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QX6107M

型号:

QX6107M

品牌:

ETC[ ETC ]

页数:

11 页

PDF大小:

344 K

QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
概述  
特点  
QX6107M 是一款高精度的非隔离降  
压型 LED 控制器用于小功率非隔离降  
压型 LED 照明应用。  
Ø 电感电流临界连续模式  
Ø 内置 500V 功率管  
Ø 无需辅助绕组检测电  
Ø ±3%LED 输出电流精度  
Ø 电压输入  
QX6107M 内置了高精度的采样、补  
偿电路使得电路能够达到±3%以内的恒  
流精度,并且能够实现输出电流对电感与  
输出电压的自适应,从而取得优异的线性  
调整率和负载调整率。  
Ø LED 开路保护保护  
Ø 采样电保护  
Ø 片供保护  
QX6107M 内部集成了 500V 功率开  
需次级反馈电路无需补偿电路,  
准稳定的自适应技术,使得系统外  
围结构十分简单可在外围件数量少,  
参数范围宽松条件下实现高精度恒流控  
制,极大地节约系统体积。  
Ø 过热温度调功能  
应用领域  
Ø LED 蜡烛灯  
QX6107M 丰富保护功能,包  
输出开保护样电保护、  
保护、输出保护过温自适应调  
节等。  
Ø LED 球泡灯  
Ø 其他 LED 照明产品  
典型应用电路图  
1QX6107M 典型应用电路图  
QX6107M_DS05CN  
泉芯电子技术(深圳)有限公司  
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QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
订货信息  
产品型号  
丝印  
封装及管脚分配  
QX6107M_DS05CN  
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QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
管脚定义  
管脚号  
管脚名称  
管脚类型  
描述  
1
2
3
4
5
6
7
8
GND  
OVP  
NC  
源地  
入  
入  
源  
入  
入  
入  
入  
载电压,外界阻  
空脚  
VCC  
DRAIN  
DRAIN  
CS  
工作源  
内部 MOSFET 漏极  
内部 MOSFET 漏极  
电流采样,外界采样电阻  
电流采样,外界采样电阻  
CS  
内部电路方框图  
2QX6107M 的内部电路方框图  
QX6107M_DS05CN  
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QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
极限参数  
参数  
符 号  
描述  
最小值 最大值 单位  
-0.3  
V
mA  
V
电压  
电流  
VCC_MAX  
IVCC_MAX  
VDS  
VCC-CLAMP  
V
CC 最大电压值  
5
500  
6
V
CC 最大电流  
-0.3  
-0.3  
-0.3  
电压  
内部 MOSFET 漏源电压  
电流采样电压  
V
电压  
VCS  
6
V
电压  
VOVP  
PSOP8  
θJA  
OVP 引脚电压  
0.45  
145  
150  
150  
250  
2000  
W
最大耗  
SOP8 封装最大耗  
PN 环境热阻  
工作结温范围  
/W  
oC  
-40  
-55  
TJ  
度  
oC  
TSTG  
TSD  
存储温范围  
oC  
接时间 20 秒)  
(人体模)  
V
ESD  
VESD  
1上表中规参数会导致永久损坏工作在条件下可会影响性。  
推荐工作条件  
参数  
符号  
最小值 典型值 最大值 单位  
输出 LED 电流@Vout=72V  
电压 176V264V)  
220  
300  
mA  
ILED  
1
输出 LED 电流@Vout=36V  
电压 176V264V)  
mA  
V
ILED2  
15  
负载电压  
VLED-MIN  
2推荐工作范围范围内,器功能正常不完全证满足个别性能指标。  
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QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
电特性  
特别说明,TA=25ºC  
参数  
符号  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
电源电压  
17  
14  
V
V
VCC-CLAMP  
VSTART  
VCC-UVLO  
ISTART  
IVCC=1mA  
Vcc 电压上升  
Vcc 电压降  
VCC=VCC-START-1V  
FOP=70KHz  
V
CC 钳位电压  
启动电压  
9
V
保护值  
启动电流  
120  
100  
195  
150  
uA  
uA  
工作电流  
IOP  
电流采样  
388  
400  
200  
350  
200  
412  
mV  
mV  
nS  
电流采样电压  
路电流采样电压  
前沿消隐时间  
断延时  
VCS-TH  
VCS-SHORT  
TLEB  
CS 路  
nS  
TDELAY  
内部时间控制  
退磁时间  
最大退磁时间  
最大导通时间  
OVP 引脚电压  
5
uS  
uS  
uS  
V
TOFF-MIN  
TOFF-MAX  
TON-MAX  
VOVP  
255  
45  
0.5  
功率管  
功率导通阻  
功率击穿电压  
功率管漏电流  
10  
RDS-ON  
BVDS  
IDS  
VGS=15V/ IDS=0.5A  
VGS=0V/ IDS=250uA  
VGS=0V/ VDS=500V  
Ω
V
500  
0.5  
uA  
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QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
电特性 (接上)  
特别说明,TA =25ºC  
参数  
符号  
测试条件  
最小值 典型值 最大值 单位  
过热调节  
155  
过热节温点  
TREG  
特性曲线  
测试电路  
3QX6107M 的应用电路图  
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QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
典型曲线  
特别说明,TA =25ºC  
电压VS率  
电压VS率  
92  
90  
88  
86  
84  
82  
80  
94  
93  
92  
91  
