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2SK3492

型号:

2SK3492

描述:

N沟道MOS硅TRANSISTORl[ N CHANNEL MOS SILICON TRANSISTORl ]

品牌:

SANYO[ SANYO SEMICON DEVICE ]

页数:

2 页

PDF大小:

450 K

注文コード No. N 0 0 0 0  
暫 定 規 格 �  
No. N 0 0 0 0  
70103  
新�  
N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ  
2SK3492  
汎用スイッチングデバイス  
特長 ・低オン抵抗。  
・超高速スイッチング。  
・4V 駆動。  
絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃  
unit  
V
V
A
A
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電流(DC)  
ドレイン電流(パルス)  
許容損失  
V
V
60  
± 20  
8
DSS  
GSS  
I
I
D
DP  
PW ≦ 10µs, duty cycle ≦ 1%  
32  
1
15  
P
W
W
D
Tc=25℃  
チャネル温度  
Tch  
150  
保存周 温度 Tstg - 55 ~+ 150  
電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
min  
60  
typ  
max unit  
V
I =1mA, V =0  
GS  
V
(BR)DSS  
D
I
I
V
=60V, V =0  
1
µA  
DSS  
DS  
GS  
DS  
DS  
GS  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
V
V
V
= ± 16V, V =0  
DS  
± 10  
2.6  
µA  
V
GSS  
V
(off)  
GS  
=10V, I =1mA  
1.2  
3
D
伝達アドミタンス  
yfs  
=10V, I =4A  
5
S
D
次ページへ続く。  
外形図ꢀ2092B�  
外形図ꢀ2083B�  
(unit : mm)  
(unit : mm)  
6.5  
2.3  
6.5  
5.0  
4
2.3  
5.0  
4
0.5  
0.5  
0.5  
0.85  
0.7  
0.85  
1
2
3
1.2  
1 : Gate�  
2 : Drain�  
3 : Source�  
4 : Drain �  
0.6  
1.2  
00.2  
0.6  
0.5  
1 : Gate�  
2 : Drain�  
3 : Source�  
4 : Drain�  
1
2
3
2.3  
2.3  
SANYO : TP-FA  
2.3  
2.3  
SANYO : TP  
本書記載の製品は、極めて高度の 頼性を する用生命維持装置空機のコントロールシステム等、�  
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に�  
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相 下さい。�  
本書記載の規格値 (最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用しの結果 生した機器の欠陥�  
について、弊社は 任を負いません。�  
〒370-0596 群馬 邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号�  
70103PA TS IM ◎秋庭 No.0000-1/2  
2SK3492  
前ページより続く。  
min  
typ  
115  
155  
300  
54  
max unit  
150 mΩ  
220 mΩ  
ドレイン・ソース間オン抵抗  
R
R
(on)1 I =4A, V =10V  
GS  
DS  
DS  
D
(on)2 I =4A, V =4V  
D
GS  
入力容量  
出力容量  
帰還容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
V
V
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
=20V, f=1MHz  
pF  
pF  
pF  
ns  
DS  
DS  
DS  
34  
8
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
ターンオフ遅延時間  
下降時間  
t (on)  
指定回路において  
d
t
r
32  
30  
44  
ns  
ns  
ns  
t (off)  
d
t
f
総ゲート電荷量  
ゲート・ソース電荷量  
ゲート・ドレイン電荷量  
ダイオード順 電圧  
Qg  
Qgs  
Qgd  
7.8  
2.4  
1.7  
0.9  
nC  
nC  
nC  
V
=30V, V =10V, I =8A  
GS  
DS  
D
V
SD  
I =8A, V =0  
S GS  
1.2  
V
スイッチングタイム測  
定回路図  
V
=30V  
DD  
V
IN  
10V  
0V  
I
=4A  
D
R =7.5  
L
V
D
V
OUT  
IN  
PW=10µs  
D.C.1%  
G
P. G  
50Ω  
2SK3492  
S
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ�  
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では�  
できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必 とされる評価・試験を必ず行って下さい。�  
弊社は、高品質・高 頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障�  
が生じてしまいます。この故障が 因となり、人命にかかわる事故、 煙・ 火事故、他の物品に損害を与�  
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、�  
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。�  
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に 当する場合、輸出する�  
際に 法に づく輸出許可が必 です。�  
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。�  
本書に記載された内容は、製品改 および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した�  
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。�  
この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す�  
るものではありません。また、この資料は正確かつ 頼すべきものであると確 しておりますが、その使用�  
にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。�  
PS  
No.0000-2/2  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形FET ] 3 页

ETC

2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 40uA的我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

PANASONIC

2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

2SK0198(2SK198) 2SK0198 ( 2SK198 ) - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

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IC型号索引:

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