天岳先进12英寸碳化硅衬底批量交付，国产SiC登顶全球份额，第三代半导体衬底实现全尺寸自主突破

发布时间：昨天 10:07

类别：行业动态

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2026 年 6 月末，国内碳化硅衬底龙头天岳先进正式对外官宣，自研 12 英寸导电型碳化硅衬底产品完成批量客户交付，叠加 8 英寸衬底全球市占率突破 51.3%、整体导电型 SiC 衬底全球份额 27.6% 跃居世界第一，彻底改写海外企业长期垄断高端碳化硅基材的产业格局，成为国内第三代半导体底层材料自主可控里程碑事件。

碳化硅作为第三代半导体核心材料，广泛用于新能源车电控、AI 服务器高压电源、工业变频器、光通信射频器件，衬底环节占据整条产业链 47% 价值，技术壁垒最高、国产化难度最大。过去全球高端 6/8 英寸 SiC 衬底长期由海外厂商把控，12 英寸大尺寸样品仅少数企业完成实验室研发，规模化量产工艺、长晶设备、提纯原料全部存在供应链短板，制约国内功率芯片产业规模化扩张。

天岳先进历时五年专项攻关，攻克高纯硅碳原料提纯、大尺寸单晶长晶热场设计、低应力衬底抛光三大核心工艺，12 英寸衬底缺陷密度、平整度、导电均匀度对标国际一线产品，成本相较进口产品降低 22%。目前企业已与全球十大功率半导体厂商中半数企业达成长期供货协议，产品同步切入车载、算力电源两大高景气赛道；一季度企业毛利率转正至 19.12%，摆脱前期产能爬坡亏损周期，进入盈利放量阶段。

应用端市场需求持续爆发，AI 数据中心全面升级 800V 高压供电架构，碳化硅器件可将电源转换损耗降低 40%，同时具备超高导热特性，可作为 3D 先进封装散热中介层，算力机房单机 SiC 使用量同比提升 3 倍；新能源汽车 800V 高压平台快速普及，高端车型 SiC 电控渗透率突破 30%，机构预测 2030 年全球碳化硅功率器件市场规模将接近 100 亿美元，年均复合增速 20.3%。

产业协同层面，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）牵头组建国产装备联盟，联合 20 余家设备企业打通 SiC 外延、刻蚀、沉积全套国产工艺产线，配套天岳先进衬底搭建完整验证平台，实现衬底 - 外延 - 器件全流程本土配套。全球竞争维度，欧美厂商加速扩产 6 英寸产线，但 12 英寸量产进度滞后国内企业，韩国同步加码 SiC 扶持资金追赶赛道。本次 12 英寸碳化硅批量落地，补齐国内宽禁带半导体最上游短板，依托庞大本土新能源、AI 算力内需市场，国内碳化硅产业正式进入全球领跑周期，大幅降低下游功率芯片海外基材采购依赖。