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全球光芯片产能竞赛全面打响,磷化铟衬底供需缺口70%,CPO产业化进入关键窗口期

发布时间:昨天 15:40

类别:行业动态

阅读:10

摘要:

全球光芯片产能竞赛全面打响,磷化铟衬底供需缺口70%,CPO产业化进入关键窗口期

2026 年 6 月,海内外光芯片、磷化铟衬底厂商集中发布大额扩产公告,一场围绕 AI 数据中心高速互连的全球产能竞赛正式拉开帷幕,高速光互连、CPO 光电共封装成为算力产业链确定性最高的高景气赛道,上游核心衬底材料供给严重不足成为制约行业发展的核心瓶颈36氪

海外企业扩产动作密集落地:美国 Coherent 获得《芯片与科学法案》配套资金,扩建德州 6 英寸磷化铟(InP)晶圆制造工厂,建成后将成为全球最大化合物半导体产线;日本 JX 金属投入 1200 亿日元,将磷化铟衬底产能提升 7 至 10 倍,缓解全球基材紧缺;诺基亚扩建光子芯片测试封装基地,配套海外云厂商 800G、1.6T 光模块长期订单;IQE 与欧洲晶圆厂签订多年外延片供应协议,锁定高端光芯片上游原材料。

国内产业链同步跟进,东山精密旗下索尔思光电落地 12 亿美元光芯片与高速光模块基地,覆盖芯片设计、晶圆制造、封装测试全流程;多家本土磷化铟衬底企业完成中试,启动产线建设,但当前国内高端 InP 衬底自给率不足 5%,高端基材仍高度依赖海外进口,现货市场价格两年涨幅超 250%,头部光模块企业订单排产至 2028 年末。

需求端爆发是扩产潮的核心驱动力。传统铜互连带宽、功耗存在硬性上限,单台 AI 服务器光芯片用量是传统数据中心设备的 6 至 8 倍,800G 光模块批量普及、1.6T 产品逐步导入头部云厂商机房,CPO 共封装光学方案成为下一代算力硬件标配。CPO 将光芯片与计算芯片共基板封装,传输路径压缩至毫米级,整机互连功耗下降 70%、带宽上限突破 3.2Tbps,完美适配大模型训练、云端推理超高带宽需求。

行业调研机构 LightCounting 预测,2030 年全球 CPO 整体市场规模突破 150 亿美元,未来四年行业复合增速超 65%。当前产业链核心痛点集中在磷化铟衬底产能不足、光耦合良率偏低、行业标准碎片化。伴随全球企业持续扩产、台积电 COUPE 标准化封装平台落地,2027 年将成为 CPO 规模化商用元年。

供应链层面,海外企业牢牢把控磷化铟衬底、外延片核心产能,国内企业聚焦光芯片设计、光模块组装环节实现快速放量,衬底材料国产替代存在巨大市场空间。光芯片作为 AI 算力硬件的高速 “血管”,产业链长期高景气周期确定,上下游配套企业将持续释放业绩增量。


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