硅光渗透率突破50%，薄膜铌酸锂进入产业化元年，CPO光电共封装全面切换新一代光芯片方案

发布时间：昨天 10:08

类别：行业动态

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全球光通信行业调研机构 Lightcounting 于 7 月上旬发布最新行业报告，2026 年基于硅光子工艺制造的高速光模块市场销售额，首次占据全球光模块整体市场 50%，完成从小众技术路线向行业主流方案的跨越；与此同时薄膜铌酸锂（TFLN）材料工艺成熟落地，正式开启 3.2Tbps 超高速光互连产业化周期，为下一代 CPO 光电共封装硬件提供核心光芯片支撑，算力高速互连赛道迎来技术全面迭代节点。

在 800G、1.6T 主流数据中心光模块场景，传统分立式激光器方案单模块需要 8 颗独立光源芯片，封装、材料成本居高不下，耦合良率长期低于 85%；硅光技术依托 CMOS 成熟制造工艺，将激光器阵列、调制器、探测器集成单片晶圆，集成度大幅提升，单模块物料成本下降超 40%，耦合良率稳定突破 98%，完美匹配 AI 服务器大规模批量采购需求。短短四年时间硅光市场占比从 20% 跃升至 50%，算力数据中心扩容潮成为核心需求驱动力，单台 AI 服务器光芯片用量是传统机房设备 6 至 8 倍，高速光互连需求持续爆发。

针对 3.2Tbps 及以上下一代超高速传输场景，硅光材料电光系数存在性能上限，薄膜铌酸锂成为最优替代方案。铌酸锂材料调制效率远超硅基材料，同等驱动电压下可实现更大光信号调制幅度，支撑超高带宽传输，上海交大联合本土光计算企业光舟科技共建国内首个集成光子计算重点实验室，专项攻坚薄膜铌酸锂晶圆量产工艺，2026 年末将完成 3.2T 光芯片样品交付，适配台积电 COUPE 标准化 CPO 封装平台。

产业链供需层面，磷化铟衬底全球供需缺口仍维持 70% 高位，海外厂商严控高端基材产能释放，国内企业加速硅光、铌酸锂两条差异化路线突围，规避单一衬底材料供给风险。机构预测 2030 年全球 CPO 光电共封装市场规模突破 150 亿美元，硅光、薄膜铌酸锂双技术路线并行发展，分别覆盖中低速大规模算力机房、超高速超算两大场景。国内光芯片企业依托本土 AI 算力网络庞大内需，同步布局设计、晶圆制造、封装全链条，高速光芯片国产替代空间持续拓宽，成为后摩尔时代算力硬件核心增长赛道。