请登录

免费注册
全部商品
电子元器件
方案中心
工业品
PDF资料

产品分类

找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服：823711899

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

会员中心
购物车
技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

2SK2666

型号：

2SK2666

描述：

HVX - 2系列功率MOSFET （ 900V 3A ）[ HVX-2 Series Power MOSFET(900V 3A) ]

品牌：

SHINDENGEN[ SHINDENGEN ELECTRIC MFG.CO.LTD ]

页数：

12 页

PDF大小：

426 K

下载PDF手册
SHINDENGEN  
HVX-2 Series Power MOSFET  
N-Channel Enhancement type  
OUTLINE DIMENSIONS  
2SK2666  
( F3F90HVX2 )  
Case : FTO-220  
(Unit : mm)  
900V 3A  
FEATURES  
●Input capacitance (Ciss) is small.  
Especially, input capacitance  
at 0 biass is small.  
●The static Rds(on) is small.  
●The switching time is fast.  
●Avalanche resistance guaranteed.  
APPLICATION  
●Switching power supply of AC 240V input  
●High voltage power supply  
●Inverter  
RATINGS  
●Absolute Maximum Ratings （Tc = 25℃）  
Item  
Symbol  
Conditions  
Ratings Unit  
-55～150 ℃  
150  
stg  
StorageTemperature  
T
T
ch  
ChannelTemperature  
DSS  
GSS  
ID  
DP  
I
S
I
Drain-SourceVoltage  
V
V
900  
±30  
3
V
Gate-SourceVoltage  
ContinuousDrainCurrent（DC）  
ContinuousDrainCurrent（Peak)  
ContinuousSourceCurrent（DC）  
TotalPowerDissipation  
RepetitiveAvalancheCurrent  
SingleAvalancheEnergy  
RepetitiveAvalancheEnergy  
DielectricStrength  
Pulsewidth≦10μs, Dutycycle≦1/100  
6
3
30  
3
A
T
P
W
A
mJ  
AR  
I
ch  
T =150℃  
AS  
AR  
dis  
ch  
T =25℃  
E
E
V
48  
4.8  
2
ch  
T =25℃  
Terminalstocase,ꢀAC 1minute  
kV  
N･m  
MountingTorque  
TOR （Recommendedtorque：0.3 N･m ）  
0.5  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK2666 ( F3F90HVX2 )  
HVX-2 Series Power MOSFET  
●Electrical Characteristics Tc = 25℃  
Item  
Symbol  
Conditions  
Min. Typ. Max. Unit  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage Current  
Forward Tranｓconductance  
V(BR)DSS ID = 1mA, VGS = 0V  
900  
V
μA  
IDSS  
IGSS  
gfs  
VDS = 900V, VGS = 0V  
VGS = ±30V, VDS = 0V  
ID = 1.5A, VDS = 10V  
250  
±0.1  
1.5  
2.5  
3.5  
3.0  
S
Ω
V
Static Drain-Source On-ｓtate Resistance RDS(ON) ID = 1.5A, VGS = 10V  
4.7  
3.5  
1.5  
Gate Threshold Voltage  
Source-Drain Diode Forward Voltage  
Thermal Resistance  
VTH  
VSD  
ID = 1mA, VDS = 10V  
IS = 1.5A, VGS = 0V  
2.5  
θjc junction to case  
4.16 ℃/Ｗ  
nC  
Total Gate Charge  
Qg  
Ciss  
Crss  
Coss  
ton  
VDD = 400V, VGS = 10V, ID = 3A  
30  
630  
16  
67  
40  
Input Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Output Capacitance  
Turn-On Time  
VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1MHZ  
ID = 1.5A, RL = 100Ω, VGS = 10V  
pF  
70  
ns  
Turn-Off Time  
toff  
140 230  
Copyright & Copy;2000 Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd  
2SK2666  
Transfer Characteristics  
6
5
4
3
2
1
0
Tc = - 55°C  
25°C  
100°C  
150°C  
V
TYP  
= 25V  
DS  
0
5
10  
15  
20  
Gate-Source Voltage VGS [V]  
2SK2666 Static Drain-Source On-state Resistance  
100  
10  
1
I = 1.5A  
D
V
GS  
= 10V  
pulse test  
TYP  
0.1  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2666  
Gate Threshold Voltage  
6
5
4
3
2
1
0
V
= 10V  
DS  
I = 1mA  
D
TYP  
-50  
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2666  
Safe Operating Area  
10  
100ms  
200ms  
1
1ms  
R
DS(ON)  
limit  
10ms  
DC  
0.1  
Tc = 25°C  
Single Pulse  
0.01  
1
10  
100  
1000  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
C ° / W ] j c q ( t ) [  
T r a n s i e n t T h e r m a l I m p e d  
2SK2666 Single Avalanche Energy Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Starting Channel Temperature Tch [°C]  
2SK2666  
Capacitance  
10000  
1000  
100  
10  
Ciss  
Coss  
Crss  
f=1MHz  
Ta=25°C  
TYP  
1
0
20  
40  
60  
80  
100  
Drain-Source Voltage VDS [V]  
A S  
[ A ]  
S i n g l e A v a l a n c h e C u r r e n t I  
2SK2666  
Power Derating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
50  
100  
150  
Case Temperature Tc [°C]  
2SK2666  
Gate Charge Characteristics  
500  
400  
300  
200  
100  
0
20  
15  
10  
5
V
DS  
V
GS  
V
DD  
= 400V  
200V  
100V  
I = 3A  
D
TYP  
0
0
10  
20  
30  
40  
50  
Gate Charge Qg [nC]  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

 		2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス － 小信号FET － 接合形FET ] 3 页

ETC

 		2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 40uA的我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

 		2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V（ BR ） DSS | 150UA我（ DSS ） | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

 		2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

 		2SK0198(2SK198) 2SK0198 （ 2SK198 ） - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

 		2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

购物指南

支付方式

配送服务

售后服务

发票须知

优惠券使用规则

代理产品

代理品牌

代理器件

特色服务

PCBA制造

国产品牌推荐

国产料号替代

质量保证

技术资料

行业资讯

关于我们

关于壹壹捌

联系我们

联系我们

服务热线：400-618-9990

企业邮箱：sales@ic118.com

服务时间：周一至周六 8:30-17:30

壹壹捌官方微信号

PDF索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

IC型号索引：

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

M

N

O

P

Q

R

S

T

U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京

深圳网络警察报警平台
公共信息安全网络监察
经营性网站备案信息
不良信息举报中心
工商网监电子标识
全国公安机关备案
0.149254s