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2SK3944

型号:

2SK3944

品牌:

SANYO[ SANYO SEMICON DEVICE ]

页数:

4 页

PDF大小:

60 K

注文コーNo.N 8 3 3 0  
N チャネM OS シリコン電界効果トランジスタ  
2SK3944  
汎用スイッチングデバイス  
特長  
・低オン抵抗。  
・超高速スイッチング。  
・4V 駆動。  
絶対最大定AbsoluteM axim um Ratings/Ta=25℃  
項目  
記号  
条件  
定格値  
unit  
V
ドレイン・ソース電圧  
ゲート・ソース電圧  
ドレイン電DC)  
ドレイン電パルス)  
V
V
60  
DSS  
GSS  
±20  
V
I
D
2
A
I
PW 10µs,dutycycle1%  
セラミック基板(250m m 2 ×0.8m m )着時  
Tc=25℃  
8
A
DP  
1
3.5  
W
許容損失  
P
D
W
チャネル温度  
保存周囲温度  
Tch  
150  
Tstg  
55150  
電気的特ElectricalCharacteristics/Ta=25℃  
定格値  
項目  
記号  
条件  
unit  
m in  
typ  
m ax  
ドレイン・ソース降伏電圧  
ドレイン・ソースしゃ断電流  
ゲート・ソースもれ電流  
ゲート・ソースしゃ断電圧  
順伝達アドミタンス  
V
I =1m A,V =0V  
GS  
60  
V
(BR)DSS  
D
I
DSS  
V
=60V,V =0V  
GS  
1
µA  
DS  
GS  
DS  
DS  
I
GSS  
V
V
V
16V,V =0V  
DS  
±10 µA  
V
(off)  
=10V,I =1m A  
D
1.2  
2.6  
V
S
GS  
yfs  
DS  
DS  
=10V,I =1A  
D
0.75  
1.5  
R
R
(on)1 I =1A,V =10V  
GS  
260  
340  
150  
19  
340 m Ω  
D
ドレイン・ソース間オン抵抗  
(on)2 I =1A,V =4V  
GS  
480 m Ω  
D
入力容量  
Ciss  
Coss  
Crss  
V
=20V,f=1M Hz  
=20V,f=1M Hz  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
DS  
DS  
DS  
出力容量  
V
V
帰還容量  
=20V,f=1M Hz  
13  
ターンオン遅延時間  
立ち上がり時間  
ターンオフ遅延時間  
下降時間  
t (on)  
d
指定回路において  
指定回路において  
指定回路において  
指定回路において  
7
t
r
3.7  
19.5  
12.5  
t (off)  
d
t
f
単体品名表示:LM  
次ページへ続く。  
本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用生命維持装置空機のコントロールシステム等、  
多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に  
は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。  
本書記載の規格値(大定格、動作条件範囲等)を瞬時たりとも越えて使用しの結果発生した機器の欠陥  
について、弊社は責任を負いません。  
〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号  
62005PA M S IM TB-00001379 No.8330-1/4  
2SK3944  
前ページより続く。  
項目  
定格値  
typ  
記号  
Qg  
条件  
=30V,V =10V,I =2A  
unit  
m in  
m ax  
総ゲート電荷量  
V
V
V
4.8  
nC  
nC  
nC  
V
DS  
DS  
DS  
GS  
D
ゲート・ソース電荷量  
ゲート・ドレイン電荷量  
ダイオード順電圧  
Qgs  
Qgd  
=30V,V =10V,I =2A  
GS  
1.0  
D
=30V,V =10V,I =2A  
GS  
1.0  
D
V
I =2A,V =0V  
GS  
0.93  
1.2  
SD  
S
外形図  
スイッチングタイム測定回路図  
unit:m m  
7007-003  
V
=30V  
V
DD  
IN  
10V  
0V  
Top View  
I
=1A  
D
4.5  
1.6  
V
IN  
R =30  
L
1.5  
D
V
OUT  
PW=10µs  
D.C.1%  
G
2SK3944  
1
2
3
P. G  
50Ω  
S
0.4  
0.5  
0.4  
1.5  
3.0  
1 : Gate  
2 : Drain  
3 : Source  
Bottom View  
SANYO : PCP  
I
D
-- V  
I
D
-- V  
GS  
DS  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
1.5  
V
=10V  
DS  
1.2  
0.9  
0.6  
2.5V  
0.3  
0
0.5  
0
V
=2.0V  
GS  
0
0.3  
0.6  
0.9  
1.2  
1.5  
IT07489  
0
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
3.5  
4.0  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
ゲート・ソース電圧, V  
-- V  
GS  
IT07490  
DS  
No.8330-2/4  
2SK3944  
R
(on) -- V  
R
(on) -- Ta  
DS  
DS  
GS  
600  
550  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
200  
600  
550  
500  
450  
400  
350  
300  
250  
Ta=25°C  
I =1A  
D
200  
150  
150  
100  
0
2
4
6
8
10  
12  
14  
16  
18  
20  
--60 --40 --20  
0
20  
40  
60  
80 100 120 140 160  
ゲート・ソース電圧, V  
yfs-- I  
-- V  
周囲温度, Ta -- °C  
IT09795  
IT09796  
GS  
I
-- V  
SD  
D
S
5
7
5
V
=10V  
V
=0V  
DS  
GS  
3
2
3
2
1.0  
7
5
1.0  
3
2
7
5
0.1  
7
5
3
2
3
2
0.1  
0.01  
0.4  
2
3
5
7
2
3
5
7
1.0  
2
3
5
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
IT07494  
0.01  
0.1  
ドレイン電流, I -- A  
D
SW Tim e -- I  
IT09797  
ダイオード順電圧, V  
-- V  
SD  
Ciss, Coss, Crss -- V  
DS  
D
5
5
f=1M Hz  
3
2
3
2
Ciss  
100  
10  
7
5
t (on)  
d
7
5
3
2
t
r
3
2
V
V
=30V  
=10V  
DD  
GS  
3
10  
1.0  
0.1  
7
2
3
5
7
2
5
0
5
10  
15  
20  
25  
30  
1.0  
ドレイン電流, I -- A  
D
-- Qg  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
DS  
IT07495  
IT07496  
V
A S O  
GS  
2
10  
8
V
=30V  
DS  
I =2A  
I
=8A  
<10µs  
DP  
10  
7
5
D
3
2
I =2A  
D
1.0  
6
7
5
3
2
Operation in this  
areaislim ited byR (on).  
4
DS  
0.1  
7
5
2
0
3
2
Tc=25°C  
1パルス  
3
0.01  
0.1  
2
5
7
2
3
5
7
2
3
5 7  
0
1
2
3
4
5
6
1.0  
10  
100  
総ゲート電荷量, Qg -- nC  
ドレイン・ソース電圧, V  
-- V  
IT09798  
IT09799  
DS  
No.8330-3/4  
2SK3944  
P
-- Ta  
P
-- Tc  
D
D
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
0.4  
4.0  
3.5  
3.0  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.2  
0
0.5  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
0
20  
40  
60  
80  
100  
120  
140  
160  
周囲温度, Ta -- °C  
ケース温度, Tc -- °C  
IT09794  
IT09800  
取り扱い上の注意:本製品は、M OSFETすので、帯電性の大きな環境での取り扱いはご遠慮下さい。  
本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ  
り、お客様の製品(機器)での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では  
予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。  
弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障  
が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与  
えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、  
保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。  
本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物(役務を含む)に該当する場合、輸出する  
際に同法に基づく輸出許可が必要です。  
弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。  
本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した  
がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。  
この資料の情報(掲載回路および回路定数を含む)は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す  
るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用  
にあたって第3者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。  
PS No.8330-4/4  
厂商 型号 描述 页数 下载

