2SK3351
V
-- Qg
A S O
GS
100
10
9
＜10µs
V
=10V
7
DS
I =30A
5
I
=60A
DP
I =30A
D
D
3
2
8
10
7
5
7
3
2
6
5
1.0
7
5
4
3
2
Operation in this
areaislim ited byR (on).
3
DS
0.1
7
5
2
3
2
1
0
Tc=25°C
1パルス
0.01
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28
IT07201
2
3
5
7
2
3
5
7
2
3
5
7
10
2
3
5
0.01
0.1
1.0
ドレイン・ソース電圧, V
-- V
総ゲート電荷量, Qg -- nC
IT07202
DS
P
-- Ta
P
-- Tc
D
D
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
35
30
25
20
15
10
0.2
0
5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
0
20
40
60
80
100
120
140
160
周囲温度, Ta -- °C
ケース温度, Tc -- °C
IT07203
IT07204
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ
り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。
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この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す
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PS No.7764-4/4
