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2SK3770-01MR

型号：

2SK3770-01MR

描述：

N沟道硅功率MOSFET[ N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET ]

品牌：

FUJI[ FUJI ELECTRIC ]

页数：

4 页

PDF大小：

96 K

下载PDF手册
2SK3770-01MR  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
200407  
TO-220F  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
No secondary breakdown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Item  
Symbol  
Ratings  
120  
Unit  
V
Remarks  
Drain(D)  
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
90  
V
VGS=-30V  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
Gate-Source Voltage  
26  
A
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±104  
±30  
A
V
Gate(G)  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
26  
A
Note *1  
Note *2  
Source(S)  
EAS  
342.2  
mJ  
<
Note *1:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
Note *2:StartingTch=25°C,IAS=11A,L=3.77mH,  
EAR  
3.7  
mJ  
Note *3  
VCC=48V,RG=50Ω  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
EAS limited by maximum channel temperature  
and Avalanche current.  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
kV/µs  
<
VDS 120V  
=
kV/µs Note *4  
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *3:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Thermal impedance’  
graph.  
37  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
W
2.16  
+150  
Operating and Storage  
Temperature range  
Isolation Voltage  
Tch  
°C  
°C  
Tstg  
VISO  
-55 to +150  
2
t=60sec. f=60Hz  
kVrms  
<
<
<
Note *4:IF -ID, -di/dt = 50A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
Drain-Source Breakdown Voltage  
Gate Threshold Voltage  
120  
3.0  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
µA  
nA  
VDS=120V VGS=0V  
VDS=96V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
78  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transconductance  
Input Capacitance  
ID=13A VGS=10V  
63  
12  
mΩ  
S
6
ID=13A VDS=25V  
VDS=75V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
760  
170  
11  
1140  
255  
17  
pF  
VGS=0V  
Output Capacitance  
f=1MH  
VCC=48V  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
ns  
13  
20  
ID=13A  
5
7.5  
20  
30  
11  
39  
18  
11  
td(off)  
tf  
VGS=10V  
Turn-Off Time toff  
7.5  
RGS=10 Ω  
VCC=60V  
26  
12  
7
QG  
nC  
Total Gate Charge  
ID=26A  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
1.00  
130  
0.7  
1.50  
IF=26A VGS=0V Tch=25°C  
IF=26A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermal characteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
3.378 °C/W  
Thermal resistance  
°C/W  
58  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
2SK3770-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Characteristics  
Allowable Power Dissipation  
PD=f(Tc)  
Typical Output Characteristics  
ID=f(VDS):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
50  
40  
30  
20  
10  
0
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
20V  
10V  
8.0V  
7.5V  
7.0V  
6.5V  
6.0V  
VGS=5.5V  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
1
2
3
4
5
6
VDS [V]  
Tc [°C]  
Typical Transfer Characteristic  
ID=f(VGS):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25 °C  
Typical Transconductance  
gfs=f(ID):80 µs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C  
100  
10  
1
100  
10  
1
0.1  
0.1  
0.1  
1
10  
100  
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10  
VGS[V]  
ID [A]  
Typical Drain-Source on-state Resistance  
RDS(on)=f(ID):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
Drain-Source On-state Resistance  
RDS(on)=f(Tch):ID=13A,VGS=10V  
0.24  
0.18  
0.16  
0.14  
0.12  
0.10  
0.08  
0.06  
0.04  
0.02  
0.00  
6.0V 6.5V  
VGS=5.5V  
7.0V  
7.5V  
8.0V  
0.20  
0.16  
0.12  
0.08  
max.  
typ.  
10V  
20V  
0.04  
0
10  
20  
30  
40  
50  
60  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
Tch [°C]  
ID [A]  
2
2SK3770-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Gate Threshold Voltage vs. Tch  
Typical Gate Charge Characteristics  
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250µA  
VGS=f(Qg):ID=26A,Tch=25 °C  
7.0  
6.5  
6.0  
5.5  
5.0  
4.5  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
14  
12  
10  
8
Vcc=60V  
max.  
min.  
6
4
2
0
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
Tch [°C]  
Qg [nC]  
Typical Capacitance  
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode  
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz  
IF=f(VSD):80 µs pulse test,Tch=25 °C  
100  
10  
1
103  
102  
101  
Ciss  
Coss  
Crss  
0.1  
0.00  
100  
101  
102  
0.25  
0.50  
0.75  
1.00  
1.25  
1.50  
VSD [V]  
VDS [V]  
Maximum Avalanche Energy vs. starting Tch  
E(AV)=f(starting Tch):Vcc=48V,I(AV)<=26A  
Typical Switching Characteristics vs. ID  
t=f(ID):Vcc=48V,VGS=10V,RG=10 Ω  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
IAS=11A  
tf  
td(off)  
td(on)  
102  
101  
100  
IAS=16A  
IAS=26A  
tr  
0
10-1  
100  
101  
102  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
starting Tch [°C]  
ID [A]  
3
2SK3770-01MR  
FUJI POWER MOSFET  
Maximum Avalanche Current Pulsewidth  
IAV=f(tAV):starting Tch=25°C,Vcc=48V  
102  
101  
100  
10-1  
10-2  
Single Pulse  
10-8  
10-7  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
tAV [sec]  
Maximum Transient Thermal Impedance  
Zth(ch-c)=f(t):D=0  
101  
100  
10-1  
10-2  
10-3  
10-6  
10-5  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
t [sec]  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
4
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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