/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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