Vo=120V&Io=140mA  
Vo=120V&Io=20mA  
150 170 190  
210  
电压(V)  
230 250 270  
150 170 190 210 230 250 270  
电压(V)  
电压VS输出电流  
电压VS输出电流  
17.7  
140  
17.6  
17.5  
17.4  
17.3  
17.2  
17.1  
17  
139.5  
139  
Vo=120V&Io=20mA  
Vo=120V&Io=140mA  
138.5  
138  
150 170 190 210 230 250 270  
150 170 190 210 230 250 270  
电压(V)  
电压(V)  
输出电压VS输出电流  
输出电压VS输出电流  
144  
143  
142  
141  
140  
139  
138  
137  
25  
20  
15  
10  
5
负载调整率  
负载调整率  
0
10  
30  
50  
70  
90  
110  
10  
30  
50  
70  
90  
110  
输出电压(V)  
输出电压(V)  
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QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
应用指南  
QX6107M 是一款用于 LED 照明的  
到达到电流内部 MOS 此  
的功率导通时间:  
恒流驱动,芯内部集成 500V 高压  
MOSFET工作在电感导通模式,适  
合全电压范围工作良好的线性调整  
率、负载调整率以优异的恒流性,只  
外围能实现效  
率的 LED 恒流控制器。  
L*IPK  
TON  
=
VIN - VLED  
功率断时,流能电感的电  
流从降,电感电流降到零  
,芯内部逻辑再功率。功  
断时间:  
启动  
QX6107M 启动电流很低系统上  
启动VCC 容进行充电,  
VCC 达到开启阈,电路工  
QX6107M 正常工作,内部电路的  
工作电流低至 135μA ,并且内  
独特制,因此无需辅助绕  
组供电。  
L*IPK  
TOFF  
=
VLED  
能电感的计算:  
VLED *(VIN - VLED  
F *IPK *VIN  
)
L =  
L 是电感IPK 是电感电  
VIN 是整流线电压VLED 是输  
LED 的电压。从计算式可出,  
电压低时工作选择输  
电压低时系统工作率,  
而输电压系统工作率也最  
高。  
采样与恒流控制  
QX6107M 工作在电感导通模  
内部有一400mV 电  
压,这个基电压与系统电感边峰值  
电流进行比较计算采样电的调节  
实现 LED 驱动电流的CS 达到  
电压,功率。  
QX6107M 置了系统退磁时  
最大退磁时间5uS 255uS。  
TOFF 计算式可如果电感小  
TOFF 小于芯退磁时间,  
系统会进电感电流续模式LED 输出  
电流电感,  
电感电流的计算:  
400mV  
IPK  
=
Rcs  
RCS CS 的采样电。  
T
OFF 会超出芯最大退磁时间,  
CS 比较器输出350nS 前  
沿消隐LED 的输出电流:  
这时系统就会进电感电流连续模式,而  
输出 LED 电流以  
选择适的电感重要工作  
率,建议使用电感。  
IPK  
ILED =  
(mA)  
2
IPK 是电感的电流  
过压保护电阻设置  
电感选择  
在系统LED 开路于无负  
,输出电压逐渐上升导致  
退磁时间逐渐变因此通OVP  
控制应的退磁时间能得  
到需的开路保护电压。  
QX6107M工作在电感导通模式,  
电路输出控制脉冲,内部 MOS  
不断工作在导通/闭状态,内部 MOS  
,电感也导通,开能,直  
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QX6107M  
高精度非隔离降压 LED 驱动  
L*IPK  
PCB 注意事项  
TOVP  
»
VOVP  
在设PCB 遵循下准:  
ROVP » 15*TOVP *106 (KΩ)  
VCC 路电要紧VCC  
GND 引脚不超5mm抗干扰  
。  
IPK 是电感电流VOVP 是需  
置的载电压L 是电感。  
开路保护OVP 。  
保护功能  
线电流采样电的功率线能  
,且和芯线其他信号地  
线线电。  
QX6107M 设定多种保护功能,如  
LED 保护CS 保护、  
VCC /压、电路过温自适应调节等。  
小功率路的功率电感、  
功率线电,以功率  
电感极管出电,  
EMI 辐射。  
QX6107M 在工作,自着各  
工作状态如果负载开路电路将  
立刻入过保护状态,关内部 MOS  
时进检测状态故障恢复  
,电路也回复正常工作状态;  
负载路,系统工作在 5KHz 左右的  
频状态很低时不断测系统,  
负载恢复正常电路也将恢复正常工  
;若CS 阻短路,或者电感等  
其他故障发生,电路内部快速保护制也  
将立停止 MOS 的开关停止运,  
此时,电路工作降,触发  
UVLO 电路系统可  
以实现保护功能的触发工作制。  
NC 内部无建议到  
,加OVP 引脚抗干扰性,PIN1 和  
PIN3 PIN2(OVP 引脚)。  
DRAIN 引脚铺铜高  
。  
工作过QX6107M 到电  
结温过过温155)时,  
电路入过温控制状态小输出  
电流,以控制输出功率和,使得系统  
能够稳定工作温范围。  
输入选择  
系统工作稳定性有接影  
。输选择为:  
VIN =VAC- MAX *1.414 + 25  
电压输220Vac)容量大以  
经验1uF/W 电压输入  
110Vac量大经验 2uF/W  
设定,如果带填谷电路为两填  
和。  
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封装信息  
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高精度非隔离降压 LED 驱动  
声明  
Ø 泉芯电路格书更改权,以便客户产品更改不  
行通。  
Ø 泉芯公司一产品性,而,任何半体产品在定条件下有  
或发生故障能,客户责任使用泉芯产品进行产品严格照对  
格书使用泉芯产品,并进行系统设和整守安全标并采取全  
措施,以避免潜失败风险造身伤害情况如果客户不当使用泉芯  
产品成的身伤害情况,泉芯公司承担任何责任。  
Ø 本产品应用于费类电子产品如果客户本产品应用于医疗军事航天求  
性的领域产品失败风险成的身伤害等  
情况,泉芯公司承担任何责任。  
Ø 格书息仅泉芯产品的应用任何暗示,  
如果客户侵犯第三,泉芯公司承担任何责任。  
客户服务中心  
泉芯电子技术(深圳)有限公司  
深圳市南山区南口二新兴业园 22 4 楼  
邮编518052  
+86-0755-88852177  
传真+86-0755-86350858  
网址www.qxmd.com.cn  
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厂商 型号 描述 页数 下载

