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2SK2489

型号：

2SK2489

描述：

VZ系列功率MOSFET （ 180V 10A ）[ VZ Series Power MOSFET(180V 10A) ]

品牌：

SHINDENGEN[ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]

页数：

10 页

PDF大小：

392 K

下载PDF手册
SHINDENGEN  
VZ Series Power MOSFET  
N-Channel Enhancement type  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SK2489  
( F10S18VZ )  
Case : STO-220  
(Unit : mm)  
180V 10A  
FEATURES  
●Input capacitance (Ciss) is small.  
Especially, input capacitance  
at 0 biass is small.  
●The static Rds(on) is small.  
●The switching time is fast.  
APPLICATION  
●DC/DC converters  
●Power supplies of DC 12-24V input  
●Product related to  
Integrated Service Digital Network  
RATINGS  
●AbsoluteMaximum Ratings （Tc=25℃）  
Item  
Symbol  
stg  
Conditions  
Ratings Unit  
-55～150 ℃  
150  
Storage Temperature  
Channel Temperature  
T
ch  
T
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain Current（DC）  
Continuous Drain Current（Peak)  
Continuous Source Current（DC）  
Total Power Dissipation  
DSS  
GSS  
D
V
V
180  
±30  
10  
20  
10  
V
I
DP  
I
I
A
S
T
P
45  
10  
W
A
Single Pulse Avalanche Current  
AS  
Tch= 25℃  
I
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
VZ Series Power MOSFET  
2SK2489 ( F10S18VZ )  
●Electrical Characteristics Tc = 25℃  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage Current  
Forward Tranｓconductance  
V(BR)DSS ID = 1mA, VGS = 0V  
180  
V
μA  
IDSS  
IGSS  
gfs  
VDS = 180V, VGS = 0V  
250  
±0.1  
7.0  
0.17 0.25  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
ID = 5A, VDS = 10V  
3.0  
2.0  
S
Ω
V
Static Drain-Source On-ｓtate Resistance RDS(ON) ID = 5A, VGS = 10V  
Gate Threshold Voltage  
Source-Drain Diode Forward Voltage  
Thermal Resistance  
VTH  
VSD  
ID = 1mA, VDS = 10V  
3.0  
4.0  
1.5  
IS = 5A, VGS = 0V  
θjc junction to case  
2.77 ℃/Ｗ  
nC  
Total Gate Charge  
Qg  
Ciss  
Crss  
Coss  
ton  
VDD = 150V, VGS = 10V, ID = 10A  
25  
720  
80  
280  
50  
Input Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
VDS = 10V, VGS = 0V, f = 1MHZ  
ID = 5A, VGS = 10V, RL = 20Ω  
pF  
100  
ns  
Turn-Off Time  
toff  
140 280  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK2489  
Transfer Characteristics  
20  
15  
10  
5
Tc = - 55°C  
25°C  
100°C  
150°C  
V
DS  
= 10V  
pulse test  
TYP  
0
0
5
10  
15  
20  
Gate-Source Voltage VGS [V]  
2SK2489 Static Drain-Source On-state Resistance  
1000  
100  
10  
I = 5A  
D
V
= 10V  
GS  
pulse test  
TYP  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2489  
Gate Threshold Voltage  
5
4
3
2
1
0
V
= 10V  
DS  
I = 1mA  
D
TYP  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2489  
Safe Operating Area  
100  
10  
1
100ms  
200ms  
R
limit  
DS(ON)  
1ms  
10ms  
DC  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
0.1  
1
10  
100 180  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
C ° / W ] j c q ( t ) [  
T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d  
2SK2489  
Capacitance  
10000  
1000  
100  
Ciss  
Coss  
Crss  
Tc=25°C  
TYP  
10  
0
20  
40  
60  
80  
100  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
2SK2489  
Power Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2489  
Gate Charge Characteristics  
200  
150  
100  
50  
20  
15  
10  
5
V
= 150V  
100V  
50V  
DD  
V
DS  
V
GS  
I = 10A  
D
0
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
Gate Charge Qg [nC]  
厂商 型号 描述 页数 下载

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