搜索记录
清空
gx-fl15b
gx-f8a-c5
gx-f8a-r
gx-f6a-p
UMW SS26A
UMW SS16A
UMW SS14A
UMW SS24A
ULN2001D(UMW)
三星连发重磅突破，存储与劳资双线告捷
发布时间：昨天 16:06
类别：行业动态
阅读：5
摘要：
三星连发重磅突破，存储与劳资双线告捷
（一）全球首发 900 层 V-NAND 原型，领跑存储堆叠技术（5 月 25 日）
5 月 25 日，三星电子宣布成功开发全球首个900 层级 V-NAND 原型，向 1000 层 NAND 时代迈出关键一步。
该技术通过垂直堆叠大幅提升存储密度，相较主流 500-600 层产品，容量提升约 50%，同时优化读写速度与功耗，主要面向 AI 服务器、数据中心及高端移动设备市场。三星计划 2027 年实现量产，进一步巩固其在全球 NAND Flash 市场的龙头地位（市占率超 35%）。
（二）HBM4E 大规模出货，锁定 AI 算力巨头（5 月 27 日）
5 月 27 日，三星正式批量出货12 层高带宽内存（HBM4E），首批核心供应 AMD、NVIDIA、Google 等 AI 算力巨头，直击全球 HBM 供需缺口（2026 年缺口达 5.1%）。HBM4E 带宽较上代提升 40%，功耗降低 15%，是 AI 大模型训练与推理的核心算力底座，三星借此强化与 SK 海力士（HBM 市占率第一）的竞争格局。
（三）劳资谈判达成协议，罢工威胁解除（5 月 27 日）
同日，三星电子宣布，与工会达成的 2026 年工资协议在投票中以73.7% 赞成率通过，持续数月的罢工威胁正式消除。协议包含平均4.5% 薪资上调、绩效奖金提升及额外福利，覆盖全球约 10 万名员工。此次和解避免了产能动荡，保障了存储芯片与先进制程产能的稳定交付，对全球供应链稳定意义重大。
上一篇：
华为发布“韬定律”，重构芯片技术评价体系
- 三星连发重磅突破，存储与劳资双线告捷
- 华为发布“韬定律”，重构芯片技术评价体系
- 东南亚成半导体“新热土”：印度、越南、马来西亚加速造芯，重构全球供应链
- 全球封测“三国杀”：长电/通富/华天加速扩产，2.5D/3D与HBM封装成主战场
- 紫光国微19亿元并购瑞能半导体：功率半导体龙头整合，构建“车规+工控”全产业链
- 国产存储“双雄”爆发：长鑫日赚2.7亿、长江存储IPO在即，自给率冲刺40%
- ASML High‑NA EUV正式量产：4亿美元“光刻之王”开启2nm时代
- 三星57年最大罢工冲击全球存储市场，HBM供应危机加剧
- 新思科技发布AgentEngineer，AI重构芯片设计全流程
- 英特尔加速EMIB先进封装全球扩张，越南工厂投资41亿美元落地
Copyright 2024 gkzhan.com Al Rights Reserved 京ICP备06008810号-21 京
0.660183s