INTEL

QX6000 在775-土地LGA封装支持英特尔64位架构的65纳米工艺[ on 65 nm Process in the 775-land LGA Package supporting Intel 64 architecture ] 98 页

QUALTEK

QX6001 [ 具有无极调光功能的触摸台灯控制器 ] 14 页

QUALTEK

QX6101 此接脚为点亮LED的输出脚。[ 自供电降压型 LED 恒流驱动器 ] 10 页

QUALTEK

QX6102 内置NPN降压型LED恒流驱动器[ 内置 NPN 降压型 LED 恒流驱动器 ] 10 页

QUALTEK

QX6103 此接脚为点亮LED的输出脚。[ 降压型大功率 LED 恒流驱动器 ] 9 页

ETC

QX6104 此接脚为点亮LED的输出脚。[ 高精度降压型 LED 恒流驱动器 ] 8 页

ETC

QX6108 8-24W吸顶灯内置MOS降压型LED恒流驱动器[ 8-24W吸顶灯 内置 MOS 降压型 LED 恒流驱动器 ] 8 页

ETC

QX6206 [ QX6206系列高纹波抑制率LDO ] 4 页

INTEL

QX6700 在775-土地LGA封装支持英特尔64位架构的65纳米工艺[ on 65 nm Process in the 775-land LGA Package supporting Intel 64 architecture ] 98 页

INTEL

QX6800 在775-土地LGA封装支持英特尔64位架构的65纳米工艺[ on 65 nm Process in the 775-land LGA Package supporting Intel 64 architecture ] 98 页

PDF索引:

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1

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4

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9

IC型号索引:

A

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X

Y

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