多国落地千亿级半导体扶持方案，供应链区域化加速分化，双轨产业体系成型

2026 年二季度，全球主要经济体集中落地新一轮半导体产业大额投资与补贴政策，美国、欧盟、韩国、日本同步加码本土芯片产能建设，叠加相关技术管制规则落地，全球芯片供应链加速区域重构，形成两套技术、产能、生态相互独立的产业发展体系，区域化、多元化成为行业长期新常态。韩国发布史上最大规模半导体投资计划，政府联合三星、SK 海力士未来数年合计投入约 8.8 万亿元人民币，新建四座大型晶圆工厂，重点布局 H

国产先进封装突破海外专利壁垒，混合键合设备量产验证，后摩尔时代本土封装产业链实现技术反攻

6 月 29 日，国内头部封测企业对外发布重大专利与工艺进展：自主研发异构集成混合键合技术，成功绕开海外技术联盟十余项核心工艺专利壁垒，美国专利商标局正式裁定对方三项关键封装专利无效；配套自研铜铜混合键合设备同步进入客户量产验证阶段，成为国内先进封装从技术跟随转向自主创新反攻的标志性事件。先进封装是后摩尔时代芯片性能提升核心路径，CoWoS、SoIC、混合键合工艺可将多颗不同制程、不同功能芯片垂直

AWS开放自研Trainium AI芯片对外销售，云厂商定制ASIC商业化拐点到来，重构全球算力芯片竞争格局

6 月 18 日，亚马逊云科技 AWS 高层公开确认，旗下自研 Trainium 系列 AI 训练芯片将打破内部自用限制，正式面向全球政企、数据中心服务商开放销售，标志着谷歌、亚马逊、百度、腾讯等云厂商自研 ASIC 芯片从 “内部降本工具” 转向对外商用产品，全球 AI 算力芯片赛道迎来结构性变局36氪。过去数年，定制 AI 专用芯片（ASIC）仅用于消化云厂商自有大模型训练、推理负载，并未对外

天岳先进12英寸碳化硅衬底批量交付，国产SiC登顶全球份额，第三代半导体衬底实现全尺寸自主突破

2026 年 6 月末，国内碳化硅衬底龙头天岳先进正式对外官宣，自研 12 英寸导电型碳化硅衬底产品完成批量客户交付，叠加 8 英寸衬底全球市占率突破 51.3%、整体导电型 SiC 衬底全球份额 27.6% 跃居世界第一，彻底改写海外企业长期垄断高端碳化硅基材的产业格局，成为国内第三代半导体底层材料自主可控里程碑事件。碳化硅作为第三代半导体核心材料，广泛用于新能源车电控、AI 服务器高压电源、工

成熟制程MCU全线涨价潮来袭，国内晶圆厂百亿扩产车规特色工艺，填补车载、工控芯片产能缺口

2026 年上半年，全球成熟制程芯片迎来全面涨价周期，国产与国际 MCU 厂商连续多轮上调产品售价，叠加新能源汽车、工业控制、智能家居芯片需求持续爆发，成熟 28nm-90nm 特色工艺晶圆产能持续供不应求，国内多地落地百亿级 12 英寸车规芯片制造基地，成熟制程扩产成为国内半导体产业现阶段核心主线。涨价覆盖全品类模拟与控制芯片，国产厂商中微半导 MCU 全线涨价 15%-50%，兆易创新两度上调

第三代半导体迎来政策与需求双重红利，多国加码SiC/GaN布局，车规功率芯片进入全面替代周期

2026 年 6 月，全球多国密集出台第三代半导体专项扶持政策，韩国敲定 5000 亿韩元专项资金攻坚碳化硅、氮化镓材料与器件；欧盟加码欧洲芯片法案配套资金，重点扶持车规级宽禁带功率芯片；国内大基金三期资金持续向 SiC、GaN 衬底、外延产线倾斜，叠加新能源车、AI 服务器电源爆发式需求，第三代半导体正式进入规模化商用全面替代周期。功率芯片是能源转换核心载体，传统硅基器件在 800V 高压车载平

英伟达与SK海力士签署多年深度绑定协议，联合研发HBM全链路方案，AI存储紧缺周期将延续至2028年

6 月 8 日，英伟达与 SK 海力士在韩国首尔举办战略合作签约仪式，双方敲定覆盖存储芯片联合定制、晶圆厂智能化改造、全球 AI 算力生态共建的长期合作框架，直面全球 HBM 高带宽内存持续紧缺的行业痛点，重构高端存储与算力厂商深度绑定的全新合作模式，黄仁勋在现场公开预警，AI 内存结构性供需缺口将持续数年。本次合作落地三大核心业务板块。第一，定制化 AI 内存联合开发，双方针对英伟达新一代 Ve

全球光芯片产能竞赛全面打响，磷化铟衬底供需缺口70%，CPO产业化进入关键窗口期

2026 年 6 月，海内外光芯片、磷化铟衬底厂商集中发布大额扩产公告，一场围绕 AI 数据中心高速互连的全球产能竞赛正式拉开帷幕，高速光互连、CPO 光电共封装成为算力产业链确定性最高的高景气赛道，上游核心衬底材料供给严重不足成为制约行业发展的核心瓶颈36氪。海外企业扩产动作密集落地：美国 Coherent 获得《芯片与科学法案》配套资金，扩建德州 6 英寸磷化铟（InP）晶圆制造工厂，建成后将

台积电、英特尔、三星集体战略转向，后摩尔时代竞争核心转向先进封装与新材料

2026 年上半年，全球三大半导体制造龙头同步公布千亿级产业布局规划，行业发展逻辑迎来根本性转折：各家不再单一加码极致纳米制程研发，将核心资金、研发人力、新建产线资源全面倾斜先进封装、玻璃基板、复合散热材料赛道，正式宣告单纯依靠缩小晶体管尺寸提升芯片性能的产业周期进入尾声。台积电方面，2nm（N2）工艺维持四季度小规模量产节奏，但全年 400 亿美元海外投资全部投向美国亚利桑那先进封装基地，重点扩

晶镓半导体受让氮化铝AlN全套专利，成为全球唯一同时掌握GaN/AlN自主衬底知识产权厂商

6 月 10 日，第三代半导体产业传来重磅产学研转化消息，晶镓半导体正式受让山东大学团队全套氮化铝 AlN 单晶衬底制备核心技术与完整专利体系，叠加企业已规模化量产的氮化镓 GaN 衬底自研技术，一跃成为全球范围内唯一同时拥有 GaN、AlN 两大超宽禁带半导体衬底完整自主知识产权的厂商，夯实国内第三代半导体底层材料技术壁垒，补齐射频、功率、深紫外芯片核心衬底短板。氮化铝 AlN 属于超宽禁带半导