长鑫科技超募近300亿登陆A股，国产DRAM正式迈入千亿产能时代，存储国产替代迎来质变拐点

发布时间：昨天 11:02

类别：行业动态

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7月14日，国内DRAM存储龙头长鑫科技正式敲定A股发行方案，发行价8.66元/股，将于7月16日开启网上申购。本次上市发行总募资规模高达579.19亿元，较最初295亿元的募资计划超募近300亿元，成为A股近19年来规模最大的科技企业IPO，发行后总市值接近5800亿元，标志着国产存储芯片正式进入规模化、高投入、快迭代的高质量发展阶段。

本次超大额募资将全部用于12英寸高端DRAM产线扩建、HBM高带宽内存技术研发、先进封装配套基地建设以及技术储备升级。产能规划层面，长鑫合肥现有产线持续技改升级，年底将在月产30万片基础上新增10万片产能；上海临港超级工厂已全面开工建设，预计2027年底一期投产，2028年实现满产运行，主打高端DDR5服务器内存与国产HBM专属产线，达产后企业整体晶圆产能实现翻倍，全球DRAM市场份额大幅提升。

技术迭代层面，长鑫16nm DRAM工艺良率已稳定突破90%，DDR5产品全面进入国内头部云厂商、服务器、PC终端供应链，性能与可靠性对标国际中端主流产品。依托本次超募资金，企业将重点攻坚HBM堆叠工艺、高密度DRAM架构优化、内存容错控制等核心技术，缩短与韩系存储巨头的技术代差，力争18个月内实现国产HBM技术商用落地，填补本土高端算力存储空白。

行业供需格局持续利好国产存储崛起。当前三星、SK海力士持续削减通用DRAM产能，全力倾斜高毛利HBM产品，全球通用服务器内存、消费级DRAM持续缺货涨价，海外产能供给收缩为国产存储腾出巨大替代空间。叠加腾讯等头部互联网企业数百亿元长期供货长协落地，国产存储彻底打开本土高端算力市场，摆脱以往低端替补的市场定位。

产业层面，长鑫科技的跨越式发展，带动国内存储上下游EDA工具、IP、特种材料、封测设备、模组配套企业协同放量，逐步构建完整的本土DRAM产业生态。随着产能持续释放、高端技术加速突破、头部客户持续导入，国内DRAM国产化率将快速提升，彻底改写海外双寡头垄断的全球存储格局，筑牢数字产业底层供应链安全底座。