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2SK3753-01R

型号：

2SK3753-01R

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

128 K

下载PDF手册
2SK3753-01R  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
200406  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
No secondary breakdown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Drain(D)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
ID  
±13  
A
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±52  
A
Gate(G)  
±30  
V
Note *1  
Note *2  
13  
A
Source(S)  
EAS  
216.7  
mJ  
<
Note *1:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
Note *2:StartingTch=25°C,IL=2.36mH,VCC=60V  
EAS limited by maximum channel temperature  
and Avalanche current.  
<
VDS 600V  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
kV/µs  
kV/µs  
W
=
Note *4  
5
95  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *3:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Thermal impedance’  
graph.  
3.13  
Operating and Storage  
Temperature range  
Isolation Voltage  
Tch  
+150  
-55 to +150  
2
°C  
Tstg  
VISO  
°C  
t=60sec. f=60Hz  
kVrms  
<
<
<
Note *4:IF -ID, -di/dt = 50A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
600  
3.0  
µ
V
ID= 250 A  
5.0  
µA  
25  
Tch=25°C  
VDS=600V VGS=0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
µA  
Tch=125°C  
250  
VDS=480V VGS=0V  
IGSS  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=6A VGS=10V  
nA  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
10  
100  
RDS(on)  
gfs  
0.50  
0.65  
Ω
S
ID=6A VDS=25V  
VDS=25V  
VGS=0V  
5.5  
11  
1600  
160  
7
Ciss  
pF  
2400  
240  
10.5  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output Capacitance  
f=1MH  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
ns  
VCC=300V  
ID=6A  
18  
27  
16  
24  
td(off)  
tf  
35  
50  
Turn-Off Time toff  
VGS=10V  
8
15  
RGS=10 Ω  
QG  
34  
51  
nC  
VCC=300V  
Total Gate Charge  
12.5  
19  
QGS  
QGD  
IAV  
ID=12A  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
11.5  
17.5  
VGS=10V  
13  
A
L=2.36mH Tch=25°C  
Avalanche Capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
0.75  
6.5  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
V
IF=12A VGS=0V Tch=25°C  
IF=12A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
µs  
µC  
Thermal characteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
1.32  
°C/W  
Thermal resistance  
°C/W  
40.0  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
2SK3753-01R  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Safe operating area  
ID=f(VDS):Single Pulse,Tc=25°C  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
102  
101  
100  
10-1  
250  
200  
150  
100  
50  
t=  
1µs  
10µs  
D.C.  
100µs  
1ms  
10ms  
100ms  
0
100  
101  
102  
103  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tc [°C]  
VDS [V]  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
30  
28  
26  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
20V  
10V  
8V  
10  
7.5V  
7.0V  
1
VGS=6.5V  
6
4
0.1  
2
0
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
22  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VDS [V]  
VGS[V]  
Typical Transconductance  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
100 gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25°C  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
0.3  
0.2  
0.1  
0.0  
VGS=6.5V  
7.0V  
7.5V  
10  
8V  
10V  
20V  
1
0.1  
0.1  
1
10  
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26  
ID [A]  
ID [A]  
2
2SK3753-01R  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
Drain-Source On-state Resistance  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA  
RDS(on)=f(Tch):ID=6A,VGS=10V  
2.0  
1.8  
1.6  
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0.0  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
max.  
min.  
max.  
typ.  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
Tch [°C]  
Typical Gate Charge Characteristics  
Typical Capacitance  
VGS=f(Qg):ID=12A,Tch=25°C  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
24  
22  
20  
18  
16  
14  
12  
10  
8
10n  
1n  
Vcc= 120V  
Ciss  
300V  
480V  
100p  
10p  
1p  
Coss  
Crss  
6
4
2
0
10-1  
100  
101  
102  
103  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
Qg [nC]  
VDS [V]  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25°C  
t=f(ID):Vcc=300V,VGS=10V,RG=10 Ω  
100  
10  
1
102  
101  
100  
tr  
td(off)  
td(on)  
tf  
0.1  
0.00  
100  
101  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
1.75  
2.00  
VSD [V]  
ID [A]  
3
2SK3753-01R  
FUJI POWER MOSFET  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
EAS=f(starting Tch):Vcc=60V  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
IAS=6A  
IAS=8A  
IAS=13A  
0
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
Maximum Avalanche Current vs Pulse width  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=60V  
102  
Single Pulse  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

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ETC

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PANASONIC

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ETC

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