国产先进封装突破海外专利壁垒，混合键合设备量产验证，后摩尔时代本土封装产业链实现技术反攻

发布时间：6小时前

类别：行业动态

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6 月 29 日，国内头部封测企业对外发布重大专利与工艺进展：自主研发异构集成混合键合技术，成功绕开海外技术联盟十余项核心工艺专利壁垒，美国专利商标局正式裁定对方三项关键封装专利无效；配套自研铜铜混合键合设备同步进入客户量产验证阶段，成为国内先进封装从技术跟随转向自主创新反攻的标志性事件。

先进封装是后摩尔时代芯片性能提升核心路径，CoWoS、SoIC、混合键合工艺可将多颗不同制程、不同功能芯片垂直堆叠，突破单芯片尺寸、带宽、功耗物理限制，AI 算力、HBM 存储、光通信芯片高度依赖该类工艺。长期以来，海外企业通过密集专利布局构建技术壁垒，限制国内企业高端封装业务拓展，混合键合核心设备、键合材料、工艺模型均存在外部依赖。

本次突破分为设备、工艺、专利三大维度。工艺端企业自主搭建全新键合流程体系，优化晶圆表面活化、低温贴合、铜互连致密化全套参数，互连密度、信号延迟、散热性能对标国际头部方案，适配 HBM 内存堆叠、CPO 光电共封装、Chiplet 芯粒集成多类高端场景；设备端自研混合键合整机设备完成多轮客户流片验证，国产化率超 90%，采购成本相较进口设备下降 45%，打破海外设备独家垄断；专利层面累计布局 200 余项自主发明专利，覆盖封装全流程，构建完整专利防护网，彻底规避海外专利诉讼风险。

产业链上下游同步配套成熟，江丰电子高端封装靶材、安集微电子抛光液、沪硅产业封装专用硅片批量供货，形成 “封装设备 - 封装材料 - 封测代工” 完整本土配套链条。当前国内头部封测企业 3D 堆叠、混合键合产能持续扩产，承接国内 AI 芯片、存储、光模块企业订单，逐步替代海外高端封测产能。

行业机构分析，未来十年芯片性能提升 65% 依靠先进封装创新，先进封装赛道成为国内半导体换道超车核心突破口。本次专利与设备双重突破，不仅降低国内芯片设计企业高端封装代工成本、缩短交付周期，更形成可对外输出的成套先进封装技术方案，支撑本土算力、存储、光芯片产业链稳定发展，对冲全球先进制程设备供给约束带来的产业压力。