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QX6102

型号：

QX6102

描述：

内置NPN降压型LED恒流驱动器[ 内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器 ]

品牌：

QUALTEK[ QUALTEK ELECTRONICS CORPORATION ]

页数：

10 页

PDF大小：

360 K

下载PDF手册
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
概述  
.
特点  
QX6102 是一款内置 NPN 功率三极  
内置 NPN 功率三极管  
自供电结构：无需辅助绕组  
LED 输出电流精度：±3%  
高效率：最高可达 93%以上  
电流模 PWM 控制  
管，具有自供电功能的高精度降压型大功  
率 LED 恒流驱动芯片，适用于交流 85V  
到 265V 全范围输入电压的非隔离 LED 恒  
流驱动电源。  
A:460568429/1873206922  
芯片采用自供电结构，无需辅助绕组，  
内置 NPN 三极管，提供高性价比。  
固定工作频率  
专利的高端电流检测、固定频率、电  
流模 PWM 控制方式，具有优异的线性调  
整率和负载调整率。  
抖频功能  
内置环路补偿、斜坡补偿  
LED 开路/短路保护  
芯片供电欠压保护  
芯片内部集成抖频功能可降低 EMI  
成本。内置环路补偿与斜坡补偿，无需外  
部补偿，应用设计简单。  
QX6102 具有多重保护功能，包括  
LED 开路/短路保护，逐周期限流保护，输  
入供电欠压保护以及电源箝位等功能。  
应用领域  
LED 球泡灯、日光灯  
其它 LED 照明  
QX6102 采用 DIP8 和 SOP8 封装。  
典型应用电路图  
V
IN  
460568429  
R
CS  
Vin  
AC  
VIN  
VDD  
VIN  
VSN  
QX6102  
RD  
VSS  
OVP  
VSS  
R
SET  
图 1：QX6102 典型应用电路图 1（无输出电容）  
1 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
订货信息  
产品型号  
QX6102  
丝印  
QX6102  
XXXX  
批号  
年份  
封装及管脚分配  
1
8
NC  
VDD  
VSS  
OVP  
VIN  
VIN  
RD  
VSN  
4
5
8
DIP8  
1
VDD  
OVP  
VIN  
VIN  
VSN  
RD  
VSS  
VSS  
4
5
SOP8  
2 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
管脚描述  
封装及其管脚号  
管脚  
名称  
管脚  
类型  
描述  
DIP8  
SOP8  
1
-
1
NC  
VDD  
VSS  
OVP  
VSN  
RD  
悬空  
电源  
地
悬空不连接  
芯片电源  
2
3
4
5，6  
2
芯片地  
输入  
输入  
输入  
输入  
LED 过压检测端  
5
3
接电流采样电阻  
6
4
外接电阻，设置 NPN 驱动电流  
内置 NPN 集电极，接母线电压  
VIN  
7，8  
7，8  
内部电路方框图  
RD  
VDD  
/1873206922  
DRV驱动  
电流设置  
UVLO  
BG  
OSC  
频率抖动  
1.3V  
斜坡补偿  
LEB  
VIN  
PWM  
逻辑  
1.3V  
电流检测  
VSN  
OVP  
OVP  
VSS  
3 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
（注 1）  
极限参数  
类型  
符号  
VMAX  
描述  
最小值 最大值 单位  
400  
6
V
V
VIN 引脚最高电压  
其它所有引脚上最高电压  
VDD 引脚最大电源电流  
VIN 引脚最大电流  
电压  
-0.3  
15  
mA  
mA  
W
I
DD_MAX  
电流  
功耗  
1500  
1
I
VIN  
DIP8 封装的最大功耗  
SOP8 封装的最大功耗  
工作温度  
PDIP8  
PSOP8  
TA  
0.75  
85  
W
-20  
-40  
oC  
oC  
oC  
V
125  
240  
2000  
温度  
TSTG  
TSD  
存储温度  
焊接温度范围（时间少于 30 秒）  
静电耐压值（人体模型）  
ESD  
VESD  
注 1：超过上表中规定的极限参数会导致器件永久性损坏，而工作在以上极限条件下可能会影响器件的可靠性。  
电气特性  
除非特别说明，TA =25 oC  
参数  
符号  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
电源电压  
工作电压  
5
5
V
V
V
V
VDD  
4.8  
3.8  
5.2  
4.2  
启动电压阈值  
欠压保护阈值  
箝位电压  
VDD_ON  
V
V
DD 上升  
DD 下降  
4
VDD_UVLO  
VDD_CLAMP  
5.5  
电源电流  
40  
uA  
启动电流  
ISTARTUP  
VDD = 4V  
VOVP = 0V，  
RSET = 68KΩ  
1.1  
mA  
静态电流  
ISTANDBY  
4 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
电气特性(接上一页)  
除非特别说明，TA =25 oC  
参数  
符号  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
电感电流采样  
电流检测电阻两端  
电压均值  
194  
200  
206  
mV  
VSEN  
520  
350  
mV  
ns  
限流值  
VSEN_LMT  
TLEB  
前沿消隐时间  
OSC 工作频率  
典型工作频率  
