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晶合集成获得栅极介质层发明专利,优化成熟制程工艺能力

发布时间:4小时前

类别:行业动态

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摘要:

晶合集成获得栅极介质层发明专利,优化成熟制程工艺能力

【专利快讯】国家知识产权局公开最新授权专利信息,合肥晶合集成电路一项栅极介质层制备方法专利正式获得授权,专利聚焦成熟晶圆制造工艺,改善半导体器件栅介质层均匀性,降低器件漏电风险。

该专利提出梯度氮氧栅介质制备方案,可以有效阻挡氮元素向硅衬底扩散,提升整片晶圆的工艺一致性。成熟制程芯片广泛应用于显示驱动、电源管理、物联网 MCU 等产品,是国内半导体产业链需求量最大的板块。成熟工艺并非代表技术简单,器件良率、稳定性、一致性优化,需要大量工艺专利积累。

近几年国内晶圆厂持续加大工艺研发投入,专利产出数量稳步提升,大量创新集中在成熟制程改良、特色工艺开发方向。AI 算力、汽车电子拉动下游各类芯片订单上涨,成熟工艺产线稼动率维持高位。

行业人士表示,先进制程备受市场关注,但海量的终端产品依旧依赖成熟特色工艺,相关工艺专利积累,是保障供应链稳定、产品品质的重要基础,也是芯片产业不可忽视的技术护城河。


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