PANASONIC

2SK0065 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0065(2SK65) 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形场效应管\n[ 小信号デバイス - 小信号FET - 接合形FET ] 3 页

ETC

2SK0065P 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 40uA的我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 40UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

ETC

2SK0065Q 晶体管| JFET | N沟道| 12V V( BR ) DSS | 150UA我( DSS ) | SPAKVAR\n[ TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 12V V(BR)DSS | 150UA I(DSS) | SPAKVAR ] 3 页

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2SK0123 为在低频率阻抗变换[ For Impedance Conversion In Low Frequency ] 3 页

ETC

2SK0123(2SK123) 小信号器件 - 小信号场效应管 - 场效应管结\n[ Small-signal device - Small-signal FETs - Junction FETs ] 3 页

PANASONIC

2SK0198 对于低频放大[ For Low-Frequency Amplification ] 3 页

ETC

2SK0198(2SK198) 2SK0198 ( 2SK198 ) - N沟道结型场效应管\n[ 2SK0198 (2SK198) - N-Channel Junction FET ] 3 页

PANASONIC

2SK0198P [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PANASONIC

2SK0198Q [ Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236, ROHS COMPLIANT, MINI3-G1, SC-59, 3 PIN ] 3 页

PDF索引:

A

B

C

D

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M

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P

Q

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S

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U

V

W

X

Y

Z

0

1

2

3

4

5

6

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8

9

IC型号索引:

A

B

C

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H

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Q

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U

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X

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1

2

3

4

5

6

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