抖频范围  
65  
KHz  
%
FOSC  
-3  
3
ΔFOSC  
NPN 驱动  
RD 电压  
1.225  
1.3  
30  
1.345  
V
VRD  
IDRV  
mA  
NPN 基极驱动电流  
RSET = 68KΩ  
过压保护 OVP  
1.3  
5.7  
V
V
V
过压保护阈值  
VOVP_TH  
I
OVP = 2mA  
OVP 箝位电压  
VOVP_CLAMP  
-0.7  
IOVP = -2mA  
内置 NPN 管  
集电极-发射极电压  
集电极电流  
400  
15  
V
A
VCEO  
IC  
1.5  
30  
电流增益  
β
VCE =5V，IC =0.2A  
5 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
/460568429  
典型特性曲线  
除非特别说明，TA =25 oC  
6 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
应用指南  
引脚电压典型值为 1.3V。基极驱动电流一  
般需要根据 LED 工作电流的大小设定，当  
设置 RSET 为 68KΩ 时，DRV 驱动电流约  
为 30mA，对应的 LED 工作电流在六七百  
毫安左右，需要更大工作电流时则按比例  
减小 RSET，反之则反。基极驱动电流由下  
式确定：  
概述  
QX6102 是一款内置 NPN 功率三极  
管，具有自供电功能的高精度降压型大功  
率 LED 恒流驱动芯片。  
QX6102 采用独特的自供电电路，无  
需辅助绕组或者其他辅助供电方式，因而  
减少了外围元件并节省系统成本。  
2.1  
IDRV  
=
芯片采用专利的高端电流检测、固定  
频率、电流模 PWM 控制方式，具有优异  
的线性调整率和负载调整率。  
RSET (KΩ)  
开路保护  
芯片内置频率补偿与斜坡补偿，无需  
外部补偿。QX6102 还集成了抖频功能，  
以改善系统的 EMI 特性。  
通过连接于 OVP 引脚的电阻 R1 和 R2  
来设置 LED 开路保护电压。OVP 引脚的  
开路保护电压阈值为 1.3V。LED 开路保护  
电压由下式设置：  
QX6102 内部集成了多重保护功能，  
包括 LED 开路/短路保护，逐周期限流保  
护，输入供电欠压保护及电源箝位等功能。  
R + R  
1
VOVP  
=
2 ∗VOVP _TH  
R
1
VOVP  
50uA <  
< 500uA  
芯片启动  
且
R + R2  
1
系统上电后通过启动电阻对连接于电  
源引脚 VDD 的电容充电，芯片处于欠压  
保护状态时芯片仅消耗约 40uA 电流。当  
电源电压高过开启阈值 VDD_ON 时，芯片控  
制电路开始工作，自供电电路也开始工作  
并给芯片供电。芯片内置 5.5V 箝位电路，  
用于箝位 VDD 电压。  
芯片在功率管关断期间检测 LED 电  
压，一般设定 VOVP 为输出电压 VLED 的 1.2  
倍。当 LED 两端电压达到开路保护阈值，  
芯片关断驱动端，直至 VDD 引脚出现欠  
压保护，芯片重启，重新检测。  
短路保护  
LED 工作电流设定  
当出现 LED 短路时，系统会降低工作  
频率从而减小输入电流。系统开关频率下  
降到一定值时芯片会进入电源欠压保护状  
态，从而触发芯片重新启动。  
LED 电流由连接在 VSS 与 VSN 引脚  
之间的电阻 RCS 设置：  
VSEN  
ILED  
=
RCS  
电感选择  
在输入电压、输出电压以及输出电流  
已定的条件下，电感值决定了电感电流纹  
波大小以及连续或非连续工作模式。工作  
于临界模式时的电感值为：  
其中，VSEN 典型值为 200mV。  
驱动电流设置  
通过连接于 RD 引脚的电阻 RSET 来设  
置内置 NPN 的基极驱动电流。基极驱动电  
流与流过电阻 RSET 上的电流成比例，RD  
7 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
Vo*(Vi −Vo)  
2Vi*ILED * fs  
可在 VDD 引脚多并联一个约 1uF 的瓷片  
电容或者独石电容。  
Lcri =  
电感取值在上式附近，可得到较优化  
的效率。  
PCB 设计  
在设计 PCB 时应遵循以下指南：  
当采用如图 1 所示的无输出电容的方  
案时，应选择稍大的电感值，使得电感电  
流工作在连续模式，以减小 LED 上的电流  
纹波。当 LED 两端并联有输出电容时，如  
图 2 所示，系统既可以工作在连续模式也  
可以工作在非连续模式。  
VDD 引脚的旁路电容需要紧靠芯片  
的 VDD 和 VSS 引脚。  
电流采样电阻 RCS 应靠近芯片的 VSS  
引脚，连线应短而粗。  
信号走线上应特别注意：连接到 VIN  
的电压母线走线、电感到输出 LED 灯的  
走线、输出 LED 灯的地线走线等高压走  
线应避免与 IC 距离太近，并且避免与从  
IC 出来的相对低压的信号线平行走线，如  
图 1、图 2 中粗线所示。  
VDD 旁路电容  
连接在芯片 VDD 引脚的旁路电容应  
选择低 ESR 电容，以保证芯片可靠稳定工  
作和 VDD 电源纹波小，推荐使用 2.2~10uF  
温度特性好的陶瓷电容。由于低温时电容  
的 ESR 成倍增加，为避免低温启动困难，  
减小功率环路的面积，可减小 EMI 辐  
射。  
VIN  
R
CS  
Vin  
AC  
VIN  
VDD  
VIN  
VSN  
QX6102  
R2  
RD  
VSS  
OVP  
VSS  
R
SET  
R1  
图 2：QX6102 典型应用电路图 2（带输出电容）  
8 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
封装信息  
DIP8 封装尺寸图：  
9 of 11  
6102  
内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器  
SOP8 封装尺寸图：  
10 of 11  
厂商 型号 描述 页数 下载

