国产芯片多点突破，RISC-V 架构 / 第三代半导体 / 先进封装取得关键进展

发布时间：1小时前

类别：行业动态

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2026 年一季度，国产芯片产业迎来密集突破，在 RISC-V 开源架构、第三代半导体、先进封装等核心领域取得多项标志性成果，技术自主可控能力持续提升，加速推动国产芯片从 “替代” 向 “领跑” 转型。

RISC-V 架构领域突破显著，成为国产芯片 “换道超车” 的核心路径。阿里巴巴达摩院在 3 月 24 日的玄铁 RISC-V 生态大会上，发布新一代旗舰 CPU 产品玄铁 C950。该芯片采用 5nm 制程，主频达 3.2GHz，单核通用性能在 SPECint2006 基准测试中突破 70 分，刷新全球 RISC-V CPU 性能纪录，可原生支持千亿参数大模型。中国工程院院士倪光南现场披露，截至 2025 年底，RISC-V 在全球芯片市场的份额已突破 25%，打破 x86 和 Arm 的双寡头垄断格局，成为全球芯片架构的第三极。此外，中科院公布 “香山” 开源处理器与 “如意” 原生操作系统，启动下一代芯片与操作系统联合研发，“香山” 已实现产业化落地，成为全球首个高性能开源芯片产品级交付案例。国产 RISC-V 生态加速成型，覆盖 IP 内核设计、制造封测、系统适配全链条，将推动云计算、生成式 AI、高端机器人等高端领域规模化应用。

第三代半导体领域实现量产与标准双突破。士兰微 8 英寸碳化硅产线于 3 月完成一期竣工，正式进入产能爬坡阶段。该项目总投资 120 亿元，达产后将形成年产 72 万片 8 英寸 SiC 芯片的能力，全面覆盖新能源汽车、AI 服务器电源等高端场景需求。天岳先进主导制定的《碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法》国家标准正式发布实施，填补国内碳化硅单晶抛光片核心测试标准空白，推动国内碳化硅产业链标准化发展。目前，国内比亚迪半导体、斯达半导等企业已实现 SiC 功率器件量产，切入广汽、比亚迪等主流车企供应链，国产 SiC 模块在新能源汽车领域渗透率超 30%；GaN 领域，英诺赛科、纳微半导体等企业实现规模化量产，在消费电子快充领域渗透率超 40%，占据全球中低端市场主导地位。

先进封装与专利领域持续发力，提升国产芯片整体竞争力。甬矽电子 3 月获得一项芯片封装相关专利授权，该封装方式可显著提升芯片散热性能及结构耐用性，适用于高端 AI 芯片、汽车芯片等场景。恒玄科技、摩尔线程等企业也相继申请数字芯片漏电优化、信号传输相关专利，进一步完善国产芯片技术布局。此外，龙图光罩拟募资 14.6 亿元建设 28nm 半导体掩模版生产线，突破国内高端掩模版技术瓶颈，完善国内芯片上游材料配套。

业内人士表示，国产芯片当前已形成 “架构创新、材料突破、封装升级” 的多元发展格局，RISC-V、第三代半导体、先进封装等赛道成为核心增长点。随着大基金三期资金持续加注，国产设备、材料、EDA 工具国产化率稳步提升，2026 年国产设备收入同比有望增长 36%，国产芯片将进一步提升全球市场份额，在部分细分领域实现从 “跟跑” 到 “并跑” 的跨越。