找货询价

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

QQ咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服:823711899

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

技术支持

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

售后咨询

一对一服务 找料无忧

专属客服

服务时间

周一至周六 8:30-17:30

首页 > 开关 > PESD15VL1BA
图片源于供应商或网络,实物可能存在差异,请以实物为准

PESD15VL1BA

数量

单价

总价

20+

¥ 0.179500

¥ 3.59

库存总量 (单位:个)

仓库

数量

购买数量

3000 个/PCS

总价金额: ¥ 3.59

加入购物车

立即购买


样品申购

推荐替代

查看更多 >
PESD15VL1BA
品牌:

Nexperia(安世)

替代等级:P2P
去购买
UMW(友台半导体)

品牌:

UMW(友台半导体)

型号:

PESD15VL1BA

编号:

E20146626

包装:

-

批号:

-

封装:

-

描述:

功能类型:降压型 工作电压:4.5V~40V 输出电压:12V 输出电流:3A 开关频率:150kHz 工作温度:-40℃~+125℃@(TJ) 同步整流:否 输出通道数:1 拓扑结构:降压式 静态电流(Iq):1074mA 开关管(内置/外置):内置 输出类型:固定 功能特性:过流保护

  • 产品参数

产品参数

产品属性 属性值
商品目录 线性稳压器(LDO)
输出类型 固定
工作电压 35V
输出电压 6V
输出电流 1.2A
电源纹波抑制比(PSRR) -
压差 -
静态电流(Iq) 6mA
噪声 -
特性 短路保护
过热保护
工作温度 -40℃~+105℃
输出极性 正极
输出通道数 1

PDF描述:Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323 低电容双向ESD保护二极管SOD323

产品概述

PESD15VL1BA 产品概述

一、产品简介

PESD15VL1BA 是友台半导体(UMW)推出的一款小尺寸双向瞬态电压抑制器(TVS/ESD),封装为 SOD‑323。该器件专为静电放电(ESD)和雷电浪涌(Surge)防护设计,满足 IEC 61000‑4‑2、IEC 61000‑4‑4 与 IEC 61000‑4‑5 等抗扰度标准,适用于各类接口与电路板的前端保护。

二、主要特点

  • 钳位电压 Vc(典型):32 V,提供有效的过电压限制能力。
  • 击穿电压 VBR:16.7 V(典型)。
  • 反向截止电压 Vrwm:15 V,适合 12–15V 级别工作环境的瞬态抑制。
  • 峰值脉冲功率 Ppp:320 W(8/20 μs 波形),能承受较强浪涌能量。
  • 峰值脉冲电流 Ipp:10 A(8/20 μs)。
  • 结电容 Cj:20 pF,适度低电容设计,兼顾速率与保护性能。
  • 反向漏电流 Ir:≤ 500 nA,静态漏电小,对电路影响低。
  • 极性:双向,适合对称信号线或没有明确极性的接口保护(例如某些通信线、音频、串口等)。
  • 尺寸小巧,SOD‑323 封装,便于空间受限应用。

三、电气性能要点

  • 工作耐压(Vrwm):15 V(反向截止电压),在此电压下器件保持高阻态。
  • 击穿特性:典型击穿电压 16.7 V,超过 Vrwm 后进入导通以限制电压上升。
  • 钳位性能:在 8/20 μs 浪涌下,钳位电压约 32 V(典型),可将瞬态电压钳位在安全范围内,保护后端器件。
  • 能量吸收能力:320 W(8/20 μs)峰值功率与 10 A 峰值脉冲电流,适用于中等强度的瞬态冲击。
  • 低结电容(20 pF)在多数低速及中高速信号应用中影响有限,但对超高速接口仍需评估。

四、典型应用场景

  • 面向 I/O 接口的前端保护:串口、RS‑232/RS‑485、GPIO 等。
  • 通信与控制板的接插件、连接器防护。
  • 工业控制、楼宇自控设备、防护对电源与信号线的浪涌与静电放电。
  • 便携设备与消费电子的接口保护(在电容允许范围内)。
  • 任何要求双向保护且空间受限的场合。

五、封装与安装建议

  • 封装:SOD‑323,尺寸小,适合高密度 PCB 布局。
  • 布局建议:将 PESD15VL1BA 尽量靠近被保护的外部接口或连接器放置,走线短且粗,避免长串联走线;地线应尽可能短且通过足够的回流路径(多个过孔)接地。
  • 焊接:兼容常规回流焊工艺,注意热循环与焊膏量对小封装的影响。
  • 热管理:器件为瞬态能量吸收器件,不适合长期稳态大电流工作;如果周围存在频繁高能浪涌,应评估器件温升与寿命,并考虑并联或使用额外熔断保护。

六、选型与注意事项

  • 本器件为双向 TVS,适用于无极性或需双向保护的信号线;若为单向电源轨保护,应优先选择单向型 TVS。
  • 结电容 20 pF 对超高速差分接口(如 USB3.0、PCIe、HDMI 等)可能影响信号完整性,选型时请结合具体速率与眼图要求评估。
  • 漏电流 500 nA 在多数数字与模拟场合可接受,但对超低功耗电路需注意静态功耗影响。
  • 订购时确认封装与包装代码,便于贴片生产与库存管理。

如需完整的数据手册、封装图、典型特性曲线或 PCB 参考封装文件(CAD/GERBER),可进一步提供以便匹配生产与设计要求。

类似型号

品牌:

UMW(友台半导体)

封装:

-

品牌:

UMW(友台半导体)

封装:

-

品牌:

UMW(友台半导体)

封装:

-

品牌:

UMW(友台半导体)

封装:

-

品牌:

UMW(友台半导体)

封装:

-

品牌:

UMW(友台半导体)

封装:

-

品牌:

UMW(友台半导体)

封装:

-

品牌:

UMW(友台半导体)

封装:

-

爆款推荐

品牌:

Altera

封装:

-

品牌:

ALTERA

封装:

-

品牌:

NEXPERIA

封装:

-

品牌:

NEXPERIA

封装:

-

品牌:

DIODES

封装:

-

品牌:

diodes

封装:

-

品牌:

diodes

封装:

-

品牌:

TI

封装:

-

0.352120s