INTEL

 		QX6000 在775-土地LGA封装支持英特尔64位架构的65纳米工艺[ on 65 nm Process in the 775-land LGA Package supporting Intel 64 architecture ] 98 页

QUALTEK

 		QX6001 [ 具有无极调光功能的触摸台灯控制器 ] 14 页

QUALTEK

 		QX6101 此接脚为点亮LED的输出脚。[ 自供电降压型 LED 恒流驱动器 ] 10 页

QUALTEK

 		QX6103 此接脚为点亮LED的输出脚。[ 降压型大功率 LED 恒流驱动器 ] 9 页

ETC

 		QX6104 此接脚为点亮LED的输出脚。[ 高精度降压型 LED 恒流驱动器 ] 8 页

ETC

 		QX6107M [ QX6107M 是一款高精度的非隔离降压型LED控制器，适用于小功率非隔离降压型LED照明应用 ] 11 页

ETC

 		QX6108 8-24W吸顶灯内置MOS降压型LED恒流驱动器[ 8-24W吸顶灯 内置 MOS 降压型 LED 恒流驱动器 ] 8 页

ETC

 		QX6206 [ QX6206系列高纹波抑制率LDO ] 4 页

INTEL

 		QX6700 在775-土地LGA封装支持英特尔64位架构的65纳米工艺[ on 65 nm Process in the 775-land LGA Package supporting Intel 64 architecture ] 98 页

INTEL

 		QX6800 在775-土地LGA封装支持英特尔64位架构的65纳米工艺[ on 65 nm Process in the 775-land LGA Package supporting Intel 64 architecture ] 98 页

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