第三代半导体迎来政策与需求双重红利，多国加码SiC/GaN布局，车规功率芯片进入全面替代周期

发布时间：3小时前

类别：行业动态

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2026 年 6 月，全球多国密集出台第三代半导体专项扶持政策，韩国敲定 5000 亿韩元专项资金攻坚碳化硅、氮化镓材料与器件；欧盟加码欧洲芯片法案配套资金，重点扶持车规级宽禁带功率芯片；国内大基金三期资金持续向 SiC、GaN 衬底、外延产线倾斜，叠加新能源车、AI 服务器电源爆发式需求，第三代半导体正式进入规模化商用全面替代周期。

功率芯片是能源转换核心载体，传统硅基器件在 800V 高压车载平台、千瓦级 AI 服务器电源场景存在损耗高、散热压力大等短板，碳化硅、氮化镓凭借高频、耐高压、低功耗核心优势，渗透率持续快速提升。行业数据显示，2026 年全球车规级功率半导体市场规模突破 150 亿美元，新能源车单车 SiC 器件搭载量相较传统燃油车提升 8 倍，头部车企高端车型 SiC 模块渗透率突破 30%。

全球海外功率大厂同步开启涨价周期，英飞凌、意法半导体、德州仪器分阶段上调 MCU、SiC 功率器件售价，年内第二轮涨价幅度 7%-14%，上游衬底产能扩张缓慢、原材料紧缺，产品交付周期拉长至 10 个月以上。各国加速本土化产能布局对冲供应链风险，韩国规划完整 SiC 产业路线，目标 2027 年实现 6 英寸碳化硅衬底规模化量产，打通衬底、外延、器件、车载模组全链条；欧盟依托英飞凌、博世本土企业，推动成熟特色工艺晶圆厂扩建，计划 2026 年末车规芯片区域自给率突破 50%。

国内第三代半导体产业链实现全环节突破，天岳先进 8 英寸碳化硅衬底全球市占率位居前列，露笑科技完成 12 英寸 SiC 单晶样品制备；三安光电湖南 6 英寸宽禁带晶圆产线稳定量产，士兰微功率器件业务一季度净利润同比增长 41%，跻身全球功率器件厂商前五；晶镓半导体同步掌握 GaN、AlN 两类衬底完整自主专利，补齐射频、车载功率底层材料短板。

从细分赛道划分，氮化镓侧重消费快充、6G 射频、中小型电源场景，碳化硅聚焦新能源车高压电控、工业变频器、AI 服务器大功率电源，两类材料市场空间同步高速扩张。机构预测未来三年全球第三代半导体市场规模将实现翻倍增长，成为继存储芯片之后全球各国重点争夺的半导体核心赛道。

长期产业价值层面，宽禁带半导体关联新能源转型、算力基础设施、通信升级三大国家战略产业，底层衬底材料是产业链技术壁垒最高环节。全球同步加码布局背景下，国内企业依托庞大本土新能源车、AI 算力市场，持续推进衬底、外延、器件全链条国产化，逐步缩小与海外龙头技术差距，在全球功率半导体竞争中掌握差异化发展主动权。